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2B231 Vakuumpumpen mit allen folgenden Eigenschaften:
| a) | Ansaugdurchmesser größengleich 380 mm; |
| b) | Saugvermögen größer/gleich 15 m3/sund |
| c) | geeignet zur Erzeugung eines Endvakuumdrucks kleiner als 13 mPa. |
Technische Anmerkungen:
2B232 Mehrkammer-Leichtgaskanonen oder andere Hochgeschwindigkeitsbeschleunigungssysteme (spulenartige, elektromagnetische und elektrothermische typen und andere fortgeschrittene Systeme), die Projektile auf Geschwindigkeiten größengleich 2 km/s beschleunigen können.
2B350 Chemische Herstellungseinrichtungen, Apparate und Bestandteile wie folgt:
| a) | Reaktionsbehälter oder Reaktoren, mit oder ohne Rührer, mit einem inneren (geometrischen) Gesamtvolumen größer als 0,1 m3 (100 l) und kleiner als 20 m3 (20000 l), bei denen die medienberührenden Flächen ganz aus einem der folgenden Werkstoffe bestehen: | |
| 1. | Legierungen mit mehr als 25 Gew. % Nickel und 20 Gew: % Chrom, | |
| 2. | Fluorpolymere, | |
| 3. | Glas oder Email, | |
| 4. | Nickel oder Nickel-Legierungen mit mehr als 40 Gew: % Nickel, | |
| 5. | Tantal oder Tantal-Legierungen, | |
| 6. | Titan oder Titan-Legierungen, | |
| 7. | Zirkonium oder Zirkonium-Legierungenoder | |
| 8. | Niob (Columbium) oder Niob-Legierungen; | |
| b) | Rührer für die Verwendung in den von Unternummer 2B350a erfassten Reaktionskesseln oder Reaktoren sowie für solche Rührer konstruierte Rührflügel, Rührblätter und Rührwellen, bei denen die medienberührenden Flächen ganz aus einem der folgenden Werkstoffe bestehen: | |
| 1. | Legierungen mit mehr als 25 Gew. % Nickel und 20 Gew: % Chrom, | |
| 2. | Fluorpolymere, | |
| 3. | Glas oder Email, | |
| 4. | Nickel oder Nickel-Legierungen mit mehr als 40 Gew: % Nickel, | |
| 5. | Tantal oder Tantal-Legierungen, | |
| 6. | Titan oder Titan-Legierungen, | |
| 7. | Zirkonium oder Zirkonium-Legierungenoder | |
| 8. | Niob (Columbium) oder Niob-Legierungen; | |
| c) | Lagertanks, Container oder Vorlagen mit einem inneren (geometrischen) Gesamtvolumen größer als 0,1 m3(100 l), bei denen die medienberührenden Flächen ganz aus einem der folgenden Werkstoffe bestehen: | |
| 1. | Legierungen mit mehr als 25 Gew: % Nickel und 20 Gew. % Chrom, | |
| 2. | Fluorpolymere, | |
| 3. | Glas oder Email, | |
| 4. | Nickel oder Nickel-Legierungen mit mehr als 40 Gew: % Nickel, | |
| 5. | Tantal oder Tantal-Legierungen, | |
| 6. | Titan oder Titan-Legierungen, | |
| 7. | Zirkonium oder Zirkonium-Legierungenoder | |
| 8. | Niob (Columbium) oder Niob-Legierungen; | |
| d) | Wärmetauscher oder Kondensatoren mit einer Wärmeaustauschfläche größer als 0,15 m2 und kleiner als 20 m2 sowie für solche Wärmetauscher oder Kondensatoren konstruierte Rohre, Platten, Coils oder Blöcke, bei denen die medienberührenden Flächen ganz aus einem der folgenden Werkstoffe bestehen: | |
| 1. | Legierungen mit mehr als 25 Gew: % Nickel und 20 Gew. % Chrom, | |
| 2. | Fluorpolymere, | |
| 3. | Glas oder Email, | |
| 4. | Grafit oder "Carbon-Grafit", | |
| 5. | Nickel oder Nickel-Legierungen mit mehr als 40 Gew: % Nickel, | |
| 6. | Tantal oder Tantal-Legierungen, | |
| 7. | Titan oder Titan-Legierungen, | |
| 8. | Zirkonium oder Zirkonium-Legierungen, | |
| 9. | Siliziumkarbid, | |
| 10. | Titankarbidoder | |
| 11. | Niob (Columbium) oder Niob-Legierungen; | |
| e) | Destillations- oder Absorptionskolonnen mit einem inneren Durchmesser größer als 0,1 m sowie für solche Destillations- oder Absorptionskolonnen konstruierte Flüssigkeitsverteiler, Dampfverteiler oder Flüssigkeitssammler, bei denen die medienberührenden Flächen ganz aus einem der folgenden Werkstoffe bestehen: | |
| 1. | Legierungen mit mehr als 25 Gew: % Nickel und 20 Gew. % Chrom, | |
| 2. | Fluorpolymere, | |
| 3. | Glas oder Email, | |
| 4. | Grafit oder "Carbon-Grafit", | |
| 5. | Nickel oder Nickel-Legierungen mit mehr als 40 Gew: % Nickel, | |
| 6. | Tantal oder Tantal-Legierungen, | |
| 7 | Titan oder Titan-Legierungen, | |
| 8. | Zirkonium oder Zirkonium-Legierungen oder | |
| 9. | Niob (Columbium) oder Niob-Legierungen; | |
| f) | fernbedienbare Abfülleinrichtungen, bei denen die medienberührenden Flächen ganz aus einem der folgenden Werkstoffe bestehen: | |
| 1. | Legierungen mit mehr als 25 Gew. % Nickel und 20 Gew: % Chromoder | |
| 2. | Nickel oder Nickel-Legierungen mit mehr als 40 Gew: % Nickel; | |
| g) | Ventile mit einer Nennweite größer als 10 mm sowie für solche Ventile konstruierte Ventilgehäuse oder vorgeformte Gehäuseverkleidungen, bei denen die medienberührenden Flächen ganz aus einem der folgenden Werkstoffe bestehen: | |
| 1. | Legierungen mit mehr als 25 Gew. % Nickel und 20 Gew: % Chrom, | |
| 2. | Fluorpolymere, | |
| 3. | Glas oder Email, | |
| 4. | Nickel oder Nickel-Legierungen mit mehr als 40 Gew: % Nickel, | |
| 5. | Tantal oder Tantal-Legierungen, | |
| 6. | Titan oder Titan-Legierungen, | |
| 7. | Zirkonium oder Zirkonium-Legierungenoder | |
| 8. | Niob (Columbium) oder Niob-Legierungen; | |
| h) | Mehrwandige Rohre mit Leckdetektor-Anschluss, bei denen die medienberührenden Flächen ganz aus einem der folgenden Werkstoffe bestehen: | |
| 1. | Legierungen mit mehr als 25 Gew. % Nickel und 20 Gew: % Chrom, | |
| 2. | Fluorpolymere, | |
| 3. | Glas oder Email, | |
| 4. | Grafit oder "Carbon-Grafit", | |
| 5. | Nickel oder Nickel-Legierungen mit mehr als 40 Gew: % Nickel, | |
| 6. | Tantal oder Tantal-Legierungen, | |
| 7. | Titan oder Titan-Legierungen, | |
| 8. | Zirkonium oder Zirkonium-Legierungen oder | |
| 9. | Niob (Columbium) oder Niob-Legierungen; | |
| i) | Pumpen mit Mehrfachdichtung und dichtungslose Pumpen mit einer vom Hersteller angegebenen maximalen Förderleistung größer als 0,6 m3/h oder Vakuumpumpen mit einer vom Hersteller angegebenen maximalen Förderleistung größer als 5 m3/h (jeweils unter Standard-Bedingungen von 273 K (0 °C) und 101,3 kPa) sowie für solche Pumpen konstruierte Pumpengehäuse, vorgeformte Gehäuseauskleidungen, Laufräder, Rotoren oder Strahlpumpendüsen, bei denen die medienberührenden Flächen ganz aus einem der folgenden Werkstoffe bestehen: | |
| 1. | Legierungen mit mehr als 25 Gew: % Nickel und 20 Gew. % Chrom, | |
| 2. | Keramik, | |
| 3. | Ferrosiliziumguss, | |
| 4. | Fluorpolymere, | |
| 5. | Glas oder Email, | |
| 6. | Grafit oder "Carbon-Grafit", | |
| 7. | Nickel oder Nickel-Legierungen mit mehr als 40 Gew: % Nickel, | |
| 8. | Tantal oder Tantal-Legierungen, | |
| 9. | Titan oder Titan-Legierungen, | |
| 10. | Zirkonium oder Zirkonium-Legierungenoder | |
| 11. | Niob (Columbium) oder Niob-Legierungen; | |
| j) | Verbrennungseinrichtungen, entwickelt zur Vernichtung der in Nummer 1C350 genannten Substanzen, mit besonders entwickelten Abfall-Zuführungssystemen, speziellen Handhabungseinrichtungen und einer durchschnittlichen Brennraumtemperatur größer als 1273 K (1000 °C), wobei die medienberührenden Flächen des Zuführungssystems ganz aus einem der folgenden Werkstoffe bestehen: | |
| 1. | Legierungen mit mehr als 25 Gew: % Nickel und 20 Gew. % Chrom, | |
| 2. | Keramikoder | |
| 3. | Nickel oder Nickel-Legierungen mit mehr als 40 Gew: % Nickel. | |
Technische Anmerkung:
"Carbon-Grafit" besteht aus amorphem Kohlenstoff und Grafit, wobei der Grafitgehalt 8 Gew.-% oder mehr beträgt.
2B351 Systeme zur Feststellung oder Überwachung toxischer Gase, wie folgt, sowie dafür bestimmte Detektoren:
2B352 Ausrüstung, geeignet zur Handhabung biologischer Stoffe, wie folgt:
| a) | Vollständige biologische Sicherheitsbereiche, ausgestattet nach den Richtlinien für die Sicherheitsstufen P3 oder P4;
Technische Anmerkung: Die Sicherheitsstufen P3 oder P4 (BL3, BL4, L3, L4) entsprechen der Definition im WHO-Handbuch Laboratory Biosafety (2. Auflage, Genf 1993). |
||
| b) | Fermenter, geeignet zur Kultivierung pathogener "Mikroorganismen" oder Viren oder geeignet zur Erzeugung von "Toxinen", ohne Aerosolfreisetzung, mit einer Gesamtkapazität größer/gleich 20 l;
Technische Anmerkung: Fermenter schließen Bioreaktoren, Chemostate und kontinuierliche Fermentationssysteme ein. |
||
| c) | Zentrifugalseparatoren, geeignet zur kontinuierlichen Trennung ohne Aerosolfreisetzung, mit allen folgenden Eigenschaften: | ||
| 1. | Durchflussrate größer als 100 l/h, | ||
| 2. | Bestandteile aus poliertem Edelstahl oder Titan, | ||
| 3. | Ein- oder Mehrfachdichtung im Dampfsterilisationsbereichund | ||
| 4. | geeignet zur In-situ-Sterilisation im geschlossenen Zustand; | ||
| Technische Anmerkung:
Zentrifugalseparatoren schließen Dekanter ein. |
|||
| d) | Ausrüstung, geeignet zur Handhabung biologischer Stoffe, wie folgt: | ||
| 1. | Kreuz-(Tangential-)stromfilter-Ausrüstung, geeignet zur Abtrennung von pathogenen Mikroorganismen, Viren, Toxinen oder Zellkulturen ohne Aerosolfreisetzung, mit beiden folgenden Eigenschaften: | ||
| a) | Gesamtfilterfläche größengleich 1 m2 und | ||
| b) | geeignet zur In-situ-Sterilisation oder zur In-situ-Desinfektion; | ||
| Technische Anmerkung:
Im Sinne von Unternummer 2B352d1b bezeichnet "Sterilisation" die Entfernung aller vermehrungsfähigen Mikroben von der Ausrüstung durch die Verwendung physikalischer (z.B. Dampft oder chemischer Agenzien. "Desinfektion" bezeichnet die Zerstörung der potenziellen mikrobiellen Infektiösität der Ausrüstung durch die Verwendung chemischer Agenzien mit germiziden Effekten. Desinfektion und Sterilisation unterscheiden sich von der Sanitisation. Die Sanitisation bezieht sich auf Reinigungsoperationen, die entwickelt wurden, um die Menge des mikrobiellen Materials auf der Ausrüstung zu verringern ohne notwendigerweise deren völlige Infektiösität oder Vermehrungsfähigkeit zu beseitigen. |
|||
| 2. | Bestandteile von Kreuz-(Tangential-)stromfiltern (z.B. Module, Elemente, Kassetten, Kartuschen oder Platten) mit einer Filterfläche größengleich 0,2 m2 pro Bestandteil und konstruiert für die Verwendung in Kreuz-(Tangential-)stromfilter-Ausrüstung, die von Unternummer 2B352d1 erfasst wird. | ||
| Anmerkung:
Unternummer 2B352d erfasst nicht Umkehrosmose-Ausrüstung gemäß Herstellerangaben. |
|||
| e) | Dampfsterilisierbare Gefriertrocknungsanlagen mit einer Eiskapazität des Kondensators größer als 10 kg und kleiner als 1000 kg in 24 Stunden; | ||
| f) | Schutz- und Containment-Ausrüstungen wie folgt: | ||
| 1. | Voll- oder Halbschutzanzüge oder Hauben, die auf die Anbindung an eine externe Luftversorgung angewiesen sind und mit Überdruck betrieben werden,
Anmerkung: Anzüge, entwickelt für das Tragen mit unabhängigen Atemgeräten, werden von Unternummer 2B352f1 nicht erfasst. |
||
| 2. | biologische Sicherheitswerkbänke der Klasse III oder Isolatoren mit ähnlichen Leistungsmerkmalen;
Anmerkung: Die in Unternummer 2B352f2 genannten Isolatoren schließen flexible Isolatoren, Trockenkästen (dry boxes), Kästen für anaerobe Arbeiten, Handschuharbeitskästen und Hauben mit laminarer Strömung (geschlossen mit vertikaler Strömung) ein. |
||
| g) | Aerosolprüfkammern mit einem Volumen größengleich 1 m3, konstruiert für Aerosoleignungsprüfungen von "Mikroorganismen", Viren oder "Toxinen". | ||
2C Werkstoffe und Materialien
Kein Eintrag.
2D Datenverarbeitungsprogramme (Software)
2D001 "Software", andere als von Nummer 2D002 erfasst, besonders entwickelt oder geändert für die "Entwicklung", "Herstellung" oder "Verwendung" von Ausrüstung, die von Nummer 2A001 oder 2B001 bis 2B009 erfasst wird.
2D002 "Software" für elektronische Bauteile, auch wenn sie in einem elektronischen Bauteil oder System dauerhaft gespeichert ist, die solche Bauteile oder Systeme zu Funktionen einer "numerischen Steuerung" befähigt, die mehr als vier interpolierende Achsen simultan zur "Bahnsteuerung" koordinieren kann.
| Anmerkung 1: | Nummer 2D002 erfasst keine "Software besonders entwickelt oder geändert zur Verwendung in nicht von Kategorie 2 erfassten Werkzeugmaschinen. |
| Anmerkung 2: | Nummer 2D002 erfasst keine "Software für Maschinen, die von Nummer 2B002 erfasst werden. Zur Erfassung von "Software für MRF-Maschinen: Siehe Nummer 2D001. |
2D101 "Software", besonders entwickelt oder geändert für die "Verwendung" von Ausrüstung, erfasst von Nummer 2B104, 2B105, 2B109, 2B116, 2B117 oder 2B119 bis 2B122.
ANMERKUNG: SIEHE AUCH NUMMER 9D004.
2D201 "Software", besonders entwickelt für die "Verwendung" von Ausrüstung, erfasst von Nummer 2B204, 2B206, 2B207, 2B209, 2B219 oder 2B227.
2D202 "Software", besonders entwickelt oder geändert für die "Entwicklung", "Herstellung" oder "Verwendung" von Ausrüstung, erfasst von Nummer 2B201.
2E Technologie
2E001 "Technologie" entsprechend der Allgemeinen Technologie-Anmerkung für die "Entwicklung" von Ausrüstung oder "Software", die von Nummer 2A, 2B oder 2D erfasst wird.
2E002 "Technologie" entsprechend der Allgemeinen Technologie-Anmerkung für die "Herstellung" von Ausrüstung, die von Nummer 2A oder 2B erfasst wird.
2E003 "Technologie" wie folgt:
| a) | "Technologie" für die "Entwicklung" von interaktiver Grafik als integraler Bestandteil "numerischer Steuerungen" zur Vorbereitung oder Änderung von Teileprogrammen; | |||
| b) | "Technologie" für metallbearbeitende Fertigungsverfahren wie folgt: | |||
| 1. | "Technologie" für den Entwurf von Werkzeugen, Gesenken oder Spannvorrichtungen, besonders entwickelt für eines der folgenden Verfahren: | |||
| a) | "superplastisches Umformen", | |||
| b) | "Diffusionsschweißen"oder | |||
| c) | "hydrostatisches Umformen mit direkter Druckbeaufschlagung", | |||
| 2. | technische Daten, d.h. Verfahrensbeschreibungen oder Parameter, wie folgt, für die Verfahrenssteuerung: | |||
| a) | "superplastisches Umformen" von Aluminium-, Titan- oder "Superlegierungen": | |||
| 1. | Oberflächenbehandlung, | |||
| 2. | Dehngeschwindigkeit, | |||
| 3. | Temperatur, | |||
| 4. | Druck, | |||
| b) | "Diffusionsschweißen" von "Superlegierungen" oder Titanlegierungen: | |||
| 1. | Oberflächenbehandlung, | |||
| 2. | Temperatur, | |||
| 3. | Druck, | |||
| c) | "hydrostatisches Umformen mit direkter Druckbeaufschlagung" von Aluminium- oder Titanlegierungen: | |||
| 1. | Druck, | |||
| 2. | Dauer des Arbeitsvorgangs, | |||
| d) | "heißisostatisches Verdichten" von Titan-, Aluminium- oder "Superlegierungen": | |||
| 1. | Temperatur, | |||
| 2. | Druck, | |||
| 3. | Dauer des Arbeitsvorgangs; | |||
| c) | "Technologie" für die "Entwicklung" oder "Herstellung" von hydraulischen Streckziehpressen und dazugehörigen Formwerkzeugen zur Fertigung von Bauelementen für Flugzeugzellen; | |||
| d) | "Technologie" für die "Entwicklung" von Generatoren für die Erstellung von Steuerbefehlen für Werkzeugmaschinen (z.B. Teileprogramme) aus Konstruktionsdaten innerhalb der "numerischen Steuerungen"; | |||
| e) | "Technologie" für die "Entwicklung" von Integrations-"Software" zum Einfügen von "Expertensystemen" in "numerische Steuerungen" zur weit gehenden Unterstützung von Entscheidungen im maschinennahen Bereich; | |||
| f) | "Technologie" für das Aufbringen von anorganischen Auflageschichten oder anorganischen, oberflächenverändernden Schichten (gemäß Spalte 3 der nachstehenden Tabelle) auf Substrate für nichtelektronische Anwendungen (gemäß Spalte 2 der nachstehenden Tabelle) durch die in Spalte 1 der nachstehenden Tabelle aufgeführten und in der Technischen Anmerkung definierten Verfahren.
Anmerkung: Tabelle und Technische Anmerkung folgen nach Nummer 2E301. |
|||
2E101 "Technologie" entsprechend der Allgemeinen Technologie-Anmerkung für die "Verwendung" von Ausrüstung oder "Software", erfasst von Nummer 2B004, 2B009, 2B104, 2B109, 2B116, 2B119 bis 2B122 oder 2D101.
2E201 "Technologie" entsprechend der Allgemeinen Technologie-Anmerkung für die "Verwendung" von Ausrüstung oder "Software", erfasst von Nummer 2A225, 2A226, 2B001, 2B006, Unternummer 2B007b oder 2B007c, Nummer 2B008, 2B009, 2B201, 2B204, 2B206, 2B207, 2B209, 2B225 bis 2B232, 2D201 oder 2D202.
2E301 "Technologie" entsprechend der Allgemeinen Technologie-Anmerkung für die "Verwendung" von Waren, erfasst von Nummer 2B350 bis 2B352.
Tabelle Abscheidungsverfahren
| 1. Beschichtungsverfahren (1) (*) | 2. Substrat | 3. Schichten | |
| A) | Chemische Beschichtung aus der Gasphase (CVD-Beschichten) | "Superlegierungen" | Aluminide für Innenbeschichtungen |
| Keramik (19) und Glas mit niedriger Wärmeausdehnung (14) | Silicide
Karbide Dielektrische Schichten (15) Diamant Diamantartiger Kohlenstoff (17) |
||
| Kohlenstoff-Kohlenstoff-, Keramik- und Metall-"Matrix"-"Verbundwerkstoffe" | Silicide
Karbide Hochschmelzende Metalle Mischschichten daraus (4) Dielektrische Schichten (15) Aluminide Legierte Aluminide (2) Bornitrid |
||
| Gesintertes Wolframkarbid (16),
Siliziumkarbid (18) |
Karbide
Wolfram Mischschichten daraus (4) Dielektrische Schichten (15) |
||
| Molybdän und Molybdänlegierungen | Dielektrische Schichten (15) | ||
| Beryllium und Berylliumlegierungen | Dielektrische Schichten (15)
Diamant Diamantartiger Kohlenstoff (17) |
||
| Werkstoffe für Sensorenfenster (9) | Dielektrische Schichten (15)
Diamant Diamantartiger Kohlenstoff (17) |
||
| B) | Physikalische Beschichtung aus der Gasphase (PVD-Beschichten) durch thermisches Verdampfen (TE-PVD) | ||
| B)1. | PVD-Beschichten mittels Elektronenstrahl (EB-PVD) | "Superlegierungen" | Legierte Silicide
Legierte Aluminide (2) MCrA1X (5) modifiziertes Zirkoniumdioxid (12) Silicide Aluminide Mischschichten daraus (4) |
| Keramik (19) und Glas mit niedriger Wärmeausdehnung (14) | Dielektrische Schichten (15) | ||
| Korrosionsbeständiger Stahl (7) | MCrAlX (5)
Modifiziertes Zirkoniumdioxid (12) Mischschichten daraus (4) |
||
| Kohlenstoff-Kohlenstoff-, Keramik- und Metall-"Matrix"-"Verbundwerkstoffe" | Silicide
Karbide Hochschmelzende Metalle Mischschichten daraus (4) Dielektrische Schichten (15) Bornitrid |
||
| Gesintertes Wolframkarbid (16),
Siliziumkarbid (18) |
Karbide
Wolfram Mischschichten daraus (4) Dielektrische Schichten (15) |
||
| Molybdän und Molybdänlegierungen | Dielektrische Schichten (15) | ||
| Beryllium und Berylhumlegierungen | Dielektrische Schichten (15)
Boride Beryllium |
||
| Werkstoffe für Sensorenfenster (9) | Dielektrische Schichten (15) | ||
| Titanlegierungen (13) | Boride
Nitride |
||
| B)2 | Ionenunterstütztes PVD-Beschichten mittels Widerstandsheizung (PVD-Ionenplattieren) | Keramik (19) und Glas mit niedriger Wärmeausdehnung (14) | Dielektrische Schichten (15)
Diamantartiger Kohlenstoff (17) |
| Kohlenstoff-Kohlenstoff-, Keramik- und Metall-"Matrix"-"Verbundwerkstoffe" | Dielektrische Schichten (15) | ||
| Gesintertes Wolframkarbid (16), Siliziumkarbid | Dielektrische Schichten (15) | ||
| Molybdän und Molybdänlegierungen | Dielektrische Schichten (15) | ||
| Beryllium und Berylliumlegierungen | Dielektrische Schichten (15) | ||
| Werkstoffe für Sensorenfenster (9) | Dielektrische Schichten (15)
Diamantartiger Kohlenstoff (17) |
||
| B)3. | PVD-Beschichten: "Laser"-Verdampfung | Keramik (19) und Glas mit niedriger Wärmeausdehnung (14) | Silicide
Dielektrische Schichten (15) Diamantartiger Kohlenstoff (17) |
| Kohlenstoff-Kohlenstoff-, Keramik- und Metall-"Matrix"-"Verbundwerkstoffe" | Dielektrische Schichten (15) | ||
| Gesintertes Wolframkarbid (16), Siliziumkarbid | Dielektrische Schichten (15) | ||
| Molybdän und Molybdänlegierungen | Dielektrische Schichten (15) | ||
| Beryllium und Berylliumlegierungen | Dielektrische Schichten (15) | ||
| Werkstoffe für Sensorenfenster (9) | Dielektrische Schichten (15)
Diamantartiger Kohlenstoff |
||
| B)4. | Physikalische Abscheidung aus der Gasphase (PVD): Kathodenzerstäubung durch Bogenentladung (Arc-Verdampfen) | "Superlegierungen" | Legierte Silicide
Legierte Aluminide (2) MCrA1X (5) |
| Polymere (11) und "Verbundwerkstoffe" mit organischer "Matrix" | Boride
Karbide Nitride Diamantartiger Kohlenstoff (17) |
||
| C) | Pack-Beschichten (Pack-Beschichten ohne direkten Pulverkontakt (outof-pack) (10): Siehe oben unter A) | Kohlenstoff-Kohlenstoff-, Keramik- und Metall-"Matrix"-"Verbundwerkstoffe" | Silicide
Karbide Mischschichten daraus (4) |
| Titanlegierungen (13) | Silicide
Aluminide Legierte Aluminide (2) |
||
| Hochschmelzende Metalle und Legierungen (8) | Silicide
Oxide |
||
| D) | Plasmaspritzen | "Superlegierungen" | MCrA1X (5)
Modifiziertes Zirkoniumdioxid (12) Mischschichten daraus (4) Nickel-Grafit-Einlaufbeläge Ni-Cr-Alhaltige Einlaufbeläge Al-Si-Polyester-Einlaufbeläge Legierte Aluminide (2) |
| Aluminiumlegierungen (6) | MCrA1X (5)
Modifiziertes Zirkoniumdioxid (12) Silicide Mischschichten daraus (4) |
||
| Hochschmelzende Metalle und Legierungen (8) | Aluminide
Silicide Karbide |
||
| Korrosionsbeständiger Stahl (7) | MCrA1X (5)
Modifiziertes Zirkoniumdioxid (12) Mischschichten daraus (4) |
||
| Titanlegierungen (13) | Karbide
Aluminide Silicide Legierte Aluminide (2) Nickel-Grafit-Einlaufbeläge Ni-Cr-Alhaltige Einlaufbeläge Al-Si-Polyester-Einlaufbeläge |
||
| E) | Schlickerbeschichten | Hochschmelzende Metalle und Legierungen (8) | Aufgeschmolzene Silicide
Aufgeschmolzene Aluminide, ausgenommen für Widerstandsheizelemente |
| Kohlenstoff-Kohlenstoff-, Keramik-
und Metall-"Matrix"-"Verbundwerkstoffe" |
Silicide
Karbide Mischschichten daraus (4) |
||
| F) | Kathodenzerstäubungsbeschichtung (Sputtern/Aufstäuben) | "Superlegierungen" | Legierte Silicide
Legierte Aluminide (2) Mit Edelmetallen modifizierte Aluminide (3) MCrA1X (5) Modifiziertes Zirkoniumdioxid (12) Platin Mischschichten daraus (4) |
| Keramik und Glas mit niedriger Wärmeausdehnung (14) | Silicide
Platin Mischschichten daraus (4) Dielektrische Schichten (15) Diamantartiger Kohlenstoff (17) |
||
| Titanlegierungen (13) | Boride
Nitride Oxide Silicide Aluminide Legierte Aluminide (2) Karbide |
||
| Kohlenstoff-Kohlenstoff-, Keramik- und Metall-"Matrix"-"Verbundwerkstoffe" | Silicide
Karbide Hochschmelzende Metalle Mischschichten daraus (4) Dielektrische Schichten (15) Bornitrid |
||
| Gesintertes Wolframkarbid (16), Siliziumkarbid (18) | Karbide
Wolfram Mischschichten daraus (4) Dielektrische Schichten (15) Bornitrid |
||
| Molybdän und Molybdänlegierungen | Dielektrische Schichten (15) | ||
| Beryllium und Berylliumlegierungen | Boride
Dielektrische Schichten (15) Beryllium |
||
| Werkstoffe für Sensorenfenster (9) | Dielektrische Schichten (15)
Diamantartiger Kohlenstoff (17) |
||
| Hochschmelzende Metalle und Legierungen (8) | Aluminide
Silicide Oxide Karbide |
||
| G) | Ionenimplantation | Hochwarmfeste Lagerstähle | Zusatz von Chrom, Tantal oder Niob (Columbium) |
| Titanlegierungen (13) | Boride
Nitride |
||
| Beryllium und Berylliumlegierungen Gesintertes Wolframkarbid (16) | Boride
Karbide Nitride |
||
(*) Die in Klammern gesetzten Ziffern verweisen auf nachstehende Anmerkungen zu dieser Tabelle.
Anmerkungen zur Tabelle - Abscheidungsverfahren
| 1. | Die "Beschichtungsverfahren" schließen das Ausbessern und Erneuern von Schichten ebenso ein wie die Originalbeschichtung. | |
| 2. | "Legierte Aluminid" -Beschichtung schließt das Beschichten nach Einzel- oder Mehrschrittverfahren ein, bei denen ein oder mehrere Elemente vor oder während des Aufbringen der Aluminid-Schicht abgeschieden werden, selbst wenn diese Elemente nach einem anderen Beschichtungsverfahren aufgebracht werden. Es schließt jedoch nicht die mehrfache Anwendung von Einzelschritt-Packbeschichtungsverfahren zur Erzielung von legierten Aluminidschichten ein. | |
| 3. | "Mit Edelmetallen modifizierte Aluminid"-Beschichtung schließt die Mehrschrittbeschichtungen ein, bei denen das Edelmetall oder die Edelmetalle vor der Aluminidschicht durch ein anderes Beschichtungsverfahren aufgebracht wird/werden. | |
| 4. | Der Ausdruck "Mischschichten daraus" schließt infiltrierten Werkstoff, abgestufte Zusammensetzungen, Simultanabscheidungen und Mehrschichten-Abscheidungen ein. Sie werden durch Anwendung eines oder mehrerer der in der Tabelle aufgeführten Beschichtungsverfahren hergestellt. | |
| 5. | "MCrA13C bezieht sich auf eine Beschichtungslegierung, bei der"M" für Cobalt, Eisen, Nickel oder Kombinationen aus diesen Elementen und "X" für Hafnium, Yttrium, Silizium, Tantal in jeder gewünschten Menge oder für sonstige beabsichtigte Zusätze über 0,01 Masseprozent in unterschiedlichen Verhältnissen und Mischungen steht, ausgenommen | |
| a) | CoCrAlY-Schichten, die weniger als 22 Masseprozent Chrom, weniger als 7 Masseprozent Aluminium und weniger als 2 Masseprozent Yttrium enthalten, | |
| b) | CoCrAlY-Schichten, die 22 bis 24 Masseprozent Chrom, 10 bis 12 Masseprozent Aluminium und 0,5 bis 0,7 Masseprozent Yttrium enthaltenoder | |
| c) | NiCrAlY-Schichten, die 21 bis 23 Masseprozent Chrom, 10 bis 12 Masseprozent Aluminium und 0,9 bis 1,1 Masseprozent Yttrium enthalten. | |
| 6. | "Aluminiumlegierungen" beziehen sich auf Legierungen mit einer Zugfestigkeit von 190 MPa oder mehr, gemessen bei einer Temperatur von 293 K (20 °C). | |
| 7. | "Korrosionsbeständige Stähle" beziehen sich auf Stähle der AISI-Nummernreihe 300 (AISI = American Iron and Steel Institute) oder Stähle vergleichbarer nationaler Normen. | |
| 8. | "Hochschmelzende Metalle und Legierungen" schließen die folgenden Metalle und ihre Legierungen ein: Niob (Columbium), Molybdän, Wolfram und Tantal. | |
| 9. | "Werkstoffe für Sensorenfenster" wie folgt: Aluminiumoxid, Silizium, Germanium, Zinksulfid, Zinkselenid, Galliumarsenid, Diamant, Galliumphosphid, Saphir und die folgenden Metallhalogenide: Werkstoffe für Sensorenfenster mit einem Durchmesser von mehr als 40 mm bei Zirkoniumfluorid und Hafniumfluorid. | |
| 10. | Kategorie 2 erfasst nicht die "Technologie" für das Pack-Beschichten im Einzelschrittverfahren von massiven Turbinenschaufelblättern. | |
| 11. | "Polymere" wie folgt: Polyimid, Polyester, Polysulfid, Polycarbonate und Polyurethane. | |
| 12. | "Modifiziertes Zirkoniumdioxid" bezieht sich auf Zirkoniumdioxid mit Zusätzen von anderen Metalloxiden (z.B. Kalzumoxid, Magnesiumo)id, Yttriumoxid, Hafniumoxid, Seltenerdoxide) zur Stabilisierung bestimmter Kristallphasen und Phasenzusammensetzungen. Wärmedämmschichten aus Zirkoniumdioxid, das durch Mischung oder Verschmelzung mit Kalzumoxid oder Magnesiumoxid modifiziert wurde, werden nicht erfasst. | |
| 13. | "Titanlegierungen" beziehen sich nur auf in der Luft- und Raumfahrt verwendete Legierungen, die über eine Zugfestigkeit von 900 MPa oder mehr verfügen, gemessen bei einer Temperatur von 293 K (20 °C). | |
| 14. | "Glas mit niedriger Wärmeausdehnung" bezieht sich auf Glas mit einem Wärmeausdehnungskoeffizienten von 1 * 10-7 K-1 oder weniger, gemessen bei einer Temperatur von 293 K (20 °C). | |
| 15. | "Dielektrische Schichten" sind Mehrfachschichten aus Isolierstoffen, wobei die Interferenzeigenschaften eines Schichtsystems, das aus Werkstoffen mit unterschiedlichem Brechungsindex besteht, zur Reflexion, Transmission oder Absorption von Wellen verschiedener Längenbereiche verwendet werden. "Dielektrische Schichten" bestehen aus mehr als vier dielektrischen Lagen oder mehr als vier Dielektrikum/Metall-"Verbundwerkstoff" lagen. | |
| 16. | "Gesintertes Wolframkarbid" bezieht sich nicht auf Werkstoffe für Schneid- und Formwerkzeuge aus Wolframkarbidj(Cobalt, Nickel), Titankarbidj(Cobalt, Nickel), Chromkarbid/Nickel-Chrom und Chromkarbid/Nickel. | |
| 17. | "Technologie", besonders entwickelt zum Abscheiden von diamantartigem Kohlenstoff auf den folgenden Gegenständen, unterliegt nicht der Ausfuhrgenehmigungspflicht:
Festplatten und Festplattenköpfe, Ausrüstung für die Herstellung von Einwegartikeln, Ventile für Wasserhähne, Lautsprechermembranen, Teile für Automobilmotoren, spangebende Werkzeuge, Stanz- und Presswerkzeuge, Ausrüstung für Büroautomation, Mikrofone, medizinische Geräte oder Formen für das Gießen oder Spritzen von Plastik, wenn sie aus Legierungen hergestellt sind, die weniger als 5 % Beryllium enthalten. |
|
| 18. | "Siliziumkarbid" schließt nicht Materialien für spannende und umformende Werkzeuge ein. | |
| 19. | Keramiksubstrate, wie sie in dieser Position benutzt werden, beinhalten nicht Keramikmaterialien mit einem Anteil größengleich 5 Gew. % an Lehm oder Bindemittel als separater Bestandteil oder als Kombination. | |
Technische Anmerkung zur Tabelle - Abscheidungsverfahren
Die in Spalte 1 der Tabelle angegebenen Verfahren sind wie folgt definiert:
| a) | Chemische Beschichtung aus der Gasphase (CVD-Beschichten) ist ein Verfahren zum Aufbringen von Auflageschichten oder oberflächenverändernden Schichten, bei dem ein Metall, eine Legierung, ein "Verbundwerkstoff", ein Dielektrikum oder Keramik auf einem erhitzten Substrat abgeschieden wird. Gasförmige Reaktanten werden im oberflächennahen Bereich eines Substrats zersetzt oder verbunden, wobei der gewünschte Schichtstoff als Element, Legierung oder Verbindung auf dem Substrat abgeschieden wird. Die für die Zersetzung oder chemische Reaktion benötigte Energie wird entweder durch die Hitze des Substrats, durch die elektrische Entladung in einem Glimmlichtplasma oder durch "Laser" strahlen geliefert. | |
| Anmerkung 1: | Das CVD-Beschichten schließt folgende Verfahren ein: Abscheidung mittels gerichtetem Gasfluss ohne direkten Pulverkontakt des Substrats (out of pack), CVD-Beschichten mit pulsierendem Druck, thermische Zersetzung mit geregelter Keimbildung (CNTD), plasmaverstärktes oder -unterstütztes CVD-Beschichten. | |
| Anmerkung 2: | Pack-Beschichten bedeutet, dass ein Substrat in ein Pulvergemisch eingebettet wird. | |
| Anmerkung 3: | Die beim Outof-Pack-Verfahren verwendeten gasförmigen Reaktanten werden mit denselben Hauptreaktionen und Parametern erzeugt wie beim Pack-Beschichten, mit der Ausnahme, dass das zu beschichtende Substrat keinen Kontakt mit dem Pulvergemisch hat. | |
| b) | Physikalische Beschichtung aus der Gasphase durch thermisches Verdampfen (TE-PVD = thermal evaporation physical vapour deposition) ist ein Beschichtungsverfahren zur Herstellung von Auflageschichten in einem Vakuum bei einem Druck von weniger als 0,1 Pa, wobei Wärmeenergie zum Verdampfen des Schichtwerkstoffes eingesetzt wird. Bei diesem Verfahren wird das dampfförmige Beschichtungsmaterial durch Kondensation oder Abscheidung auf entsprechend positionierten Substraten aufgebracht.
Die Zufuhr von Gasen in die Vakuumkammer während des Beschichtungsvorgangs zum Zwecke der Synthese von zusammengesetzten Schichten ist eine übliche Variante dieses Verfahrens. Die Verwendung von Ionen- oder Elektronenstrahlen odervon Plasma zur Einleitung oder Förderung des Abscheidungsvorgangs ist ebenfalls eine übliche Variante dieses Verfahrens. Der Einsatz von Monitoren zur Messung der optischen Eigenschaften und der Schichtdicke während des Beschichtungsvorgangs kann ein Merkmal dieser Verfahren sein. Spezifische TE-PVD-Verfahren sind folgende: |
|
| 1. | Beim PVD-Beschichten mittels Elektronenstrahl wird das Beschichtungsmaterial mittels Elektronenstrahl erhitzt und verdampft. | |
| 2. | Beim PVD-Beschichten mittels ionenunterstützter Widerstandsheizung werden Heizquellen mit elektrischem Widerstand in Kombination mit auftreffendem(n) Ionenstrahl(en) verwendet, mit dem ein kontrollierter und gleichmäßiger Fluss aus verdampftem Beschichtungsmaterial erzeugt wird. | |
| 3. | Bei der "Laser"-Verdampfung werden zum Verdampfen des Beschichtungsmaterials Impuls"laser" oder Dauerstrich-"Laser" verwendet. | |
| 4. | Bei der Kathodenzerstäubung durch Bogenentladung (Arc-Verdampfen) wird eine selbstverzehrende Kathode verwendet, die aus dem Beschichtungsmaterial besteht. Dabei wird durch den Momentkontakt einer geerdeten Zündelektrode auf der Kathodenoberfläche eine Lichtbogenentladung ausgelöst. Durch die kontrollierte Bewegung des Lichtbogens wird die Kathodenoberfläche abgetragen, wobei ein hochionisiertes Plasma entsteht. Als Anode kann entweder ein am Rande der Kathode über einem Isolator angebrachter Kegel oder die Kammer selbst verwendet werden. Bei nicht geradliniger Abscheidung wird an das Substrat eine Vorspannung angelegt. | |
| Anmerkung:
Diese Definition beinhaltet nicht die Kathodenzerstäubungsabscheidung mit unkontrollierter Bogenentladung und Substraten ohne Vorspannung. |
||
| 5. | Ionenplattieren ist eine spezielle Variante eines allgemeinen TE-PVD-Verfahrens, bei dem ein Plasma oder eine Ionenquelle zur Ionisierung des Beschichtungsmaterials verwendet und an das Substrat eine negative Vorspannung angelegt wird, um die Abscheidung des Beschichtungsmaterials aus dem Plasma zu fördern. Die Einbringung von reaktiven Stoffen, die Verdampfung von Feststoffen im Reaktionsbehälter und der Einsatz von Monitoren zur Messung der optischen Eigenschaften und der Schichtdicke während des Beschichtungsvorgangs sind übliche Varianten dieses Verfahrens. | |
| c) | Pack-Beschichten ist ein Verfahren zur Herstellung von oberflächenverändernden Schichten oder Auflageschichten, bei dem das Substrat in ein Pulvergemisch eingebettet wird, das aus folgenden Stoffen besteht: | |
| 1. | den Metallpulvern, die abgeschieden werden sollen (normalerweise Aluminium, Chrom, Silizium oder Gemische daraus), | |
| 2. | einem Aktivator (normalerweise ein Halogenid) und | |
| 3. | einem inerten Pulver, in der Regel Aluminiumoxid. | |
| Das Substrat und das Pulvergemisch befinden sich in einer Retorte, die auf eine Temperatur zwischen 1030 K (757 °C) und 1 375 K (1102 °C) erhitzt wird, wobei die Haltezeit ausreichend bemessen sein muss, um die Beschichtung abzuscheiden. | ||
| d) | Plasmaspritzen ist ein Verfahren zur Herstellung von Auflageschichten, wobei mit einer Plasmaspritzpistole, die ein Plasma erzeugt und regelt, Spritzwerkstoffe in Pulver- oder Drahtform aufgenommen, aufgeschmolzen und auf die Oberfläche des Substrats geschleudert werden. Dabei entsteht auf dem Substrat eine homogene, gut haftende Schicht. Plasmaspritzen bezieht sich auf Niederdruckplasmaspritzen oder Hochgeschwindigkeitsplasmaspritzen. | |
| Anmerkung 1 | Niederdruck bezeichnet einen Druck unterhalb des normalen Atmosphärendrucks. | |
| Anmerkung 2 | Hochgeschwindigkeit bezieht sich auf eine Gasgeschwindigkeit am Düsenaustritt von mehr als 750 m/s, bei einer Temperatur von 293 K (20 °C) und einem Druck von 0,1 MPa. | |
| e) | Schlickerbeschichten (Aufbringen von Schichten durch Aufschlämmen) ist ein Verfahren zur Herstellung von oberflächenverändernden Schichten oder Auflageschichten, bei dem ein Metall- oder Keramikpulver zusammen mit einem organischen Binder in einer Flüssigkeit suspendiert und durch Aufspritzen, Tauchen oder Aufpinseln auf ein Substrat aufgebracht wird. Die gewünschte Schicht wird anschließend durch Luft- oder Ofentrocknung und Wärmebehandlung gebildet. | |
| f) | Kathodenzerstäubungsbeschichtung (Sputtern/Aufstäuben) ist ein Verfahren zur Herstellung von Auflageschichten, das auf dem Prinzip der Impulsübertragung beruht. Dabei werden positiv geladene Ionen mit Hilfe eines elektrischen Feldes auf die Oberfläche eines targets (Beschichtungsmaterial) geschossen. Die Bewegungsenergie der auftreffenden Ionen reicht aus, um Atome aus der Oberfläche des targets herauszulösen, die sich auf einem entsprechend angebrachten Substrat niederschlagen. | |
| Anmerkung 1: | Die Tabelle bezieht sich ausschließlich auf das Abscheiden mittels Trioden- oder Magnetronanlagen oder reaktivem Aufstäuben, wodurch die Haftfestigkeit der Schicht und die Beschichtungsrate erhöht werden, sowie auf das beschleunigte Aufstäuben mittels einer am target anliegenden HF-Spannung, wodurch nichtmetallische Schichtwerkstoffe zerstäubt werden können. | |
| Anmerkung 2: | Ionenstrahlen mit niedriger Energie (weniger als 5 keV) können verwendet werden, um die Abscheidung zu aktivieren. | |
| g) | Ionenimplantation ist ein oberflächenveränderndes Beschichtungsverfahren, bei dem das zu legierende Element ionisiert, durch ein Spannungsgefälle beschleunigt und in die Oberfläche des Substrats implantiert wird. Dies schließt Verfahren ein, bei denen neben der Ionenimplantation gleichzeitig das PVD-Beschichten mittels Elektronenstrahl und das Sputtern/Aufstäuben zur Anwendung kommen. | |
KATEGORIE 3
ALLGEMEINE ELEKTRONIK
3A Systeme, Ausrüstung und Bestandteile
| Anmerkung 1: | Die Erfassung der in den Nummern 3A001 oder 3A002 - ohne die Unternummern 3A001a3 bis 3A001a10 oder 3A001a12 - beschriebenen Ausrüstung, Baugruppen und Bauelemente, die besonders konstruiert sind oder dieselben Funktionsmerkmale wie andere Waren aufweisen, richtet sich nach deren Erfassungsstatus. | |
| Anmerkung 2: | Die Erfassung der in den Unternummern 3A001a3 bis 3A001a9 oder 3A001a12 beschriebenen integrierten Schaltungen, die festprogrammiert sind oder für eine bestimmte Funktion entwickelt wurden, richtet sich nach dem Erfassungsstatus der Waren, in denen sie verwendet werden. | |
| Ergänzende Anmerkung: | Wenn der Hersteller oder Ausführer den Erfassungsstatus der anderen für die Endbenutzung vorgesehenen Ware nicht festlegen kann, richtet sich die Erfassung der integrierten Schaltungen nach den Unternummern 3A001a3 bis 3A001a9 oder 3A001a12.
Ist die integrierte Schaltung aus Silizium und ein "Mikrocomputer" oder Mikrocontroller gemäß Unternummer 3A001a3 mit einer Datenwortlänge von kleiner/gleich 8 bit, gelten die Grenzwerte von Unternummer 3A001a3. |
|
3A001 Elektronische Bauelemente und Baugruppen wie folgt:
| a) | integrierte Schaltungen für allgemeine Anwendungen wie folgt: | |||
| Anmerkung 1:
Die Erfassung von (fertigen oder noch nichtfertigen) Wafern, deren Funktion festliegt, richtet sich nach den Parametern von Unternummer 3A001a. |
||||
| Anmerkung 2:
Zu den integrierten Schaltungen gehören: "monolithisch integrierte Schaltungen", "integrierte Hybrid-Schaltungen", "integrierte Multichip-Schaltungen", "integrierte Schichtschaltungen" einschließlich integrierter Schaltungen in SOS-Technologie, "integrierte optische Schaltungen". |
||||
| 1. | integrierte Schaltungen, entwickelt oder ausgelegt für eine der folgenden Strahlungsfestigkeiten: | |||
| a) | Gesamtdosis größengleich 5 * 103 Gy (Silizium), | |||
| b) | Dosisrate größengleich 5 * 106 Gy (Silizium)/soder | |||
| c) | integrierter Teilchenfluss (integrated flux) der Neutronen (1 MeV-Äquivalent) größengleich 5 * 1013 n/cm2 bezogen auf Silizium oder der äquivalente Wert für andere Materialien, | |||
| Anmerkung:
Unternummer 3A001a1c gilt nicht für Metall/Isolator/Halbleiter-Strukturen (MIS-Strukturen). |
||||
| 2. | "Mikroprozessoren", "Mikrocomputer", Mikrocontroller, elektrisch löschbare, programmierbare Festwertspeicher (EEPROMs), Flash-Speicher, statische Speicher (SRAM), aus einem Verbindungshalbleiter hergestellte integrierte Speicherschaltungen, Analog-Digital-Wandler, Digital-Analog-Wandler, elektrooptische oder "integrierte optische Schaltungen" für die "Signaldatenverarbeitung", anwenderprogrammierbare Logikschaltkreise (FPLDs), integrierte Schaltungen für neuronale Netze, kundenspezifische integrierte Schaltungen, deren Funktion oder deren Erfassungsstatus in Bezug auf die Endbenutzergeräte unbekannt ist, oder FFT-Prozessoren (Fast Fourier Transform) mit einer der folgenden Eigenschaften: | |||
| a) | ausgelegt für eine Betriebstemperatur über 398 K (+ 125 °C), | |||
| b) | ausgelegt für eine Betriebstemperatur unter 218 K (- 55 °C)oder | |||
| c) | ausgelegt für einen Bereich von 218 K (- 55 °C) bis 398 K (+ 125 °C), | |||
| Anmerkung:
Unternummer 3A001a2 gilt nicht für integrierte Schaltungen, die in zivilen Kraftfahrzeugen oder Eisenbahnzügen verwendet werden. |
||||
| 3. | "Mikroprozessoren", "Mikrocomputer" und Mikrocontroller, hergestellt aus einem Verbindungshalbleiter und mit einer Taktfrequenz größer als 40 MHz, | |||
| Anmerkung:
Unternummer 3A001a3 schließt digitale Signal-Prozessoren, Vektorprozessoren und Coprozessoren ein. |
||||
| 4. | Speicherschaltungen aus einem Verbindungshalbleiter, | |||
| 5. | Analog-Digital- und Digital-Analog-Wandlerschaltungen wie folgt: | |||
| a) | Analog-Digital-Wandler mit einer der folgenden Eigenschaften:
ANMERKUNG: SIEHE AUCH NUMMER 3A101. |
|||
| 1. | Auflösung größengleich 8 bit, aber kleiner als 10 bit, mit einer Ausgaberate größer als 500 Millionen Ausgabewörter pro Sekunde, | |||
| 2. | Auflösung größengleich 10 bit, aber kleiner als 12 bit, mit einer Ausgaberate größer als 200 Millionen Ausgabewörter pro Sekunde, | |||
| 3. | Auflösung von 12 bit mit einer Ausgaberate größer als 105 Millionen Ausgabewörter pro Sekunde, | |||
| 4. | Auflösung größer als 12 bit, aber kleinengleich 14 bit, mit einer Ausgaberate größer als 10 Millionen Ausgabewörter pro Sekunde oder | |||
| 5. | Auflösung größer als 14 bit mit einer Ausgaberate größer als 2,5 Millionen Ausgabewörter pro Sekunde, | |||
| b) | Digital-Analog-Wandler mit einer Auflösung größengleich 12 bit und einer "Einstellzeit" (settling time) kleiner als 10 ns, | |||
| Technische Anmerkungen: | ||||
| 1. | Eine Auflösung von n Bit entspricht einer Quantisierung von 2° Zuständen. | |||
| 2. | Die Anzahl der Bits im Ausgabewort ist gleich der Auflösung des Analog-Digital-Wandlers. | |||
| 3. | Die Ausgaberate ist die maximale Ausgaberate des Konverters, ungeachtet der Architektur oder der Übertastung (oversampling). Anbieter können die Ausgaberate auch als Abtastrate (sampling rate), Wandlungsrate (conversion rate) oder Durchsatzrate (throughput rate) bezeichnen. Sie wird oft in Megahertz (MHz) oder Megasample pro Sekunde (MSPS) angegeben. | |||
| 4. | Zum Zwecke der Messung der Ausgaberate entspricht ein Datenwort pro Sekunde einem Hertz oder einem Sample pro Sekunde. | |||
| 6. | elektrooptische oder "integrierte optische Schaltungen", entwickelt für die "Signaldatenverarbeitung" mit allen folgenden Eigenschaften: | |||
| a) | mit einer oder mehreren internen "Laser"-Diode(n), | |||
| b) | mit einem oder mehreren internen lichtempfindlichen Element(en) und | |||
| c) | mit optischen Strahlführungselementen, | |||
| 7. | anwenderprogrammierbare Logikschaltkreise (FPLDs) mit einer der folgenden Eigenschaften: | |||
| a) | nutzbares Gatteräquivalent (equivalent usable gate count) größer als 30000 (Gatter mit zwei Eingängen), | |||
| b) | typische "Signallaufzeit des Grundgatters" (basic gate propagation delay time) kleiner als 0,1 nsoder | |||
| c) | Umschalt-Frequenz (toggle frequency) größer als 133 MHz, | |||
Anmerkung: Unternummer 3A001a7 schließt ein:
- SPLDs (Simple Programmable Logic Devices), |
||||
| Ergänzende Anmerkung: FPLAs und FPGAs werden auch FPLDs (Field Programmable Logic Devices) genannt. | ||||
| 8. | nicht belegt, | |||
| 9. | integrierte Schaltungen für neuronale Netze, | |||
| 10. | kundenspezifische integrierte Schaltungen, deren Funktion unbekannt ist oder deren Erfassungsstatus in Bezug auf die Endbenutzergeräte dem Hersteller nicht bekannt ist, mit einer der folgenden Eigenschaften: | |||
| a) | mehr als 1000 Anschlüsse, | |||
| b) | typische "Signallaufzeit des Grundgatters" (basic gate propagation delay time) kleiner als 0,1 nsoder | |||
| c) | Betriebsfrequenz größer als 3 GHz, | |||
| 11. | andere als die in den Unternummern 3A001a3 bis 3A001a10 oder 3A001a12 beschriebenen digitalen, integrierten Schaltungen, die auf einem Verbindungshalbleiter basieren und eine der folgenden Eigenschaften aufweisen: | |||
| a) | Gatteräquivalent (equivalent gate count) größer als 3000 (Gatter mit zwei Eingängen)oder | |||
| b) | Umschalt-Frequenz (toggle frequency) größer als 1,2 GHz, | |||
| 12. | FFT-Prozessoren (Fast Fourier Transform), ausgelegt für eine komplexe FFT mit n Punkten in weniger als n * log2n)/20 480 ms; | |||
| Technische Anmerkung:
Wenn n gleich 1024 ist, dann ergibt die Formel in 3A001a12 eine Berechnungszeit von 500 µs. |
||||
| |
weiter . | |
(Stand: 24.11.2023)
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