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Kategorie 2 - Werkstoffbearbeitung

2A Systeme, Ausrüstung und Bestandteile

Anmerkung:
Geräuscharme Lager: siehe Liste für Waffen, Munition und Rüstungsmaterial (Teil 1 A).

2A001

[W]

Wälzlager und Lagersysteme wie folgt und Bestandteile hierfür:

Anmerkung:
Nummer 2A001 erfasst nicht Kugeln mit einer vom Hersteller spezifizierten Toleranz gemäß ISO 3290 Grad 5 oder schlechter.

[M]

a) Kugel- und Rollenlager mit allen vom Hersteller spezifizierten Toleranzen gemäß ISO 492 Klasse 4 (oder ANSI/ABMa Std 20 Toleranz Klasse ABEC-7 oder RBEC-7 oder vergleichbaren nationalen Normen) oder besser und bei denen sowohl Ringe als auch Wälzkörper (ISO 5593) aus Monel-Metall oder Beryllium sind;

Anmerkung:
Unternummer 2A001 a erfasst nicht Kegelrollenlager.
[M]  
b) andere Kugel- und Rollenlager mit allen vom Hersteller spezifizierten Toleranzen gemäß ISO 492 Klasse 2 (oder ANSI/ABMa Std 20 Toleranz Klasse ABEC-9 oder RBEC-9 oder vergleichbaren nationalen Normen) oder besser;

Anmerkung:
Unternummer 2.A001 b erfasst nicht Kegelrollenlager.
c) aktive Magnetlagersysteme mit einer der folgenden Eigenschaften:
  1. Einsatz von Materialien mit einer magnetischen Flussdichte größer/gleich 2,0 T und einer Streckgrenze größer als 414 MPa,
  2. Verwendung von vollelektromagnetischen 3D homopolar vormagnetisierten Konstruktionen für Aktuatorenoder
  3. Verwendung von Hochtemperatur (450 K [177°C] und höher)-Positionssensoren.

2A225

[N]

Tiegel aus Materialien, die gegen flüssige Aktiniden-Metalle resistent sind, wie folgt:

a) Tiegel mit allen folgenden Eigenschaften:
  1. Fassungsvermögen von 150 cm3 bis 8.000 cm3und
  2. hergestellt aus oder ausgekleidet mit einem der folgenden Materialien der Reinheit größer/gleich 98 Gew.-%:
    a) Kalziumfluorid (Ca F2),
    b) Kalziummetazirkonat (Ca Zr O3),
    c) Cersulfid (Ce2 ST),
    d) Erbiumoxid (Er203),
    e) Hafniumoxid (Hf O2),
    f) Magnesiumoxid (Mg O),
    g) nitridhaltige Niob-Titan-Wolfram-Legierungen (etwa 50 % Nb, 30 % Ti, 20 % W),
    h) Yttriumoxid (Y2O3) oder
    i) Zirkondioxid (Zr O2);
b) Tiegel mit allen folgenden Eigenschaften:
  1. Fassungsvermögen von 50 cm3 bis 2.000 cm3und
  2. hergestellt aus oder ausgekleidet mit Tantal der Reinheit größer/gleich 99,9 Gew.-%;
c) Tiegel mit allen folgenden Eigenschaften:
  1. Fassungsvermögen von 50 cm3 bis 2.000 cm3,
  2. hergestellt aus oder ausgekleidet mit Tantal der Reinheit größer/gleich 98 Gew.-%und
  3. beschichtet mit Tantalkarbid, Tantalnitrid oder Tantalborid oder jeder Kombination hieraus.

2A226

[N]

Ventile mit allen folgenden Eigenschaften:

  1. "Nennweite" größer/gleich 5 mm,
  2. mit Federbalgabdichtungund
  3. ganz aus Aluminium, Aluminiumlegierungen, Nickel oder Nickellegierungen mit mehr als 60 Gew.-% Nickel hergestellt oder damit ausgekleidet.

Technische Anmerkung:
Bei Ventilen mit unterschiedlichem Einlass- und Auslassdurchmesser bezieht sich die in Nummer 2A226 genannte ,Nennweite" auf den kleineren der beiden Durchmesser.

2A991

Hydraulische, pneumatische, hydropneumatische und elektropneumatische sowie elektrohydraulische Teile und Systeme für Waffen und Waffensysteme, wenn Käufer- oder Bestimmungsland der Irak ist.

2B Prüf-, Test- und Herstellungseinrichtungen

Technische Anmerkungen:

1. In der Summe der bahnsteuerungsfähigen Achsen werden zweite parallele, bahnsteuerungsfähige Achsen nicht gezählt, z.B. die W-Achse in Horizontal-Bohrwerken oder ein zweiter Rundtisch, dessen Mittelpunktslinie parallel zu der des ersten Rundtisches verläuft. Als Rundachsen werden auch solche Achsen bezeichnet, die nicht 360° drehen können. Eine Rundachse kann von Linearsystemen angetrieben werden, z.B. einer Schraube oder einem Zahnrad und einer Zahnstange.
2 Im Sinne der Nummer 2B sind als Achsen zur simultanen " Bahnsteuerung" nur die Achsen zu zählen, entlang deren oder um welche während der Bearbeitung des Werkstücks simultane und in Wechselbeziehung stehende Bewegungen zwischen Werkstück und Werkzeug durchgeführt werden. Nicht mitzuzählen sind weitere Achsen, entlang deren oder um welche andere Relativbewegungen innerhalb der Maschine durchgeführt werden, wie z.B.:
  a) Schleifscheiben-Abrichtsysteme in Schleifmaschinen,
  b) parallele Rundachsen, konstruiert zur separaten Aufspannung von Werkstücken,
  c) Achsen von Gegenspindeln zur Handhabung eines Werkstücks beim Einspannen in ein Futter an unterschiedlichen Werkstückseiten.
3. Die Achsenbezeichnungen entsprechen der Internationalen Norm ISO 841, Numerisch gesteuerte Maschinen - Achsen- und Bewegungsbezeichnungen.
4. Im Sinne der Nummern 2B001 bis 2B009 zählt eine " Schwenkspindel" als Rundachse.
5. Als Alternative zu individuellen Testprotokollen können für jedes Werkzeugmaschinenmodell ,amtliche Werte für die Positioniergenauigkeit" herangezogen werden, die aus Messungen nach ISO 230/2 (1988) * oder entsprechenden nationalen Normen hergeleitet werden. Der "amtliche Wert für die Positioniergenauigkeit" bezeichnet den Genauigkeitswert, der mit den zuständigen Behörden des Mitgliedstaates, in dem der Ausführer niedergelassen ist, als repräsentativ für die Genauigkeit eines speziellen Maschinenmodells festgestellt wird.

Bestimmung der ,amtlichen Werte für die Positioniergenauigkeit":
  a) Auswahl von fünf Maschinen eines zu bewertenden Modells.
  b) Messung der Genauigkeiten entlang der Linearachse nach ISO 230/2 (1988) *.
  c) Bestimmung der A-Werte für jede Achse jeder Maschine. Das Verfahren für die Berechnung des A-Wertes ist in der ISO-Norm beschrieben.
  d) Bestimmung des Mittelwertes des A-Wertes für jede Achse. Dieser Mittelwert Ä-Wert wird der amtliche Wert für jede Achse des Modells (Âx, Ây, ...).
  e) Da sich die Liste der Kategorie 2 auf jede Linearachse bezieht, gibt es für jede Linearachse einen entsprechenden amtlichen Wert.
  f) Hat eine Achse eines Maschinenmodells, das nicht von den Unternummern 2B001a bis 2B001c oder von Nummer 2B201 erfasst wird, einen amtlichen Wert für die Genauigkeit  von 0,006 mm bei Schleifmaschinen und 0,008 mm bei Fräs- und Drehmaschinen oder bessere Werte, ist der Hersteller aufgefordert, den Genauigkeitswert alle 18 Monate zu bestätigen.

2B001

[W]

Werkzeugmaschinen und eine beliebige Kombination von diesen, für das Abtragen (oder Schneiden) von Metallen, Keramiken oder "Verbundwerkstoffen", die gemäß den technischen Spezifikationen des Herstellers mit elektronischen Geräten zur "numerischen Steuerung" ausgerüstet werden können, und besonders konstruierte Bestandteile wie folgt:

Anmerkung:
Siehe auch Nummer 2B201.

Anmerkung 1:
Nummer 2B001 erfasst keine speziellen Werkzeugmaschinen zur Bearbeitung von Zahnrädern. Für diese Maschinen siehe Nummer 2B003.

Anmerkung 2:
Nummer 2B001 erfasst keine speziellen Werkzeugmaschinen zur Bearbeitung eines der folgenden Teile:

  1. Kurbelwellen oder Nockenwellen,
  2. Schneidwerkzeuge,
  3. Extruderschneckenoder
  4. Gravierteile oder Juwelierwaren.

Anmerkung 3:
Eine Werkzeugmaschine, die mindestens zwei der drei Bearbeitungsverfahren Drehen, Fräsen oder Schleifen kombiniert (z.B. eine Drehmaschine mit Fräsfunktion), muss nach jeder der zutreffenden Unternummern 28001 a, b oder c geprüft werden.

Anmerkung:
Maschinen zur optischen Endbearbeitung (finishing): siehe Nummer 2B002.

[N]

a) Werkzeugmaschinen für Drehbearbeitung mit allen folgenden Eigenschaften:
  1. Positioniergenauigkeit mit "allen verfügbaren Kompensationen" von kleiner (besser)/gleich 0,006 mm nach ISO 230/2 (1988) * oder entsprechenden nationalen Normen entlang einer Linearachseund
  2. zwei oder mehr Achsen zur simultanen "Bahnsteuerung";
  Anmerkung:
Unternummer 2B001a erfasst keine Drehmaschinen, besonders konstruiert. für die Herstellung von Kontaktlinsen mit allen folgenden Eigenschaften:

a) Maschinensteuerung beschränkt auf die Verwendung ophthalmischer Software für die Dateneingabe zur Teileprogrammierungund

b) ohne Vakuum-Spannfutter
[N]  
b) Werkzeugmaschinen für Fräsbearbeitung mit einer der folgenden Eigenschaften:
  1. mit allen folgenden Eigenschaften:
    a) Positioniergenauigkeit mit "allen verfügbaren Kompensationen" von kleiner (besser)/gleich 0,006 mm nach ISO 230/2 (1988)* oder entsprechenden nationalen Normen entlang einer Linearachseund
    b) drei Linearachsen plus einer Rundachse zur simultanen "Bahnsteuerung",
  2. fünf oder mehr Achsen zur simultanen "Bahnsteuerung",
  3. Positioniergenauigkeit für Lehrenbohrmaschinen, mit "allen verfügbaren Kompensationen", von kleiner (besser)/gleich 0,004 mm nach ISO 230/2 (1988)* oder entsprechenden nationalen Normen entlang einer Linearachse oder
  4. Schlagfräsmaschinen (fly cutting machines) mit allen folgenden Eigenschaften:
    a) Spindel-"Rundlaufabweichung" und Spindel-"Planlaufabweichung" kleiner (besser) 0,0004 mm Gesamtmessuhrausschlag (TIR)und
    b) Winkelabweichung der Schlittenbewegung (Gieren, Stampfen und Rollen) kleiner (besser) 2 Bogensekunden Gesamtmessuhrausschlag (TIR) über einen Verfahrweg von 300 mm;
[N]  
c) Werkzeugmaschinen für Schleifbearbeitung mit einer der folgenden Eigenschaften:
  1. mit allen folgenden Eigenschaften:
    a) Positioniergenauigkeit mit "allen verfügbaren Kompensationen" von kleiner (besser)/gleich 0,004 mm nach ISO 230/2 (1988) * oder entsprechenden nationalen Normen entlang einer Linearachseund
    b) drei oder mehr Achsen zur simultanen "Bahnsteuerung"oder
  2. fünf oder mehr Achsen zur simultanen "Bahnsteuerung";
  Anmerkung:
Unternummer 2B001c erfasst nicht folgende Schleifmaschinen.:
  a) Außen-, Innen-, Außen-/Innen-Rundschleifmaschinen mit allen folgenden Eigenschaften:
    1. Begrenzung auf Rundschleifenund
    2. maximaler Arbeitsbereich von 150 mm Außendurchmesser oder Länge,
  b) Maschinen, besonders konstruiert als Koordinatenschleifmaschinen, die keine Z- oder W-Achse mit einer Positioniergenauigkeit mit "allen verfügbaren Kompensationen" von kleiner (besser) als 0,004 mm nach ISO 230/2 (1988) * oder vergleichbaren nationalen Verfahren haben,
  c) Flachschleifmaschinen.
[N]        
d) Funkenerosionsmaschinen (EDM) - Senkerodiermaschinen - mit zwei oder mehr Drehachsen, die für eine "Bahnsteuerung" simultan koordiniert werden können;
e) Werkzeugmaschinen zum Abtragen von Metallen, Keramiken oder "Verbundwerkstoffen" mit allen folgenden Eigenschaften:
  1. zum Abtragen von Material mittels
    a) Wasser oder anderen Flüssigkeitsstrahlen, einschließlich solcher, die abrasive Zusätze enthalten,
    b) Elektronenstrahlenoder
    c) "Laser"strahlenund
  2. mit zwei oder mehr Drehachsen und mit allen folgenden Eigenschaften:
    a) Drehachsen koordinierbar zur simultanen "Bahnsteuerung"und
    b) Positioniergenauigkeit besser als 0,003°;
f) Tiefloch-Bohrmaschinen und Drehmaschinen, hergerichtet zum Tieflochbohren, mit einer maximalen Bohrtiefe über 5 m und besonders konstruierte Bestandteile hierfür.

2B002

[W]

"Numerisch gesteuerte" Werkzeugmaschinen zur optischen Endbearbeitung (finishing), ausgelegt zum selektiven Materialabtrag zur Fertigung von nichtsphärischen Oberflächen mit allen folgenden Eigenschaften:

  1. Endbearbeitung der Form kleiner (besser) als 1,0 µm,
  2. Endbearbeitung der Rautiefe kleiner (besser) als 100 nm rms,
  3. vier oder mehr Achsen zur simultanen "Bahnsteuerung"und
  4. Verwendung eines der folgenden Verfahren:
  1. magnetorheologische Endbearbeitung ("MRF"),
  2. elektrorheologische Endbearbeitung ("ERF"),
  3. Endbearbeitung mittels "energetischen Partikelstrahls",
  4. Endbearbeitung mittels "aufblasbaren Membranwerkzeugs"oder
  5. Endbearbeitung mittels "Flüssigkeitsstrahl".

Technische Anmerkungen:
Im Sinne von Nummer 2B002:

  1. ist MRF (magnetorheological finishing) ein Materialabtragungsverfahren, das eine abrasive magnetische Flüssigkeit verwendet, deren Viskosität durch ein magnetisches Feld gesteuert wird;
  2. ist ERF (electrorheological finishing) ein Materialabtragungsverfahren, das eine abrasive Flüssigkeit verwendet, deren Viskosität durch ein elektrisches Feld gesteuert wird;
  3. wird bei der Endbearbeitung mittels energetischen Partikelstrahls ein reaktives Atomplasma (RAP) oder ein Ionenstrahl zum selektiven Materialabtrag verwendet;
  4. ist die Endbearbeitung mittels aufblasbaren Membranwerkzeugs (inflatable membrane toolfinishing) ein Verfahren, das eine druckbeaufschlagte, verformbare Membran verwendet, welche das Werkstück nur in einem kleinen Bereich berührt;
  5. ist die Endbearbeitung mittels Flüssigkeitsstrahl (jet finishing) ein Verfahren, das einen Flüssigkeitsstrahl zum Materialabtrag verwendet.

2B003

[W]

"Numerisch gesteuerte" oder manuell bedienbare Werkzeugmaschinen und besonders konstruierte Bestandteile, Steuerungen und Zubehör hierfür, besonders konstruiert für Schabradbearbeitung, Feinbearbeitung, Schleifen oder Honen von gehärteten (Re-40 oder mehr) geradverzahnten, schrägverzahnten und pfeilverzahnten Rädern mit einem Teilkreisdurchmesser größer als 1.250 mm und einer Zahnbreite von 15 % oder mehr des Teilkreisdurchmessers, fein bearbeitet mit einer Qualität AGMa 14 oder besser (entsprechend ISO 1328 Klasse 3).

2B004

[W, M, N]

Heiß-"Isostatische Pressen" mit allen folgenden Eigenschaften und besonders konstruierte Bestandteile und Zubehör hierfür:

Anmerkung:
Siehe auch Nummern 2B104 und 2B204.

  1. mit geregelter thermischer Umgebung innerhalb des geschlossenen Kammerraums und Innendurchmesser (lichte Weite) des Kammerraums von 406 mm oder mehrund
  2. mit einer der folgenden Eigenschaften:
    1. maximaler Arbeitsdruck größer als 207 MPa,
    2. geregelte thermische Umgebung größer als 1.773 K (1.500°C)oder
    3. mit einer Einrichtung zum Imprägnieren mit Kohlenwasserstoffen und zur Entfernung entstehender gasförmiger Reaktionsprodukte.

Technische Anmerkung:
Die lichte Weite des Kammerraums bezieht sich auf die Kammer, in der sowohl die Arbeitstemperatur als auch der Arbeitsdruck erreicht werden, und schließt Spannvorrichtungen nicht mit ein. Sie ist die Abmessung der kleineren Kammer, entweder die lichte Weite der Druckkammer oder die lichte Weite der isolierten Ofenkammer, je nachdem, welche der beiden Kammern sich innerhalb der anderen befindet.

Anmerkung:
Für besonders konstruierte Formen, Gesenke und Werkzeuge siehe Nummer 1B003, 9B009 und Liste für Waffen, Munition und Rüstungsmaterial (Teil 1 A).

2B005

[W, M]

Ausrüstung, besonders konstruiert für die Abscheidung, Bearbeitung und Verfahrenskontrolle von anorganischen Auflageschichten, sonstigen Schichten und oberflächenverändernden Schichten, wie folgt, auf Substrate für nichtelektronische Anwendungen durch Verfahren, die in der nach Unternummer 2E003f aufgeführten Tabelle nebst zugehörigen Anmerkungen dargestellt sind, und besonders konstruierte Bauteile zur automatischen Handhabung, Positionierung, Bewegung und Regelung hierfür:

a) Herstellungsausrüstung für die chemische Beschichtung aus der Gasphase
(CVD = chemical vapour deposition) mit allen folgenden Eigenschaften:

Anmerkung:
Siehe auch Nummer 2B105.
  1. Verwendung eines für eine der folgenden Beschichtungsarten abgeänderten Verfahrens:
    a) CVD-Beschichten bei pulsierendem Druck,
    b) thermische Beschichtung mit geregelter Keimbildung (CNTD = controlled nucleation thermal deposition) oder
    c) plasmaverstärktes oder -unterstütztes CVD-Beschichtenund
  2. mit einer der folgenden Eigenschaften:
    a) mit rotierenden Hochvakuumdichtungen (Druck kleiner/gleich 0,01 Pa)oder
    b) mit Schichtdickenüberwachung in der Anlage;
b) Herstellungsausrüstung für die Ionenimplantation mit Strahiströmen größer/gleich 5 mA;
c) Herstellungsausrüstung für die physikalische Beschichtung aus der Dampfphase (PVD = physical vapour deposition) mittels Elektronenstrahl (EB-PVD) mit einer Stromversorgungsanlage von mehr als 80 kW Nennleistung und mit einer der folgenden Eigenschaften:
  1. mit eingebautem "Laser"-Regelsystem für den Stand des Flüssigkeitsbads, das die Ztufuhrgeschwindigkeit des Schichtwerkstoffs genau regeltoder
  2. mit eingebautem Monitor zur rechnergesteuerten Überwachung der Abscheiderate bei einer Schicht aus zwei oder mehreren Elementen, wobei das Verfahren auf dem Prinzip der Fotolumineszenz der ionisierten Atome im Dampfstrahl beruht;
d) Herstellungsausrüstung für das Plasmaspritzen mit einer der folgenden Eigenschaften:
  1. Betrieb in geregelter Schutzgasatmosphäre bei verringertem Druck (kleiner/ gleich 10 kPa, gemessen oberhalb des Spritzdüsenaustritts und innerhalb eines Umkreises von 300 mm um den Austritt) in einer Vakuumkammer, in der der Druck vor dem Spritzvorgang auf 0,01 Pa reduziert werden kann,oder
  2. mit Schichtdickenüberwachung in der Anlage;
e) Herstellungsausrüstung für die Kathodenzerstäubungs-(Sputter-)Beschichtung, geeignet für Stromdichten von 0,1 mA/mm2 oder höher bei einer Beschichtungsrate größer/gleich 15 µm/h;
f) Herstellungsausrüstung für die Bogenentladungs-Kathodenzerstäubungs-Beschichtung (cathodic arc deposition), die über ein Gitter aus Elektromagneten zur Steuerung des Auftreffpunkts des Lichtbogens auf der Kathode verfügt;
g) Herstellungsausrüstung zur Ionenplattierung, die in der Anlage die Messung einer der folgenden Eigenschaften ermöglicht:
  1. Schichtdicke auf dem Substrat und Abscheidegeschwindigkeitoder
  2. optische Eigenschaften.

Anmerkung:
Nummer 2B005 erfasst nicht Ausrüstung für chemische Beschichtung aus der Gasphase, Bogenentladungs-Kathodenzerstäubungs-Beschichtung, Kathodenzerstäubungs-Beschichtung, Ionenplattierung oder lonenimplantation, besonders konstruiert für Schneidwerkzeuge oder für Werkzeuge zur spanenden Bearbeitung.

2B006

[W]

Messmaschinen oder -systeme, Ausrüstung und "elektronische Baugruppen" wie folgt:

[N]

a) rechnergesteuerte oder "numerisch gesteuerte" Koordinatenmessmaschinen (CMM = coordinate measuring machines), mit einer dreidimensionalen (volumetrischen) Längenmessabweichung (MPEE = maximum permissible error of indication) an einem Punkt innerhalb des Arbeitsbereiches der Maschine (d.h. innerhalb der Achslängen) kleiner (besser)/gleich (1,7 + L/1000) am (L ist die Messlänge in mm), geprüft nach ISO 10360-2 (2001);
  Anmerkung:
Siehe auch Nummer 2B206.
[N]  
b) Längen- und Winkelmesseinrichtungen wie folgt:
  1. ,Längenmess´einrichtungen mit einer der folgenden Eigenschaften:

Technische Anmerkung:
Im Sinne der Unternummer 2B006b1 bedeutet, Längenmessung die Änderung des Abstandes zwischen der Messeinrichtung und dem zu messenden Objekt.
    a) berührungslose Messsysteme mit einer "Auflösung" kleiner (besser)/ gleich 0,2 gm in einem Messbereich bis zu 0,2 mm;
    b) Linearspannungs-Differenzialtransformator-Systeme mit allen folgenden Eigenschaften:
      1. "Linearität" kleiner (besser)/gleich 0,1 % innerhalb eines Messbereichs bis zu 5 mmund
      2. Drift kleiner (besser)/gleich 0,1 % pro Tag bei Standardumgebungstemperatur im Prüfraum ± 1 K;
    c) Messsysteme mit allen folgenden Eigenschaften:
      1. sie enthalten einen "Laser"und
      2. sie behalten über mindestens 12 Stunden bei einer Temperatur von 20±1 °C alle folgenden Eigenschaften bei:
        a) "Auflösung" von 0,1 μm oder kleiner (besser) über den vollen Messbereichund
        b) geeignet zum Erreichen einer "Messunsicherheit" kleiner (besser)/gleich (0,2 + L/2.000) μm (Messlänge L in mm) bei Kompensation der Luftbrechzahl oder
    d) "elektronische Baugruppen", besonders konstruiert zur Positionsrückmeldung in Systemen, die von Unternummer 2B006b1c erfasst werden.
    Anmerkung:
Unternummer 2B006b1 erfasst keine "Laser "-Interferometermesssysteme mit einem automatischen Kontrollsystem ohne Rückmeldetechniken zur Messung der Verfahrbewegungsfehler von Werkzeugmaschinen, Messmaschinen oder ähnlicher Ausrüstung.
  2. Winkelmesseinrichtungen mit einer "Winkelpositionsabweichung" kleiner (besser)/gleich 0,00025°;

Anmerkung:
Unternummer 2B006b2 erfasst nicht optische Geräte, z.B. Autokollimatoren, die ausgeblendetes Licht (z.B. "Laser "-Licht) benutzen, um die Winkelverstellung eines Spiegels festzustellen.
c) Ausrüstung zur Messung von Oberflächenunebenheiten mittels optischer Streuung als eine Funktion des Winkels mit einer Empfindlichkeit kleiner (besser)/gleich 0,5 nm.

Anmerkung:
Werkzeugmaschinen, die auch als Messmaschinen verwendet werden können, werden erfasst, wenn sie die für Werkzeugmaschinen- oder Messmaschinenfunktionen festgelegten Kriterien erreichen oder überschreiten.

2B007

[W]

"Roboter` mit einer der folgenden Eigenschaften sowie besonders konstruierte Steuerungen und "Endeffektoren" hierfür:

Anmerkung:
Siehe auch Nummer 2B207.

a) geeignet zur Verarbeitung oder Auswertung von vollständigen dreidimensionalen Bilddaten in Echtzeit, um "Programme" und numerische Programmdaten zu erzeugen oder zu verändern;

Technische Anmerkung:
Die Begrenzung der Bildauswertung schließt nicht die Annäherung an die dritte Dimension durch Wahl eines bestimmten Blickwinkels oder eine begrenzte Grauwert-Interpretation zur Wahrnehmung von Tiefe und Struktur. für die jeweils vorgesehenen Aufgaben ein (2½ D).

[N]

b) besonders konstruiert zur Erfüllung nationaler Sicherheitsvorschriften für potenziell explosionsgefährliche Munitions-Umgebungen;

Anmerkung:
Unternummer 2B007b erfasst nicht "Roboter", besonders konstruiert für Farbspritzkabinen.

[N]

c) besonders konstruiert oder ausgelegt als strahlungsgehärtet, um ohne Funktionseinbuße einer Strahlendosis von 5 x 103 Gy (Silizium) standhalten zu können,oder

Technische Anmerkung:
Der Ausdruck Gy (Silizium) bezieht sich auf die in Joule pro Kilogramm ausgedrückte Energie, die von einer ionisierender Strahlung ausgesetzten Probe von nicht abgeschirmtem Silizium absorbiert wird.

d) besonders konstruiert für Betriebsfähigkeit in Höhen über 30.000 m.

2B008

[W]

Baugruppen oder Baueinheiten, besonders konstruiert für Werkzeugmaschinen oder Koordinatenmessmaschinen oder Messsysteme und Messeinrichtungen, wie folgt:

a) lineare Positions-Rückmeldeeinheiten (z.B. induktive Geber, Maßskalen, Infrarot-Systeme oder "Laser`-Systeme) mit einer Gesamt"genauigkeit" besser als [800 + (600 x L x 10-3)] nm (L ist die nutzbare Länge in mm);

Anmerkung:
"Laser"-Systeme: siehe auch Anmerkung zu Unternummer 2B006b1c und 2B006b1d.

b) Winkel-Positions-Rückmeldeeinheiten (z.B. induktive Geber, Maßskalen, Infrarot-Systeme oder "Laser`-Systeme) mit einer "Genauigkeit" besser als 0,00025°;

Anmerkung:
"Laser "-Systeme: siehe auch Anmerkung zu Unternummer 2B006b2.

c) "kombinierte Schwenk-Rundtische" und "Schwenkspindeln", die nach Spezifikation des Herstellers Werkzeugmaschinen auf oder über das in Nummer 2B angegebene Niveau verbessern können.

2B009

[W, M, N]

Drück- und Fließdrückmaschinen, die nach der technischen Beschreibung des Herstellers mit "numerischen Steuerungen" oder Rechnersteuerungen ausgerüstet werden können und mit allen folgenden Eigenschaften:

Anmerkung:
Siehe auch Nummern 2B109, 2B209 und 2B909.

  1. mit zwei oder mehr Achsen, bei denen mindestens zwei simultan für die "Bahnsteuerung" koordiniert werden können,und
  2. mit einer Supportkraft größer als 60 kN.

Technische Anmerkung:
Im Sinne von Nummer 28009 werden Maschinen mit kombinierter Drück- und Fließdrückfunktion als Fließdrückmaschinen betrachtet.

2B104

[M, N]

"Isostatische Pressen", die nicht von Nummer 2B004 erfasst werden, mit allen folgenden Eigenschaften:

Anmerkung:
Siehe auch Nummer 2B204.

  1. maximaler Arbeitsdruck größer/gleich 69 MPa;
  2. konstruiert, um eine geregelte thermische Umgebung größer/gleich 873 K (600°C) zu erreichen und aufrechtzuerhalten,und
  3. lichte Weite des Kammerraums (Innendurchmesser) größer/gleich 254 mm.

2B105

[M, N]

Öfen zur chemischen Beschichtung aus der Gasphase (CVD), die nicht von Unternummer 2B005a erfasst werden, konstruiert oder geändert für die Verdichtung von Kohlenstoff-Kohlenstoff-"Verbundwerkstoffen".

2B109

[M, N]

Fließdrückmaschinen, die nicht von Nummer 2B009 erfasst werden, und besonders konstruierte Bestandteile wie folgt:

Anmerkung:
Siehe auch Nummer 2B209 und 2B909.

a) Fließdrückmaschinen mit allen folgenden Eigenschaften:

  1. die nach der technischen Spezifikation des Herstellers mit einer "numerischen Steuerung" oder einer Rechnersteuerung ausgerüstet werden können, auch wenn sie zum Zeitpunkt der Lieferung nicht damit ausgestattet sind,und
  2. die über mehr als zwei Achsen verfügen, die simultan für die "Bahnsteuerung" koordiniert werden können;

b) besonders konstruierte Bestandteile für Fließdrückmaschinen, die von Nummer 2B009 oder Unternummer 2B109a erfasst werden.

Anmerkung:
Nummer 2B109 erfasst nur Maschinen, die zur Herstellung von Antriebskomponenten und -ausrüstung (z.B. Motorgehäuse) für von Nummer 9A005, Unternummer 9A007a oder 9A105a erfasste Systeme geeignet sind.

Technische Anmerkung:
Maschinen mit kombinierter Fließdrück- und Drückfunktion werden im Sinne von Nummer 2B109 als Fließdrückmaschinen betrachtet.

2B116

[M, N]

Vibrationsprüfsysteme, Ausrüstung und Bestandteile hierfür, wie folgt:

  1. Vibrationsprüfsysteme mit Rückkopplungs- oder Closed-Loop-Technik mit integrierter digitaler Steuerung, geeignet für Vibrationsbeanspruchungen des Prüflings mit einer Beschleunigung größer/gleich 10 g rms zwischen 20 Hz und 2 kHz bei Übertragungskräften größer/gleich 50 kN, gemessen am Prüftisch :
  2. digitale Steuerungen in Verbindung mit besonders für Vibrationsprüfung entwickelter "Software", mit einer Echtzeit-Bandbreite größer/gleich 5 kHz und konstruiert zum Einsatz in den von Unternummer 2B116a erfassten Systemen;
    Technische Anmerkung:
    In Unternummer 2B116b bezeichnet Echtzeit-Bandbreite die maximale Rate, bei der eine Steuerung vollständige Zyklen der Abtastung, Verarbeitung der Daten und Übermittlung von Steuersignalen ausführen kann.
  3. Schwingerreger (Shaker units) mit oder ohne zugehörige Verstärker, geeignet für Übertragungskräfte von größer/gleich 50 kN, gemessen am ,Prüftisch`, und geeignet für die von Unternummer 2B116a erfassten Systeme;
  4. Prüflingshaltevorrichtungen und Elektronikeinheiten, konstruiert, um mehrere Schwingerreger zu einem Schwingerregersystem, das Übertragungskräfte größer/ gleich 50 kN, gemessen am ,Prüftisch`, erzeugen kann, zusammenzufassen, und geeignet für die von Unternummer 2B116a erfassten Systeme.

Technische Anmerkung:
Ein "Prüftisch" im Sinne von Nummer 2B116 ist ein flacher Tisch oder eine flache Oberfläche ohne Aufnahmen oder Halterungen.

2B117

[M, N]

Ausrüstung und Prozesssteuerungen, die nicht von Nummer 2B004, Unternummer 2B005a, Nummer 2B104 oder 2B105 erfasst werden, konstruiert oder geändert zur Verdichtung und Pyrolyse von Raketendüsen und Bugspitzen von Wiedereintrittskörpern aus Struktur-"Verbundwerkstoffen".

2B119

[M]

Auswuchtmaschinen und zugehörige Ausrüstung, wie folgt:

Anmerkung:
Siehe auch Nummer 2B219.

a) Auswuchtmaschinen mit allen folgenden Eigenschaften:

  1. nicht geeignet zum Auswuchten von Rotoren/Baugruppen mit einer Masse größer als 3 kg,
  2. geeignet zum Auswuchten von Rotoren/Baugruppen bei Drehzahlen größer als 12.500 U/min,
  3. geeignet zur Korrektur von Unwuchten in zwei oder mehr Ebenenund
  4. geeignet zum Auswuchten bis zu einer spezifischen Restunwucht von 0,2 gmm/kg der Rotormasse;

Anmerkung:
Unternummer 2B119a erfasst nicht Auswuchtmaschinen, konstruiert oder geändert für zahnmedizinische oder andere medizinische Ausrüstung.

b) Messgeräte (indicator heads/balancing instrumentation), konstruiert oder geändert für den Einsatz in Maschinen, erfasst von Unternummer 2B119a.

Technische Anmerkung:
Indicator heads werden auch als balancing instrumentation bezeichnet.

2B120

[M]

Bewegungssimulatoren oder Drehtische mit allen folgenden Eigenschaften:

a) zwei oder mehr Achsen,

b) konstruiert oder geändert für den Einbau von Schleifringen oder integrierten kontaktlosen Geräten, geeignet zur Übertragung von elektrischer Energie, von Signalen oder von beidem,und

c) mit einer der folgenden Eigenschaften:

  1. mit allen folgenden Eigenschaften für jede einzelne Achse:
    1. geeignet für Drehraten (rate) größer/gleich 400°/s oder kleiner/gleich 30°/s und
    2. Auflösung der Drehrate (rate resolution) kleiner/gleich 6°/s und Genauigkeit kleiner/gleich 0,6°/s,
  2. Mindeststabilität der Drehrate (worstcase rate stability) besser (kleiner)/ gleich ± 0,05 %, gemittelt über einen Bereich größer/gleich 10° oder
  3. Positioniergenauigkeit kleiner (besser)/gleich 5 Bogensekunden.

Anmerkung 1:
Nummer 2B120 erfasst nicht Drehtische, konstruiert oder geändert für Werkzeugmaschinen oder für medizinische Ausrüstung. Zur Erfassung von Rundtischen für Werkzeugmaschinen: siehe Nummer 2B008.

Anmerkung 2:
Bewegungssimulatoren oder Drehtische, die von Nummer 2B120 erfasst werden, sind erfasst, unabhängig davon, ob Schleifringe oder integrierte kontaktlose Geräte eingebaut sind oder nicht.

2B121

[M]

Positioniertische (Ausrüstung, geeignet für Präzisionsteilung in jeder Achse), die nicht von Nummer 2B120 erfasst werden, mit allen folgenden Eigenschaften:

  1. zwei oder mehr Achsenund
  2. Positioniergenauigkeit kleiner (besser)/gleich 5 Bogensekunden.

Anmerkung:
Nummer 2B121 erfasst nicht Drehtische, konstruiert oder geändert für Werkzeugmaschinen oder für medizinische Ausrüstung. Zur Erfassung von Rundtischen für Werkzeugmaschinen: siehe Nummer 2B008.

2B122

[M]

Zentrifugen, die Beschleunigungen größer als 100 g erzeugen können, konstruiert oder geändert für den Einbau von Schleifringen oder integrierten kontaktlosen Geräten, geeignet zur Übertragung von elektrischer Energie, von Signalen oder von beidem.

Anmerkung:
Zentrifugen, die von Nummer 2B122 erfasst werden, sind erfasst, unabhängig davon, ob Schleifringe oder integrierte kontaktlose Geräte eingebaut sind oder nicht.

2B201

[N]

Werkzeugmaschinen und eine beliebige Kombination von diesen, die nicht von Nummer 2B001 erfasst werden, wie folgt, für das Abtragen oder Schneiden von Metallen, Keramiken oder "Verbundwerkstoffen", die gemäß den technischen Spezifikationen des Herstellers mit elektronischen Geräten zur simultanen "Bahnsteuerung" in zwei oder mehr Achsen ausgerüstet werden können:

a) Werkzeugmaschinen für Fräsbearbeitung mit einer der folgenden Eigenschaften:
  1. Positioniergenauigkeit mit "allen verfügbaren Kompensationen" von kleiner (besser)/gleich 0,006 mm nach ISO 230/2 (1988) * oder entsprechenden nationalen Normen entlang einer Linearachseoder
  2. zwei oder mehr bahnsteuerfähige Rundachsen;
  Anmerkung:
Unternummer 2B201a erfasst keine Fräsmaschinen mit allen, folgenden Eigenschaften:
  a) Verfahrweg der X-Achse größer als 2.000 mmund
  b) Gesamtpositioniergenauigkeit der X-Achse größer (schlechter) als 0,03 mm.
b) Werkzeugmaschinen für Schleifbearbeitung mit einer der folgenden Eigenschaften:
  1. Positioniergenauigkeit mit "allen verfügbaren Kompensationen" von kleiner (besser)/gleich 0,004 mm nach ISO 230/2 (1988) * oder entsprechenden nationalen Normen entlang einer Linearachse oder
  2. zwei oder mehr bahnsteuerfähige Rundachsen.

Anmerkung:
2B201 b erfasst nicht folgende Schleifmaschinen:
    a) Außen -, Innen- und Außen-/Innen-Rundschleifmaschinen ntit allen folgenden Eigenschaften:
      1. Maximaler Arbeitsbereich von 150 mm Außendurchmesser oder Länge;und
      2. Begrenzung auf die Achsen x, z und c;
    b) Koordinatenschleifmaschinen, die keine z-Achse oder w-Achse mit einer Positioniergenauigkeit mit "allen verfügbaren Kompensationen" von kleiner (besser) 0,004 mm nach ISO 230/2 (1988)* oder entsprechenden nationalen Normen haben.

Anmerkung 1:
Nummer 2B201 erfasst keine speziellen Werkzeugmaschinen zur Bearbeitung eines der folgenden Teile:

  1. Getriebe;
  2. Kurbelwellen oder Nockenwellen;
  3. Schneidwerkzeuge;
  4. Extruderschnecken.

Anmerkung 2:
Eine Werkzeugmaschine, die mindestens zwei der drei Bearbeitungsverfahren Drehen, Fräsen oder Schleifen kombiniert (z.B. eine Drehmaschine mit Fräsfunktion), muss nach jeder der zutreffenden Unternummern 2B001 a oder 2B201 a oder 2B201 b geprüft werden.

2B204

[N]

"Isostatische Pressen", die nicht von Nummer 2B004 oder 2B104 erfasst werden, und zugehörige Ausrüstung, wie folgt:

a) "isostatische Pressen", mit allen folgenden Eigenschaften:

  1. einem maximalen Arbeitsdruck größer/gleich 69 MPaund
  2. einer Druckkammer mit einer lichten Weite (Innendurchmesser) größer als 152 mm;

b) besonders konstruierte Gesenke, Formen oder Steuerungen für "isostatische Pressen", erfasst von 2B204a.

TechnischeAnmerkung:
In Nummer 2B204 bezieht sich die lichte Weite des Kammerraums auf die Kammer, in der sowohl die Arbeitstemperatur als auch der Arbeitsdruck erreicht werden, und schließt Spannvorrichtungen nicht mit ein. Sie ist die Abmessung der kleineren Kammer, entweder die lichte Weite der Druckkammer oder die lichte Weite der isolierten Ofenkammer, je nachdem, welche der beiden Kammern sich innerhalb der anderen befindet.

2B206

[N]

Messmaschinen oder Systeme, die nicht von Nummer 2B006 erfasst werden, wie folgt:

a) rechnergesteuerte oder numerisch gesteuerte Koordinatenmessmaschinen mit allen folgenden Eigenschaften:

  1. zwei oder mehr Achsenund
  2. eine eindimensionale Längen-"Messunsicherheit" kleiner (besser)/gleich (1,25 + L/l 000) µm, gemessen mit einem Prüfmittel mit einer Genauigkeit kleiner (besser) als 0,2 üm (L ist die Länge in mm) (Ref. VDI/VDE 2617 Teil 1 und Teil 2);

b) Systeme zum simultanen Messen von Linear- und Winkelkoordinaten von Halbkugeln mit allen folgenden Eigenschaften:

  1. "Messunsicherheit" in jeder Achse kleiner (besser)/gleich 3,5 µm auf 5 mmund
  2. "Winkelpositionsabweichung" kleiner/gleich 0,02°.

Anmerkung 1:
Werkzeugmaschinen, die auch als Messmaschinen verwendet werden können, werden erfasst, wenn sie die für Werkzeugmaschinen- oder Messmaschinenfunktionen festgelegten Kriterien erreichen oder überschreiten.

Anmerkung 2:
Eine in Nummer 2B206 genannte Maschine wird erfasst, wenn sie die Erfassungsschwelle innerhalb ihres Arbeitsbereiches überschreitet.

Technische Anmerkungen:

  1. Das Prüfmittel, das bei Bestimmung der "Messunsicherheit" eines Längenmesssystems verwendet wird, soll dem in VDI/VDE 2617 Teile 2, 3 und 4 beschriebenen entsprechen.
  2. Alle Parameter. für die Messwerte unter 2B206 lassen positive und negative Abweichungen zu, d. h., sie stellen nicht die gesamte Bandbreite dar.

2B207

[N]

"Roboter", "Endeffektoren" und Steuerungen, die nicht von Nummer 2B007 erfasst werden, wie folgt:

  1. "Roboter` oder "Endeffektoren", besonders konstruiert zur Einhaltung nationaler Sicherheitsnonnen für die Handhabung hochexplosiver Stoffe (z.B. Einhaltung elektrischer Kenndaten bei hochexplosiven Stoffen);
  2. besonders konstruierte Steuerungen für einen der "Roboter` oder "Endeffektoren", erfasst von Unternummer 2B207a.

2B209

[N]

Fließdrückmaschinen und Drückmaschinen mit Fließdrückfunktion, die nicht von Nummer 2B009 oder 2B109 erfasst werden, und Dorne, wie folgt:

Anmerkung:
Siehe auch Nummer 2B909.

a) Maschinen, mit allen folgenden Eigenschaften:

  1. drei oder mehr Rollen (Drückrollen oder Führungsrollen)und
  2. nach der technischen Spezifikation des Herstellers mit "numerischer Steuerung" oder Rechnersteuerung ausrüstbar;

b) Dorne zum Formen von zylindrischen Rotoren mit einem Innendurchmesser zwischen 75 mm und 400 mm.

Anmerkung:
Nummer 2B209a schließt Maschinen ein, die nur eine einzige Rolle zur Verformung des Metalls und zwei Hilfsrollen aufweisen, die den Dorn abstützen, am Verformungsprozess aber nicht direkt beteiligt sind.

2B219

[N]

Rotierende Mehrebenenauswuchtmaschinen, festinstalliert oder beweglich, horizontal oder vertikal, wie folgt:

a) rotierende Mehrebenenauswuchtmaschinen, konstruiert zum Auswuchten von flexiblen Rotoren mit einer Länge größer/gleich 600 mm, mit allen folgenden Eigenschaften:

  1. Rotor- oder Zapfen-Durchmesser größer als 75 mm,
  2. Tragfähigkeit von 0,9 bis 23 kgund
  3. nutzbare Auswuchtdrehzahl größer als 5.000 U/min;

b) rotierende Mehrebenenauswuchtmaschinen, konstruiert zum Auswuchten von hohlzylindrischen Rotorbauteilen, mit allen folgenden Eigenschaften:

  1. Aufnahme-Durchmesser größer als 75 mm,
  2. Tragfähigkeit von 0,9 bis 23 kg,
  3. Eignung zum Auswuchten für eine Restunwucht kleiner (besser)/gleich 0,01 kgmm/kg pro Auswuchtebeneund
  4. Riemenantriebsausführung.

2B225

[N]

Fernlenk-Manipulatoren, die für ferngesteuerte Tätigkeiten bei radiochemischen Trennprozessen oder in Heißen Zellen eingesetzt werden können, mit einer der folgenden Eigenschaften:

  1. Eignung zur Durchdringung der Wand einer Heißen Zelle mit einer Dicke größer/ gleich 0,6 m (Durchdie-Wand-Modifikation)oder
  2. Eignung zur Überbrückung der Wand einer Heißen Zelle mit einer Dicke größer/ gleich 0,6 m (Überdie-Wand-Modifikation).

Technische Anmerkung:
Fernlenk-Manipulatoren ermöglichen die Übertragung der Bewegungen einer Bedienungsperson auf einen ferngelenkten Funktionsarm und eine Endhalterung. Sie können über Master-Slave-Steuerung, Steuerknüppel oder Tastatur bedient werden.

2B226

[N]

Mit kontrollierter Atmosphäre (Vakuum oder Schutzgas) betriebene Induktionsöfen und Netzgeräte hierfür, wie folgt:

Anmerkung:
Siehe auch Nummer 3B.

a) Öfen mit allen folgenden Eigenschaften:

  1. geeignet für Betriebstemperaturen größer 1.123 K (850°C),
  2. ausgerüstet mit Induktionsspulen mit einem Innendurchmesser kleiner/gleich 600 mmund
  3. konstruiert für Eingangsleistungen größer/gleich 5 kW;

b) Netzgeräte, besonders konstruiert für von Unternummer 2B226a erfasste Öfen, mit einer angegebenen Ausgangsleistung größer/gleich 5 kW.

Anmerkung:
Unternummer 2B226a erfasst keine Öfen zur Bearbeitung von Halbleiterwafern.

2B227

[N]

Vakuum- oder Schutzgas-Metallschmelz- und Metallgießöfen und zugehörige Ausrüstung, wie folgt:

a) Lichtbogenöfen (Schmelz-, Umschmelz- und Gießöfen) mit allen folgenden Eigenschaften:

  1. Abschmelzelektrodenvolumen zwischen 1.000 cm3 und 20.000 cm3und
  2. geeignet für den Betrieb bei Schmelztemperaturen über 1.973 K (1.700°C);

b) Elektronenstrahlschmelzöfen und Plasma-Schmelz- oder Plasma-Zerstäubungsschmelzöfen mit allen folgenden Eigenschaften:

  1. Leistung größer/gleich 50 kWund
  2. geeignet für den Betrieb bei Schmelztemperaturen über 1.473 K (1.200°C);

c) Rechnersteuerungs- und Überwachungssysteme, besonders entwickelt für von Unternummer 2B227a oder 2B227b erfasste Öfen.

2B228

[N]

Rotorfertigungs- oder Rotormontageausrüstung, Rotorrichtausrüstung, Dorne zur Sickenformung und Gesenke hierfür, wie folgt:

a) Rotormontageausrüstung für den Zusammenbau von Gaszentrifugenteilrohren, Scheiben und Enddeckeln;

Anmerkung:
Unternummer 2B228a schließt Präzisionsdorne, Haltevorrichtungen und Einschrumpfvorrichtungen ein.

b) Rotorrichtausrüstung zum Ausrichten von Gaszentrifugenteilrohren auf eine gemeinsame Achse;

Technische Anmerkung:
Im Sinne von Unternummer 2B228b besteht diese Ausrüstung üblicherweise aus Präzisionsmesssonden, die mit einem Rechner verbunden sind, der die Funktion, z.B. der pneumatisch betriebenen Backen zum Ausrichten der Teilrohre, steuert.

c) Dorne zur Sickenformung und Gesenke zur Herstellung von Einfachsicken.

Technische Anmerkung:
Sicken gemäß Unternummer 2B228c besitzen alle folgenden Eigenschaften:

  1. Innendurchmesser zwischen 75 mm und 400 mm,
  2. Länge größer/gleich 12,7 mm,
  3. Sickenhöhe größer als 2 mmund
  4. hergestellt aus hochfesten Aluminiumlegierungen, martensitaushärtendem Stahl oder hochfesten "faser- oder fadenförmigen Materialien".

2B230

[N]

"Druckmessgeräte", geeignet zum Messen von Absolutdrücken im Bereich von 0 bis 13 kPa, mit allen folgenden Eigenschaften:

a) Drucksensoren, die aus Aluminium, Aluminiumlegierungen, Nickel oder Nickellegierungen mit mehr als 60 Gew.-% Nickel hergestellt oder damit geschützt sind, und

b) mit einer der folgenden Eigenschaften:

  1. Messbereich kleiner als 13 kPa und "Messgenauigkeit" kleiner (besser) als ± 1 % vom Skalenendwertoder
  2. Messbereich größer/gleich 13 kPa und "Messgenauigkeit" kleiner (besser) als ± 130 Pa.

Technische Anmerkung:
"Messgenauigkeit" im Sinne der Nummer 2B230 schließt Nichtlinearität, Hysterese und Reproduzierbarkeit bei Umgebungstemperatur ein.

2B231

[N]

Vakuumpumpen mit allen folgenden Eigenschaften:

  1. Ansaugdurchmesser größer/gleich 380 mm,
  2. Saugvermögen größer/gleich 15 m3/sund
  3. geeignet zur Erzeugung eines Endvakuumdrucks kleiner als 13 mPa. Technische Anmerkungen:
    1. Das Saugvermögen wird am Messpunkt mit Stickstoffgas oder Luft bestimmt.
    2. Der Endvakuumdruck wird an der geschlossenen Saugseite der Pumpe bestimmt.

2B232

[N]

Mehrkammer-Leichlgaskanonen oder andere Hochgeschwindigkeitsbeschleunigungssysteme (spulenartige, elektromagnetische und elektrothermische typen und andere fortgeschrittene Systeme), die Projektile auf Geschwindigkeiten größer/gleich 2 km/s beschleunigen können.

2B350

[A]

Chemische Herstellungseinrichtungen, Apparate und Bestandteile wie folgt:

a) Reaktionsbehälter oder Reaktoren, mit oder ohne Rührer, mit einem inneren (geometrischen) Gesamtvolumen größer als 0,1 m3 (100 l) und kleiner als 20 m3 (20.000 l), bei denen die medienberührenden Flächen ganz aus einem der folgenden Werkstoffe bestehen:

  1. Legierungen mit mehr als 25 Gew.-% Nickel und 20 Gew.-% Chrom,
  2. Fluorpolymere,
  3. Glas oder Email,
  4. Nickel oder Nickel-Legierungen mit mehr als 40 Gew.-% Nickel,
  5. Tantal oder Tantal-Legierungen,
  6. Titan oder Titan-Legierungen,
  7. Zirkonium oder Zirkonium-Legierungenoder
  8. Niob (Columbium) oder Niob-Legierungen;

b) Rührer für die Verwendung in den von Unternummer 2B350a erfassten Reaktionskesseln oder Reaktoren sowie für solche Rührer konstruierte Rührflügel, Rührblätter und Rührwellen, bei denen die medienberührenden Flächen ganz aus einem der folgenden Werkstoffe bestehen:

  1. Legierungen mit mehr als 25 Gew.-% Nickel und 20 Gew.-% Chrom,
  2. Fluorpolymere,
  3. Glas oder Email,
  4. Nickel oder Nickel-Legierungen mit mehr als 40 Gew.-% Nickel,
  5. Tantal oder Tantal-Legierungen,
  6. Titan oder Titan-Legierungen,
  7. Zirkonium oder Zirkonium-Legierungenoder
  8. Niob (Columbium) oder Niob-Legierungen;

c) Lagertanks, Container oder Vorlagen mit einem inneren (geometrischen) Gesamtvolumen größer als 0,1 m3 (100 l), bei denen die medienberührenden Flächen ganz aus einem der folgenden Werkstoffe bestehen:

  1. Legierungen mit mehr als 25 Gew.-% Nickel und 20 Gew.-% Chrom,
  2. Fluorpolymere,
  3. Glas oder Email,
  4. Nickel oder Nickel-Legierungen mit mehr als 40 Gew.-% Nickel,
  5. Tantal oder Tantal-Legierungen,
  6. Titan oder Titan-Legierungen,
  7. Zirkonium oder Zirkonium-Legierungenoder
  8. Niob (Colurnbium) oder Niob-Legierungen;

d) Wärmetauscher oder Kondensatoren mit einer Wärmeaustauschfläche größer als 0,15 m2 und kleiner als 20 m2 sowie für solche Wärmetauscher oder Kondensatoren konstruierte Rohre, Platten, Coils oder Blöcke, bei denen die medienberührenden Flächen ganz aus einem der folgenden Werkstoffe bestehen:

  1. Legierungen mit mehr als 25 Gew.-% Nickel und 20 Gew.-% Chrom,
  2. Fluorpolymere,
  3. Glas oder Email,
  4. Grafit oder "Carbon-Grafit",
  5. Nickel oder Nickel-Legierungen mit mehr als 40 Gew.-% Nickel,
  6. Tantal oder Tantal-Legierungen,
  7. Titan oder Titan-Legierungen,
  8. Zirkonium oder Zirkonium-Legierungen,
  9. Siliziumkarbid,
  10. Titankarbidoder
  11. Niob (Colurnbium) oder Niob-Legierungen;

e) Destillations- oder Absorptionskolonnen mit einem inneren Durchmesser größer als 0,1 m sowie für solche Destillations- oder Absorptionskolonnen konstruierte Flüssigkeitsverteiler, Dampfverteiler oder Flüssigkeitssammler, bei denen die medienberührenden Flächen ganz aus einem der folgenden Werkstoffe bestehen:

  1. Legierungen mit mehr als 25 Gew.-% Nickel und 20 Gew.-% Chrom,
  2. Fluorpolymere,
  3. Glas oder Email,
  4. Grafit oder "Carbon-Grafit",
  5. Nickel oder Nickel-Legierungen mit mehr als 40 Gew.-% Nickel,
  6. Tantal oder Tantal-Legierungen,
  7. Titan oder Titan-Legierungen,
  8. Zirkonium oder Zirkonium-Legierungenoder
  9. Niob (Colurnbium) oder Niob-Legierungen;

f) fernbedienbare Abfülleinrichtungen, bei denen die medienberührenden Flächen ganz aus einem der folgenden Werkstoffe bestehen:

  1. Legierungen mit mehr als 25 Gew.-% Nickel und 20 Gew.-% Chrom oder
  2. Nickel oder Nickel-Legierungen mit mehr als 40 Gew.-% Nickel;

g) Ventile mit einer Nennweite größer als 10 mm sowie für solche Ventile konstruierte Ventilgehäuse oder vorgeformte Gehäuseverkleidungen, bei denen die medienberührenden Flächen ganz aus einem der folgenden Werkstoffe bestehen:

  1. Legierungen mit mehr als 25 Gew.-% Nickel und 20 Gew.-% Chrom,
  2. Fluorpolymere,
  3. Glas oder Email,
  4. Nickel oder Nickel-Legierungen mit mehr als 40 Gew.-% Nickel,
  5. Tantal oder Tantal-Legierungen,
  6. Titan oder Titan-Legierungen,
  7. Zirkonium oder Zirkonium-Legierungenoder
  8. Niob (Columbium) oder Niob-Legierungen;
  9. Keramische Materialien wie folgt:
    1. Siliziumkarbid mit einer Reinheit größer (besser)/gleich 80 Gew.-%;
    2. Aluminiumoxid mit einer Reinheit größer (besser)/gleich 99,9 Gew.-%;
    3. Zirkondioxid;

h) mehrwandige Rohre mit Leckdetektor-Anschluss, bei denen die medienberührenden Flächen ganz aus einem der folgenden Werkstoffe bestehen:

  1. Legierungen mit mehr als 25 Gew.-% Nickel und 20 Gew.-% Chrom,
  2. Fluorpolymere,
  3. Glas oder Email,
  4. Grafit oder "Carbon-Grafit",
  5. Nickel oder Nickel-Legierungen mit mehr als 40 Gew.-% Nickel,
  6. Tantal oder Tantal-Legierungen,
  7. Titan oder Titan-Legierungen,
  8. Zirkonium oder Zirkonium-Legierungenoder
  9. Niob (Columbium) oder Niob-Legierungen;

i) Pumpen mit Mehrfachdichtung und dichtungslose Pumpen mit einer vom Hersteller angegebenen maximalen Förderleistung größer als 0,6 m3/h oder Vakuumpumpen mit einer vom Hersteller angegebenen maximalen Förderleistung größer als 5 m3/h (jeweils unter Standard-Bedingungen von 273 K [0°C] und 101,3 kPa) sowie für solche Pumpen konstruierte Pumpengehäuse, vorgeformte Gehäuseauskleidungen, Laufräder, Rotoren oder Strahlpumpendüsen, bei denen die medienberührenden Flächen ganz aus einem der folgenden Werkstoffe bestehen:

  1. Legierungen mit mehr als 25 Gew.-% Nickel und 20 Gew.-% Chrom,
  2. Keramik,
  3. Ferrosiliziumguss,
  4. Fluorpolymere,
  5. Glas oder Email,
  6. Grafit oder "Carbon-Grafit",
  7. Nickel oder Nickel-Legierungen mit mehr als 40 Gew.-% Nickel,
  8. Tantal oder Tantal-Legierungen,
  9. Titan oder Titan-Legierungen,
  10. Zirkonium oder Zirkonium-Legierungenoder
  11. Niob (Columbium) oder Niob-Legierungen;

j) Verbrennungseinrichtungen, entwickelt zur Vernichtung der in Nummer 1C350 genannten Substanzen, mit besonders entwickelten Abfall-Zuführungssystemen, speziellen Handhabungseinrichtungen und einer durchschnittlichen Brennraumtemperatur größer als 1.273 K (1.000°C), wobei die medienberührenden Flächen des Zuführungssystems ganz aus einem der folgenden Werkstoffe bestehen:

  1. Legierungen mit mehr als 25 Gew.-% Nickel und 20 Gew.-% Chrom,
  2. Keramikoder
  3. Nickel oder Nickel-Legierungen mit mehr als 40 Gew.-% Nickel.

Technische Anmerkung:
"Carbon-Grafit" besteht aus amorphem Kohlenstoff und Grafit, wobei der Grafitgehalt 8 Gew-% oder mehr beträgt.

2B351

[A]

Systeme zur Feststellung oder Überwachung toxischer Gase, die nicht von Nummer 1A004 erfasst werden, wie folgt, sowie dafür bestimmte Detektoren:

  1. entwickelt für den kontinuierlichen Betrieb und verwendbar für die Detektion von chemischen Kampfstoffen oder den in Nummer 1C350 genannten Substanzen unterhalb einer Konzentration von 0,3 mg/m3oder
  2. entwickelt für die Detektion cholinesterasehemmender Wirkung.

2B352

[A]

Ausrüstung, geeignet zur Handhabung biologischer Stoffe, wie folgt:

Anmerkung:
Siehe auch Nummer 2B952.

a) vollständige biologische Sicherheitsbereiche, ausgestattet nach den Richtlinien für die Sicherheitsstufen P3 oder P4;

Technische Anmerkung:
Die Sicherheitsstufen P3 oder P4 (BL3, BL4, L3, L4) entsprechen der Definition im WHO-Handbuch Laboratory Biosafety (3. Auflage, Genf 2004).
b) Fermenter, geeignet zur Kultivierung pathogener "Mikroorganismen" oder Viren oder geeignet zur Erzeugung von "Toxinen", ohne Aerosolfreisetzung, mit einer Gesamtkapazität größer/gleich 20 l;

Technische Anmerkung:
Fermenter schließen Bioreaktoren, Chemostate und kontinuierliche Fermentationssysteme ein.
c) Zentrifugalseparatoren, geeignet zur kontinuierlichen Trennung ohne Aerosolfreisetzung, mit allen folgenden Eigenschaften:
  1. Durchflussrate größer als 100 l/h,
  2. Bestandteile aus poliertem Edelstahl oder Titan,
  3. Ein- oder Mehrfachdichtung im Dampfsterilisationsbereichund
  4. geeignet zur In-situ-Sterilisation im geschlossenen Zustand;
  Technische Anmerkung:
Zentrifugalseparatoren schließen Dekanter ein.
d) Ausrüstung, geeignet zur Handhabung biologischer Stoffe, wie folgt:
  1. Kreuz-(Tangential-)stromfilter-Ausrüstung, geeignet zur Abtrennung von pathogenen Mikroorganismen, Viren, Toxinen oder Zellkulturen ohne Aerosolfreisetzung, mit beiden folgenden Eigenschaften:
    a) Gesamtfilterfläche größer/gleich 1 m2und
    b) geeignet zur In-situ-Sterilisation oder zur In-situ-Desinfektion;
    Technische Anmerkung:
Im Sinne von Unternummer 2B352d1b bezeichnet ,Sterilisation" die Entfernung aller vermehrungsfähigen Mikroben von der Ausrüstung durch die Verwendung physikalischer (z.B. Dampf) oder chemischer Agenzien. , Desinfektion ` bezeichnet die Zerstörung der potenziellen mikrobiellen Infektiösität der Ausrüstung durch die Verwendung chemischer Agenzien mit germiziden Effekten. Desinfektion und Sterilisation unterscheiden sich von der Sanitisation. Die Sanitisation bezieht sich auf Reinigungsoperationen, die entwickelt wurden, um die Menge des mikrobiellen Materials auf der Ausrüstung zu verringern ohne notwendigerweise deren völlige Infektiösität oder Vermehrungsfähigkeit zu beseitigen.
  2. Bestandteile von Kreuz-(Tangential-)stromfiltern (z.B. Module, Elemente, Kassetten, Kartuschen oder Platten) mit einer Filterfläche größer/gleich 0,2 m2 pro Bestandteil und konstruiert für die Verwendung in Kreuz-(Tangential-)stromfilter-Ausrüstung, die von Unternummer 2B352dl erfasst wird;

Anmerkung:
Unternummer 2B352d erfasst nicht Umkehrosmose-Ausrüstung gemäß Herstellerangaben.
e) dampfsterilisierbare Gefriertrocknungsanlagen mit einer Eiskapazität des Kondensators größer als 10 kg und kleiner als 1.000 kg in 24 Stunden;
f) Schutz- und Containment-Ausrüstungen wie folgt:
  1. Voll- oder Halbschutzanzüge oder Hauben, die auf die Anbindung an eine externe Luftversorgung angewiesen sind und mit Überdruck betrieben werden,

Anmerkung:
Anzüge, entwickelt für das Tragen mit unabhängigen Atemgeräten, werden von Unternummer 2B352f1 nicht erfasst.
  2. biologische Sicherheitswerkbänke der Klasse III oder Isolatoren mit ähnlichen Leistungsmerkmalen;

Anmerkung:
Die in Unternummer 2B352f2 genannten Isolatoren schließen flexible Isolatoren, Trockenkästen (dry boxes), Kästen für anaerobe Arbeiten, Handschuharbeitskästen und Hauben mit laminarer Strömung (geschlossen mit vertikaler Strömung) ein.
g) Aerosolprüfkammern mit einem Volumen größer/gleich 1 m3, konstruiert für Aerosoleignungsprüfungen von "Mikroorganismen Viren oder "Toxinen".

2B909

Fließdrückmaschinen und Maschinen mit kombinierter Fließdrück- und Drückfunktion, die nicht von Nummer 2B009, 2B109 oder 2B209 erfasst werden, mit allen folgenden Eigenschaften, sowie besonders konstruierte Bestandteile hierfür:

  1. die nach den technischen Beschreibungen des Herstellers mit numerischen Steuerungen, Rechnersteuerungen oder Playback-Steuerungen ausgerüstet werden könnenund
  2. mit einer Supportkraft größer als 60 kN, wenn Käufer- oder Bestimmungsland Nordkorea oder Syrien ist.

2B952

Ausrüstung, geeignet zur Handhabung biologischer Stoffe, die nicht von Nummer 2B352 erfasst wird, wie folgt, wenn Käufer- oder Bestimmungsland Iran, Nordkorea oder Syrien ist:

  1. Fermenter, geeignet zur Kultivierung pathogener "Mikroorganismen" oder Viren oder geeignet zur Erzeugung von "Toxinen", ohne Aerosolfreisetzung, mit einer Gesamtkapazität größer/gleich 10 l;
  2. Rührwerke für von Unternummer 2B952a erfasste Fermenter;

Technische Anmerkung:
Fermenter schließen Bioreaktoren, Chemostate und kontinuierliche Fermentationssysteme ein.

2B993

Ausrüstung für die Abscheidung von metallischen Auflageschichten auf Substrate für nichtelektronische Anwendungen wie folgt sowie besonders konstruierte Bestandteile und besonders konstruiertes Zubehör hierfür, wenn Käufer- oder Bestimmungsland Iran, Nordkorea oder Pakistan ist:

  1. Herstellungsausrüstung für die chemische Beschichtung aus der Gasphase (CVD = chemical vapour deposition);
  2. Herstellungsausrüstung für die physikalische Beschichtung aus der Dampfphase (PVD = physical vapour deposition) mittels Elektronenstrahl (EB - PVD);
  3. Herstellungsausrüstung für die Beschichtung mittels induktiver oder ohmscher Aufheizung.

2C Werkstoffe und Materialien

Kein Eintrag.

2D Datenverarbeitungsprogramme (Software)

2D001

[W, M, N]

"Software", andere als von Nummer 2D002 erfasst, besonders entwickelt oder geändert für die "Entwicklung", "Herstellung" oder "Verwendung" von Ausrüstung, die von Nummer 2A001 oder 2B001 bis 2B009 erfasst wird.

2D002

[W, N]

"Software" für elektronische Bauteile, auch wenn sie in einem elektronischen Bauteil oder System dauerhaft gespeichert ist, die solche Bauteile oder Systeme zu Funktionen einer "numerischen Steuerung" befähigt, die mehr als vier interpolierende Achsen simultan zur "Bahnsteuerung" koordinieren kann.

Anmerkung 1:
Nummer 2D002 erfasst keine" Software", besonders entwickelt oder geändert zur Verwendung in nicht von Kategorie 2 erfassten Werkzeugmaschinen.

Anmerkung 2:
Nummer 2D002 erfasst keine "Software " für Maschinen, die von Nummer 2B002 erfasst werden. Zur Erfassung von "Software "für die von Nummer 2B002 erfassten Maschinen: siehe Nummer 2D001.

2D101

[M]

"Software", besonders entwickelt oder geändert für die "Verwendung" von Ausrüstung, erfasst von Nummer 2B104, 2B105, 2B109, 2B116, 2B117 oder 2B119 bis 2B122.

Anmerkung:
Siehe auch Nummer 9D004.

2D201

[N]

"Software", besonders entwickelt für die "Verwendung" von Ausrüstung, erfasst von Nummer 2B204, 2B206, 2B207, 2B209, 2B219 oder 2B227.

2D202

[N]

"Software", besonders entwickelt oder geändert für die "Entwicklung", "Herstellung" oder "Verwendung" von Ausrüstung, erfasst von Nummer 2E201.

2E Technologie

2E001

[W, M, N, A]

"Technologie" entsprechend der Allgemeinen Technologie-Anmerkung für die "Entwicklung" von Ausrüstung oder "Software", die von Nummer 2A, 2B oder 2D erfasst wird.

2E002

[W, M, N, A]

"Technologie" entsprechend der Allgemeinen Technologie-Anmerkung für die "Herstellung" von Ausrüstung, die von Nummer 2a oder 2B erfasst wird.

2E003

[W]

"Technologie" wie folgt:

a) "Technologie" für die "Entwicklung" von interaktiver Grafik als integraler Bestandteil "numerischer Steuerungen" zur Vorbereitung oder Änderung von Teileprogrammen;
b) "Technologie" für metallbearbeitende Fertigungsverfahren wie folgt:
  1. "Technologie" für den Entwurf von Werkzeugen, Gesenken oder Spannvorrichtungen, besonders entwickelt für eines der folgenden Verfahren:
    a) "superplastisches Umformen",
    b) "Diffusionsschweißen"oder
    c) "hydrostatisches Umformen mit direkter Druckbeaufschlagung",
  2. technische Daten, d. h. Verfahrensbeschreibungen oder Parameter, wie folgt, für die Verfahrenssteuerung:
    a) "superplastisches Umformen" von Aluminium-, Titan- oder "Superlegierungen":
      1. Oberflächenbehandlung,
      2. Dehngeschwindigkeit,
      3. Temperatur,
      4. Druck,
    b) "Diffusionsschweißen" von "Superlegierungen" oder Titanlegierungen:
      1. Oberflächenbehandlung,
      2. Temperatur,
      3. Druck,
    c) "hydrostatisches Umformen mit direkter Druckbeaufschlagung" von Aluminium- oder Titanlegierungen:
      1. Druck,
      2. Dauer des Arbeitsvorgangs,
    d) "heißisostatisches Verdichten" von Titan-, Aluminium- oder "Superlegierungen":
      1. Temperatur,
      2. Druck,
      3. Dauer des Arbeitsvorgangs;
c) "Technologie" für die "Entwicklung" oder "Herstellung" von hydraulischen Streckziehpressen und dazugehörigen Formwerkzeugen zur Fertigung von Bauelementen für Flugzeugzellen;
d) "Technologie" für die "Entwicklung" von Generatoren für die Erstellung von Steuerbefehlen für Werkzeugmaschinen (z.B. Teileprogramme) aus Konstruktionsdaten innerhalb der "numerischen Steuerungen";
e) "Technologie" für die "Entwicklung" von Integrations-"Software" zum Einfügen von "Expertensystemen" in "numerische Steuerungen" zur weit gehenden Unterstützung von Entscheidungen im maschinennahen Bereich;
f) "Technologie" für das Aufbringen von anorganischen Auflageschichten oder anorganischen, oberflächenverändernden Schichten (gemäß Spalte 3 der nachstehenden Tabelle) auf Substrate für nichtelektronische Anwendungen (gemäß Spalte 2 der nachstehenden Tabelle) durch die in Spalte 1 der nachstehenden Tabelle aufgeführten und in der Technischen Anmerkung definierten Verfahren.

Anmerkung:
Tabelle und Technische Anmerkung folgen nach Nummer 2E301.

2E101

[M, N]

"Technologie" entsprechend der Allgemeinen Technologie-Anmerkung für die "Verwendung" von Ausrüstung oder "Software", erfasst von Nummer 2B004, 2B009, 2B104, 2B109, 2B116, 2E119 bis 2B122 oder 2D101.

2E201

[N]

"Technologie" entsprechend der Allgemeinen Technologie-Anmerkung für die "Verwendung" von Ausrüstung oder "Software", erfasst von Nummer 2A225, 2A226, 2B001, 2B006, Unternummer 2B007b oder 2B007c, Nummer 2B008, 2B009, 2B201, 2B204, 2B206, 2B207, 2B209, 2B225 bis 2B232, 2D201 oder 2D202.

2E301

[A]

"Technologie" entsprechend der Allgemeinen Technologie-Anmerkung für die "Verwendung" von Waren, erfasst von Nummer 2B350 bis 2B352.

Tabelle: Abscheidungsverfahren
(Die in Klammern gesetzten Ziffern verweisen auf nachstehende Anmerkungen zu dieser Tabelle.)

1. Beschichtungsverfahren (1) 2. Substrat 3. Schichten
A) Chemische Beschichtung aus der Gasphase (CVD-Beschichten) "Superlegierungen" Aluminide für Innenbeschichtungen
Keramik (19) und Glas mit niedriger Wärmeausdehnung (14) Silicide
Karbide
Dielektrische Schichten (15)
Diamant
Diamantartiger Kohlenstoff (17)
Kohlenstoff-Kohlenstoff-, Keramik- und Metall-"Matrix"-"Verbundwerkstoffe" Silicide
Karbide
Hochschmelzende Metalle
Mischschichten daraus (4)
Dielektrische Schichten (15)
Aluminide
Legierte Aluminide (2)
Bornitrid
Gesintertes Wolframkarbid (16), Siliziumkarbid (18) Karbide
Wolfram
Mischschichten daraus (4)
Dielektrische Schichten (15)
Molybdän und Molybdänlegierungen Dielektrische Schichten (15)
Beryllium und Berylliumlegierungen Dielektrische Schichten (15)
Diamant
Diamantartiger Kohlenstoff (17)
Werkstoffe für Sensorenfenster (9) Dielektrische Schichten (15)
Diamant
Diamantartiger Kohlenstoff (17)
B) Physikalische Beschichtung aus der Gasphase (PVD-Beschichten) durch thermisches Verdampfen (TE-PVD)    
B)1. PVD-Beschichten mittels Elektronenstrahl (EB-PVD) "Superlegierungen" Legierte Silicide
Legierte Aluminide (2)
MCrA1X (5)
modifiziertes Zirkoniumdioxid (12)
Silicide
Aluminide
Mischschichten daraus (4)
Keramik (19) und Glas mit niedriger Wärmeausdehnung (14) Dielektrische Schichten (15)
Korrosionsbeständiger Stahl (7) MCrA1X (5)
Modifiziertes Zirkonium-
dioxid (12)
Mischschichten daraus (4)
Kohlenstoff-Kohlenstoff-, Keramik- und Metall-"Matrix"-"Verbundwerkstoffe" Silicide
Karbide
Hochschmelzende Metalle
Mischschichten daraus (4)
Dielektrische Schichten (15)
Bornitrid
Gesintertes Wolframkarbid (16), Siliziumkarbid (18) Karbide
Wolfram
Mischschichten daraus (4)
Dielektrische Schichten (15)
Molybdän und Molybdänlegierungen Dielektrische Schichten (15)
Beryllium und Berylliumlegierungen Dielektrische Schichten (15)
Boride
Beryllium
Werkstoffe für Sensorenfenster (9) Dielektrische Schichten (15)
Titanlegierungen (13) Boride
Nitride
B) 2. Ionenunterstütztes PVD-Beschichten mittels Widerstandsheizung (PVD-Ionenplattieren) Keramik (19) und Glas mit niedriger Wärmeausdehnung (14) Dielektrische Schichten (15)
Diamantartiger Kohlenstoff (17)
Kohlenstoff-Kohlenstoff-, Keramik- und Metall-"Matrix"-"Verbundwerkstoffe" Dielektrische Schichten (15)
Gesintertes Wolframkarbid (16), Siliziumkarbid Dielektrische Schichten (15)
Molybdän und Molybdänlegierungen Dielektrische Schichten (15)
Beryllium und Berylliumlegierungen Dielektrische Schichten (15)
Werkstoffe für Sensorenfenster (9) Dielektrische Schichten (15)

Diamantartiger Kohlenstoff (17)
B) 3. PVD-Beschichten:
"Laser"-Verdampfung		 Keramik (19) und Glas mit niedriger Wärmeausdehnung (14) Silicide

Dielektrische Schichten (15)

Diamantartiger Kohlenstoff (17)
Kohlenstoff-Kohlenstoff-, Keramik- und Metall-"Matrix"-"Verbundwerkstoffe" Dielektrische Schichten (15)
Gesintertes Wolframkarbid (16), Siliziumkarbid Dielektrische Schichten (15)
Molybdän und Molybdänlegierungen Dielektrische Schichten (15)
Beryllium und Berylliumlegierungen Dielektrische Schichten (15)
Werkstoffe für Sensorenfenster (9) Dielektrische Schichten (15)

Diamantartiger Kohlenstoff
B) 4. Physikalische Abscheidung aus der Gasphase (PVD): Kathodenzerstäubung durch Bogenentladung (Arc-Verdampfen) "Superlegierungen" Legierte Silicide
Legierte Aluminide (2)
MCrAIX (5)
Polymere (11) und "Verbundwerkstoffe" mit organischer "Matrix" Boride
Karbide
Nitride
Diamantartiger Kohlenstoff (17)
C) Pack-Beschichten [Pack-Beschichten ohne direkten Pulverkontakt (outof-pack) (10): siehe oben unter A] Kohlenstoff-Kohlenstoff-, Keramik- und Metall-"Matrix"-"Verbundwerkstoffe" Silicide
Karbide
Mischschichten daraus (4)
Titanlegierungen (13) Silicide
Aluminide
Legierte Aluminide (2)
Hochschmelzende Metalle und Legierungen (8) Silicide
Oxide
D) Plasmaspritzen "Superlegierungen" MCrA1X (5)
Modifiziertes Zirkoniumdioxid (12)
Mischschichten daraus (4)
Nickel-Grafit-Einlaufbeläge
Ni-Cr-Alhaltige Einlaulbeläge
Al-Si-Polyester-Einlaufbeläge
Legierte Aluminide (2)
Aluminiumlegierungen (6) MCrA1X (5)
Modifiziertes Zirkoniumdioxid (12)
Silicide
Mischschichten daraus (4)
Hochschmelzende Metalle und Legierungen (8) Aluminide
Silicide
Karbide
Korrosionsbeständiger Stahl (7) MCrA1X (5)
Modifiziertes Zirkoniumdioxid (12)
Mischschichten daraus (4)
Titanlegierungen (13) Karbide
Aluminide
Silicide
Legierte Aluminide (2)
Nickel-Grafit-Einlaufbeläge
Ni-Cr-Alhaltige Einlaufbeläge
AI-Si-Polyester-Einlaufbeläge
E) Schlickerbeschichten Hochschmelzende Metalle und Legierungen (8) Aufgeschmolzene Silicide
Aufgeschmolzene Aluminide, ausgenommen für Widerstandsheizelemente
Kohlenstoff-Kohlenstoff-, Keramik- und Metall-"Matrix"-"Verbundwerkstoffe" Silicide
Karbide
Mischschichten daraus (4)
F) Kathodenzerstäubungsbeschichtung (Sputtern/Aufstäuben) "Superlegierungen" Legierte Silicide
Legierte Aluminide (2)
Mit Edelmetallen modifizierte Aluminide (3)
MCrAIX (5)
Modifiziertes Zirkoniumdioxid (12)
Platin
Mischschichten daraus (4)
Keramik und Glas mit niedriger Wärmeausdehnung (14) Silicidc
Platin
Mischschichten daraus (4)
Dielektrische Schichten (15)
Diamantartiger Kohlenstoff (17)
Titanlegierungen (13) Boride
Nitride
Oxide
Silicide
Aluminide
Legierte Aluminide (2)
Karbide
Kohlenstoff-Kohlenstoff-, Keramik- und Metall-"Matrix"-"Verbundwerkstoffe" Silicide
Karbide
Hochschmelzende Metalle
Mischschichten daraus (4)
Dielektrische Schichten (15)
Bornitrid
Gesintertes Wolframkarbid (16), Siliziumkarbid (18) Karbide
Wolfram
Mischschichten daraus (4)
Dielektrische Schichten (15)
Bornitrid
Molybdän und Molybdänlegierungen Dielektrische Schichten (15)
Beryllium und Berylliumlegierungen Boride
Dielektrische Schichten (15)
Beryllium
Werkstoffe für Sensorenfenster (9) Dielektrische Schichten (15)
Diamantartiger Kohlenstoff (17)
Hochschmelzende Metalle und Legierungen (8) Aluminide
Silicide
Oxide
Karbide
G) Ionenimplantation Hochwarmfeste Lagerstähle Zusatz von Chrom, Tantal oder Niob (Columbium)
Titanlegierungen (13) Boride
Nitride
Beryllium und Berylliumlegierungen Boride.
Gesintertes Wolframkarhid (161 Karbide
Nitride

Anmerkungen zur Tabelle - Abscheidungsverfahren:

  1. Die ,Beschichtungsverfahren` schließen das Ausbessern und Erneuern von Schichten ebenso ein wie die Originalbeschichtung.
  2. ,Legierte Aluminid"-Beschichtung schließt das Beschichten nach Einzel- oder Mehrschrittverfahren ein, bei denen ein oder mehrere Elemente vor oder während des Aufbringens der Aluminid-Schicht abgeschieden werden, selbst wenn diese Elemente nach einem anderen Beschichtungsverfahren aufgebracht werden. Es Schließt jedoch nicht die mehrfache Anwendung von Einzelschritt-Packbeschichtungsverfahren zur Erzielung von legierten Aluminidschichten ein.
  3. ,Mit Edelmetallen modifizierte Aluminid"-Beschichtung schließt die Mehrschrittbeschichtungen ein, bei denen das Edelmetall oder die Edelmetalle vor der Aluminidschicht durch ein anderes Beschichtungsverfahren aufgebracht wird/werden.
  4. Der Ausdruck ,Mischschichten daraus" schließt infiltrierten Werkstoff, abgestufte Zusammensetzungen, Simultanabscheidungen und Mehrschichten-Abscheidungen ein. Sie werden durch Anwendung eines oder mehrerer der in der Tabelle aufgeführten Beschichtungsverfahren hergestellt.
  5. ,MCrAIX` bezieht sich auf eine Beschichtungslegierung, bei der ,M` für Cobalt, Eisen, Nickel oder Kombinationen aus diesen Elementen und ,X` für Hafnium, Yttrium, Silizium, Tantal in jeder gewünschten Menge oder für sonstige beabsichtigte Zusätze über 0,01 Masseprozent in unterschiedlichen Verhältnissen und Mischungen steht, ausgenommen
    1. CoCrAlY-Schichten, die weniger als 22 Masseprozent Chrom, weniger als 7 Masseprozent Aluminium und weniger als 2 Masseprozent Yttrium enthalten,
    2. CoCrAlY-Schichten, die 22 bis 24 Masseprozent Chrom, 10 bis 12 Masseprozent Aluminium und 0,5 bis 0,7 Masseprozent Yttrium enthaltenoder
    3. NiCrAlY-Schichten, die 21 bis 23 Masseprozent Chrom, 10 bis 12 Masseprozent Aluminium und 0,9 bis 1,1 Masseprozent Yttrium enthalten.
  6. "Aluminiumlegierungen" beziehen sich auf Legierungen mit einer Zugfestigkeit von 190 MPa oder mehr, gemessen bei einer Temperatur von 293 K (20°C).
  7. ,Korrosionsbeständige Stähle" beziehen sich auf Stähle der AISI-Nummernreihe 300 (AISI = American Iron and Steel Institute) oder Stähle vergleichbarer nationaler Normen.
  8. "Hochschmelzende Metalle und Legierungen" schließen die folgenden Metalle und ihre Legierungen ein: Niob (Columbium), Molybdän, Wolfram und Tantal.
  9. "Werkstoffe für Sensorenfenster" wie folgt: Aluminiumoxid, Silizium, Germanium, Zinksulfid, Zinkselenid, Galliumarsenid, Diamant, Galliumphosphid, Saphir und die folgenden Metallhalogenide: Werkstoffe für Sensorenfenster mit einem Durchmesser von mehr als 40 mm bei Zirkoniumfluorid und Hafniumfluorid.
  10. Kategorie 2 erfasst nicht die "Technologie" für das Pack-Beschichten im Einzelschrittverfahren von massiven Turbinenschaufelblättern.
  11. ,Polymere` wie folgt: Polyimid, Polyester, Polysulfid, Polycarbonate und Polyurethane.
  12. ,Modifiziertes Zirkoniumdioxid" bezieht sich auf Zirkoniumdioxid mit Zusätzen von anderen Metalloxiden (z.B. Calciumoxid, Magnesiumoxid, Yttriumoxid, Hafniumoxid, Seltenerdoxide) zur Stabilisierung bestimmter Kristallphasen und Phasenzusammensetzungen. Wärmedämmschichten aus Zirkoniumdioxid, das durch Mischung oder Verschmelzung mit Calciumoxid oder Magnesiumoxid modifiziert wurde, werden nicht erfasst.
  13. ,Titanlegierungen` beziehen sich nur auf in der Luft- und Raumfahrt verwendete Legierungen, die über eine Zugfestigkeit von 900 MPa oder mehr verfügen, gemessen bei einer Temperatur von 293 K (20°C).
  14. ,Glas mit niedriger Wärmeausdehnung" bezieht sich auf Glas mit einem Wärmeausdehnungskoeffizienten von 1 x 10-7 K-1 oder weniger, gemessen bei einer Temperatur von 293 K (20°C).
  15. ,Dielektrische Schichten" sind Mehrfachschichten aus Isolierstoffen, wobei die Interferenzeigenschaften eines Schichtsystems, das aus Werkstoffen mit unterschiedlichem Brechungsindex besteht, zur Reflexion, Transmission oder Absorption von Wellen verschiedener Längenbereiche verwendet werden. ,Dielektrische Schichten" bestehen aus mehr als vier dielektrischen Lagen oder mehr als vier Dielektrikum/Metall-"Verbundwerkstoff"lagen.
  16. ,Gesintertes Wolframkarbid" bezieht sich nicht auf Werkstoffe für Schneid- und Formwerkzeuge aus Wolframkarbid/(Cobalt, Nickel), Titankarbid/(Cobalt, Nickel), Chromkarbid/Nickel-Chrom und Chromkarbid/Nickel.
  17. "Technologie", besonders entwickelt zum Abscheiden von diamantartigem Kohlenstoff auf den folgenden Gegenständen, unterliegt nicht der Ausfuhrgenehmigungspflicht:
    Festplatten und Festplattenköpfe, Ausrüstung für die Herstellung von Einwegartikeln, Ventile für Wasserhähne, Lautsprechermembranen, Teile für Automobilmotoren, spangebende Werkzeuge, Stanz- und Presswerkzeuge, Ausrüstung für Büroautomation, Mikrofone, medizinische Geräte oder Formen für das Gießen oder Spritzen von Plastik, wenn sie aus Legierungen hergestellt sind, die weniger als 5 % Beryllium enthalten.
  18. ,Siliziumkarbid` schließt nicht Materialien für spanende und umformende Werkzeuge ein.
  19. Keramiksubstrate, wie sie in dieser Position benutzt werden, beinhalten nicht Keramikmaterialien mit einem Anteil größer/gleich 5 Gew.-% an Lehm oder Bindemittel als separater Bestandteil oder als Kombination.

Technische Anmerkung zur Tabelle - Abscheidungsverfahren:
Die in Spalte 1 der Tabelle angegebenen Verfahren sind wie folgt definiert:

a) Chemische Beschichtung aus der Gasphase (CVD-Beschichten) ist ein Verfahren zum Aufbringen von Auflageschichten oder oberflächenverändernden Schichten, bei dem ein Metall, eine Legierung, ein "Verbundwerkstoff", ein Dielektrikum oder Keramik auf einem erhitzten Substrat abgeschieden wird. Gasförmige Reaktanten werden im oberflächennahen Bereich eines Substrats zersetzt oder verbunden, wobei der gewünschte Schichtstoff als Element, Legierung oder Verbindung auf dem Substrat abgeschieden wird. Die für die Zersetzung oder chemische Reaktion benötigte Energie wird entweder durch die Hitze des Substrats, durch die elektrische Entladung in einem Glimmlichtplasma oder durch "Laser"strahlen geliefert.

Anmerkung 1:
Das CVD-Beschichten schließt föigende Verfahren ein: Abscheidung mittels gerichtetem Gasfluss ohne direkten Pulverkontakt des Substrats (out ofpack), CVD-Beschichten mit pulsierendem Druck, thermische Zersetzung mit geregelter Keimbildung (CNTD), plasmaverstärktes oder -unterstütztes CVD-Beschichten.

Anmerkung 2:
Pack-Beschichten bedeutet, dass ein Substrat in ein Pulvergemisch eingebettet wird.

Anmerkung 3:
Die beim Outof-Pack-Verfahren verwendeten gasförmigen Reaktanten werden mit denselben Hauptreaktionen und Parametern erzeugt wie beim Pack-Beschichten, mit der Ausnahme, dass das zu beschichtende Substrat keinen Kontakt mit dem Pulvergemisch hat.
b) Physikalische Beschichtung aus der Gasphase durch thermisches Verdampfen (TE-PVD = thermal evaporation physical vapour deposition) ist ein Beschichtungsverfahren zur Herstellung von Auflageschichten in einem Vakuum bei einem Druck von weniger als 0,1 Pa, wobei Wärmeenergie zum Verdampfen des Schichtwerkstoffes eingesetzt wird. Bei diesem Verfahren wird das dampfförmige Beschichtungsmaterial durch Kondensation oder Abscheidung auf entsprechend positionierten Substraten aufgebracht.

Die Zufuhr von Gasen in die Vakuumkammer während des Beschichtungsvorgangs zum Zwecke der Synthese von zusammengesetzten Schichten ist eine übliche Variante dieses Verfahrens.

Die Verwendung von Ionen- oder Elektronenstrahlen oder von Plasma zur Einleitung oder Förderung des Abscheidungsvorgangs ist ebenfalls eine übliche Variante dieses Verfahrens. Der Einsatz von Monitoren zur Messung der optischen Eigenschaften und der Schichtdicke während des Beschichtungsvorgangs kann ein Merkmal dieser Verfahren sein.

Spezifische TE-PVD-Verfahren sind folgende:
  1. Beim PVD-Beschichten mittels Elektronenstrahl wird das Beschichtungsmaterial mittels Elektronenstrahl erhitzt und verdampft.
  2. Beim PVD-Beschichten mittels ionenunterstützter Widerstandsheizung werden Heizquellen mit elektrischem Widerstand in Kombination mit auftreffendem(n) Ionenstrahl(en) verwendet, mit dem ein kontrollierter und gleichmäßiger Fluss aus verdampftem Beschichtungsmaterial erzeugt wird.
  3. Bei der "Laser"-Verdampfung werden zum Verdampfen des Beschichtungsmaterials Impuls"laser" oder Dauerstrich-"Laser" verwendet.
  4. Bei der Kathodenzerstäubung durch Bogenentladung (Arc-Verdampfen) wird eine selbstverzehrende Kathode verwendet, die aus dem Beschichtungsmaterial besteht. Dabei wird durch den Momentkontakt einer geerdeten Zündelektrode auf der Kathodenoberfläche eine Lichtbogenentladung ausgelöst. Durch die kontrollierte Bewegung des Lichtbogens wird die Kathodenoberfläche abgetragen, wobei ein hochionisiertes Plasma entsteht. Als Anode kann entweder ein am Rande der Kathode über einem Isolator angebrachter Kegel oder die Kammer selbst verwendet werden. Bei nicht geradliniger Abscheidung wird an das Substrat eine Vorspannung angelegt.
Anmerkung:
Diese Definition beinhaltet nicht die Kathodenzerstäubungsabscheidung mit unkontrollierter Bogenentladung und Substraten ohne Vorspannung.
  5. Ionenplattieren ist eine spezielle Variante eines allgemeinen TE-PVD-Verfahrens, bei dem ein Plasma oder eine Ionenquelle zur Ionisierung des Beschichtungsmaterials verwendet und an das Substrat eine negative Vorspannung angelegt wird, um die Abscheidung des Beschichtungsmaterials aus dem Plasma zu fördern. Die Einbringung von reaktiven Stoffen, die Verdampfung von Feststoffen im Reaktionsbehälter und der Einsatz von Monitoren zur Messung der optischen Eigenschaften und der Schichtdicke während des Bcschichtungsvorgangs sind übliche Varianten dieses Verfahrens.
c) Pack-Beschichten ist ein Verfahren zur Herstellung von oberflächenverändernden Schichten oder Auflageschichten, bei dem das Substrat in ein Pulvergemisch eingebettet wird, das aus folgenden Stoffen besteht:
  1. den Metallpulvern, die abgeschieden werden sollen (normalerweise Aluminium, Chrom, Silizium oder Gemische daraus),
  2. einem Aktivator (normalerweise ein Halogenid)und
  3. einem inerten Pulver, in der Regel Aluminiumoxid.
  Das Substrat und das Pulvergemisch befinden sich in einer Retorte, die auf eine Temperatur zwischen 1.030 K (757 °C) und 1.375 K (1.102 °C) erhitzt wird, wobei die Haltezeit ausreichend bemessen sein muss, um die Beschichtung abzuscheiden.
d) Plasmaspritzen ist ein Verfahren zur Herstellung von Auflageschichten, wobei mit einer Plasmaspritzpistole, die ein Plasma erzeugt und regelt, Spritzwerkstoffe in Pulver- oder Drahtform aufgenommen, aufgeschmolzen und auf die Oberfläche des Substrats geschleudert werden. Dabei entsteht auf dem Substrat eine homogene, gut haftende Schicht. Plasmaspritzen bezieht sich auf Niederdruckplasmaspritzen oder Hochgeschwindigkeitsplasmaspritzen.

Anmerkung 1:
Niederdruck bezeichnet einen Druck unterhalb des normalen Atmosphärendrucks.

Anmerkung 2:
Hochgeschwindigkeit bezieht sich auf eine Gasgeschwindigkeit am Düsenaustritt von mehr als 750 m/s bei einer Temperatur von 293 K (20 °C) und einem Druck von 0,1 MPa.
e) Schlickerbeschichten (Aufbringen von Schichten durch Aufschlämmen) ist ein Verfahren zur Herstellung von oberflächenverändernden Schichten oder Auflageschichten, bei dein ein Metall- oder Keramikpulver zusammen mit einem organischen Binder in einer Flüssigkeit suspendiert und durch Aufspritzen, Tauchen oder Aufpinseln auf ein Substrat aufgebracht wird. Die gewünschte Schicht wird anschließend durch Luft- oder Ofentrocknung und Wärmebehandlung gebildet.
f) Kathodenzerstäubungsbeschichtung (Sputtern/Aufstäuben) ist ein Verfahren zur Herstellung von Auflageschichten, das auf dem Prinzip der Impulsübertragung beruht. Dabei werden positiv geladene Ionen mit Hilfe eines elektrischen Feldes auf die Oberfläche eines targets (Beschichtungsmaterial) geschossen. Die Bewegungsenergie der auftreffenden Ionen reicht aus, um Atome aus der Oberfläche des targets herauszulösen, die sich auf einem entsprechend angebrachten Substrat niederschlagen.

Anmerkung 1:
Die Tabelle bezieht sich ausschließlich auf das Abscheiden mittels Trioden- oder Magnetronanlagen oder reaktivem Aufstäuben, wodurch die Haftfestigkeit der Schicht und die Beschichtungsrate erhöht werden, sowie auf das beschleunigte Au/stäuben mittels einer am target anliegenden HF-Spannung, wodurch nichtmetallische Schichtwerkstoffe zerstäubt werden können.

Anmerkung 2:
Ionenstrahlen mit niedriger Energie (weniger als 5 keV) können verwendet werden, um die Abscheidung zu aktivieren.
g) Ionenimplantation ist ein oberflächenveränderndes Beschichtungsverfahren, bei dem das zu legierende Element ionisiert, durch ein Spannungsgefälle beschleunigt und in die Oberfläche des Substrats implantiert wird. Dies schließt Verfahren ein, bei denen neben der Ionenimplantation gleichzeitig das PVD-Beschichten mittels Elektronenstrahl und das Sputtern/Aufstäuben zur Anwendung kommen.

Kategorie 3 - Allgemeine Elektronik

3A Systeme, Ausrüstung und Bestandteile

Anmerkung 1:
Die Erfassung der in den Nummern 3A001 oder 3A002 - ohne die Unternummern 3A001a3 bis 3A001a10 oder 3A001a12 - beschriebenen Ausrüstung, Baugruppen und Bauelemente, die besonders konstruiert sind oder dieselben Funktionsmerkmale wie andere Waren aufweisen, richtet sich nach deren Erfassungsstatus.

Anmerkung 2:
Die Erfassung der in den Unternummern 3A001a3 bis 3A001a9 oder 3A001a12 beschriebenen integrierten Schaltungen, die festprogrammiert sind oder für eine bestimmte Funktion entwickelt wurden, richtet sich nach dem Erfassungsstatus der Waren, in denen sie verwendet werden.

Ergänzende Anmerkung:
Wenn der Hersteller oder Ausführer den Erfassungsstatus der anderen für die Endbenutzung vorgesehenen Ware nicht festlegen kann, richtet sich die Erfassung der integrierten Schaltungen nach den Unternummern 3A001a3 bis 3A001a9 oder 3A001a12.

3A001

[W]

Elektronische Bauelemente und Baugruppen und besonders konstruierte Bestandteile hierfür wie folgt:

a) integrierte Schaltungen für allgemeine Anwendungen wie folgt:

Anmerkung 1:
Die Erfassung von (fertigen oder noch nicht fertigen) Wafern, deren Funktion festliegt, richtet sich nach den Parametern von Unternummer 3A001a.

Anmerkung 2:
Zu den integrierten Schaltungen gehören: "monolithisch integrierte Schaltungen", "integrierte Hybrid-Schaltungen", "integrierte Multichip-Schaltungen"

"integrierte Schichtschaltungen" einschließlich integrierter Schaltungen in SOS-Technologie,

integrierte optische Schaltungen".
[M]
  1. integrierte Schaltungen, entwickelt oder ausgelegt für eine der folgenden Strahlungsfestigkeiten:
    a) Gesamtdosis größer/gleich 5 x 103 Gy (Silizium),
    b) Dosisrate größer/gleich 5 x 106 Gy (Silizium)/soder
    c) integrierter Teilchenfluss (integrated flux) der Neutronen (1 MeV-Äquivalent) größer/gleich 5 x 1013 n/cm` bezogen auf Silizium oder der äquivalente Wert für andere Materialien.

Anmerkung:
Unternummer 3A001a1c gilt nicht für Metall/Isolator/Halbleiter-Strukturen (MIS-Strukturen).
  [M]    
  2. "Mikroprozessoren", "Mikrocomputer", Mikrocontroller, elektrisch löschbare, programmierbare Festwertspeicher (EEPROMs), Flash-Speicher, statische Speicher (SRAM), aus einem Verbindungshalbleiter hergestellte integrierte Speicherschaltungen, Analog-Digital-Wandler, Digital-Analog-Wandler, elektrooptische oder "integrierte optische Schaltungen" für die "Signaldatenverarbeitung", anwenderprogrammierbare Logikschaltkrcisc (FPLDs), kundenspezifische integrierte Schaltungen, deren Funktion oder deren Erfassungsstatus in Bezug auf die Endbenutzergeräte unbekannt ist, oder FFT-Prozessoren (Fast Fourier Transform) mit einer der folgenden Eigenschaften:
    a) ausgelegt für eine Betriebstemperatur über 398 K (+ 125°C),
    b) ausgelegt für eine Betriebstemperatur unter 218 K (- 55°C)oder
    c) ausgelegt für einen Bereich von 218 K (- 55°C) bis 398 K (+ 125°C),
      Anmerkung:
Unternummer 3A001a2 gilt nicht für integrierte Schaltungen, die in zivilen Kraftfahrzeugen oder Eisenbahnzügen verwendet werden.
  3. "Mikroprozessoren", "Mikrocomputer" und Mikrocontroller, hergestellt aus einem Verbindungshalbleiter und mit einer Taktfrequenz größer als 40 MHz,
    Anmerkung:

Unternummer 3A001a3 schließt digitale Signal-Prozessoren, Vektorprozessoren und Coprozessoren ein.
  4. Speicherschaltungen aus einem Verbindungshalbleiter,
  [M]  
  5. Analog-Digital- und Digital-Analog-Wandlerschaltungen wie folgt:
    a) Analog-Digital-Wandler mit einer der folgenden Eigenschaften:

Anmerkung: siehe auch Nummer 3A101.
      1. Auflösung größer/gleich 8 bit, aber kleiner als 10 bit, mit einer Ausgaberate größer als 500 Millionen Ausgabewörter pro Sekunde,
      2. Auflösung größer/gleich 10 bit, aber kleiner als 12 bit, mit einer Ausgaberate größer als 200 Millionen Ausgabewörter pro Sekunde,
      3. Auflösung von 12 bit mit einer Ausgaberate größer als 105 Millionen Ausgabewörter pro Sekunde,
      4. Auflösung größer als 12 bit, aber kleiner/gleich 14 bit, mit einer Ausgaberate größer als 10 Millionen Ausgabewörter pro Sekundeoder
      5. Auflösung größer als 14 bit mit einer Ausgaberate größer als 2,5 Millionen Ausgabewörter pro Sekunde,
    b) Digital-Analog-Wandler mit einer Auflösung größer/gleich 12 bit und einer "Einstellzeit" (settling time) kleiner als 10 ns,
    Technische Anmerkungen:

1. Eine Auflösung von n Bit entspricht einer Quantisierung von 2" Zuständen.

2. Die Anzahl der Bits im Ausgabewort ist gleich der Auflösung des Analog-Digital-Wandlers.

3. Die Ausgaberate ist die maximale Ausgaberate des Konverters, ungeachtet der Architektur oder der Übertastung (oversampling). Anbieter können die Ausgaberate auch als Abtastrate (sampling rate). Wandlungsrate (conversion rate) oder Durchsatzrate (throughput rate) bezeichnen. Sie wird oft in Megahertz (MHz) oder Megasample pro Sekunde (MSPS) angegeben.

4. Zum Zwecke der Messung der Ausgaberate entspricht ein Datenwort pro Sekunde einem Hertz oder einem Sample pro Sekunde.
  6. elektrooptische oder "integrierte optische Schaltungen", entwickelt für die "Signaldatenverarbeitung" und mit allen folgenden Eigenschaften:
    a) mit einer oder mehreren internen "Laser"-Diode(n),
    b) mit einem oder mehreren internen lichtempfindlichen Element(en)und
    c) mit optischen Strahlführungselementen,
  7. ,anwenderprogrammierbare Logikschaltkreise" (FPLDs) mit einer der folgenden Eigenschaften:
    a) maximale Anzahl digitaler Ein-/Ausgaben größer als 200oder
    b) Gatterwert des Systems (system gate count) von mehr als 230.000;
    Anmerkung:
Unternummer 3A001a7 schließt ein:
  • SPLDs (Simple Programmable Logic Devices),
  • CPLDs (Complex Programmable Logic Devices),
  • FPGAs (Field Programmable Gate Arrays),
  • FPLAs (Field Programmable Logic Arrays),
  • FPICs (Field Programmable Interconnects).

Technische Anmerkungen:
1. FPLAs und FPGAs werden auch FPLDs (Field Programmable Logic Devices) genannt.
2. Die maximale Anzahl der digitalen Ein-/Ausgänge in Unternummer 3A001a7a wird auch als die maximale Anzahl der Benutzer-Ein-/Aus-
  8. nicht belegt,
  9. integrierte Schaltungen für neuronale Netze,
  10. kundenspezifische integrierte Schaltungen, deren Funktion unbekannt ist oder deren Erfassungsstatus in Bezug auf die Endbenutzergeräte dem Hersteller nicht bekannt ist, mit einer der folgenden Eigenschaften:
    a) mehr als 1.500 Anschlüsse,
    b) typische "Signallaufzeit des Grundgatters" (basic gate propagation delay time) kleiner als 0,02 nsoder
    c) Betriebsfrequenz größer als 3 GHz,
  11. andere als die in den Unternummern 3A001a3 bis 3A001a10 oder 3A001a12 beschriebenen digitalen, integrierten Schaltungen, die auf einem Verbindungshalbleiter hasieren und eine der folgenden Eigenschaften aufweisen:
    a) Gatteräquivalent (equivalent gate count) größer als 3.000 (Gatter mit zwei Eingängen)oder
    b) Umschalt-Frequenz (toggle frequency) größer als 1,2 GHz,
  12. FFT-Prozessoren (Fast Fourier Transform), ausgelegt für eine komplexe FFT mit n Punkten in weniger als n x log2en/20.480 ms;

Technische Anmerkung:
Wenn n gleich 1024 ist, dann ergibt die Formel in 3A001a12 eine Berechnungszeit von 500µs.
b) Mikro- oder Millimeterwellenbauelemente oder -baugruppen wie folgt:
  1. elektronische Vakuumröhren und Kathoden wie folgt:

Anmerkung 1:
Unternummer 3A001b1 erfasst nicht Röhren, entwickelt oder ausgelegt für den Betrieb in einem Frequenzband mit allen folgenden Eigenschaften:
    a) Das Frequenzband überschreitet nicht 31,8 GHzund
    b) ist " von der ITU zugewiesen" für Funkdienste, jedoch nicht für Ortungsfunkdienste.
    Anmerkung 2:
Unternummer 3A001 bl erfasst keine nicht "weltraumgeeigneten" Röhren, mit allen folgenden Eigenschaften:
    a) mittlere Ausgangsleistung kleiner/gleich 50 Wund
    b) entwickelt oder ausgelegt für den Betrieb in einem Frequenzband mit allen folgenden Eigenschaften:
      1. Das Frequenzband überschreitet 31,8 GHz, aber nicht 43,5 GHzund
      2. ist "von der ITU zugewiesen" für Funkdienste, jedoch nicht für Ortungsfunkdienste.
    a) Wanderfeldröhren für Impuls- oder Dauerstrichbetrieb wie folgt:
      1. Röhren betrieben bei Frequenzen oberhalb 31,8 GHz,
      2. Röhren mit einem Kathodenheizelement, das eine Einschaltzeit von weniger als 3 Sekunden bis zum Erreichen der HF-Nennleistung ermöglicht,
      3. hohlraumgekoppelte oder davon abgeleitete Röhren, mit einer "normierten Bandbreite" größer als 7 % oder einer Spitzenleistung größer als 2,5 kW,
      4. Wendelröhren oder davon abgeleitete Röhren mit einer der folgenden Eigenschaften:
        a) "Momentan-Bandbreite" größer als eine Oktave und Produkt der mittleren Leistung (in Kilowatt) und der Frequenz (in Gigahertz) größer als 0,5,
        b) "Momentan-Bandbreite" kleiner/gleich eine Oktave und Produkt der mittleren Leistung (in Kilowatt) und der Frequenz (in Gigahertz) größer als 1oder
        c) "weltraumgeeignet",
    b) Cross-Field-Verstärkerröhren mit einem Verstärkungsfaktor größer als 17 dB,
    c) getränkte (impregnated) Kathoden, entwickelt für elektronische Röhren, zur Erzeugung einer Stromdichte größer als 5 A/cm2 bei kontinuierlicher Emission und Nenn-Betriebsbedingungen,
  2. "monolithisch integrierte Schaltungen" (Leistungsverstärker) für Mikrowellen (MMIC power amplifiers) mit einer der folgenden Eigenschaften:
      a) ausgelegt für den Betrieb bei Frequenzen größer 3,2 GHz bis einschließlich 6 GHz und mit einer mittleren Ausgangsleistung größer als 4 Watt (36 dBm) bei einer "normierten Bandbreite" (fractional bandwidth) größer als 15 %,
      b) ausgelegt für den Betrieb bei Frequenzen größer 6 GHz bis einschließlich 16 GIlz und mit einer mittleren Ausgangsleistung größer als 1 Watt (30 dßm) bei einer "normierten Bandbreite" (fractional bandwidth) größer als 10 %,
      c) ausgelegt für den Betrieb bei Frequenzen größer 16 GHz bis einschließlich 31,8 GHz und mit einer mittleren Ausgangsleistung größer als 0,8 Watt (29 dBm) bei einer "normierten Bandbreite" (fractional bandwidth) größer als 10 %,
      d) ausgelegt für den Betrieb bei Frequenzen größer 31,8 GHz bis einschließlich 37,5 GHz,
      e) ausgelegt für den Betrieb bei Frequenzen größer 37,5 GHz bis einschließlich 43,5 GHz und mit einer mittleren Ausgangsleistung größer als 0,25 Watt (24 dBm) bei einer "normierten Bandbreite" (fractional bandwidth) größer als 10 % oder
      f) ausgelegt für den Betrieb bei Frequenzen größer als 43,5 GHz,
      Anmerkung 1:
Unternummer 3A001 b2 erfasst nicht Ausrüstung für Rundfunksatelliten, konstruiert oder ausgelegt für den Betrieb im Frequenzbereich von 40,5 GHz bis 42,5 GHz.

Anmerkung 2:
Der Erfassungsstatus von MM1C deren Betriebsfrequenzbereich Frequenzen in mehr als einem der in Unternummer 3A001b2a bis 3A001b2f definierten Frequenzbereiche überstreicht, richtet sich nach dem niedrigsten Grenzwert für die mittlere Ausgangsleistung.

Anmerkung 3:
Die Anmerkungen 1 und 2 am Beginn der Kategorie 3 bedeuten, dass die Unternummer 3A001b2 keine MM1C erfasst, die für andere Anwendungen besonders konstruiert sind, wie z.B. Telekommunikation, Radar, Kraftfahrzeuge.
  3. diskrete Mikrowellentransistoren mit einer der folgenden Eigenschaften:
    a) ausgelegt für den Betrieb bei Frequenzen größer 3,2 GHz bis einschließlich 6 GHz und mit einer mittleren Ausgangsleistung größer als 60 Watt (47,8 dBm),
    b) ausgelegt für den Betrieb bei Frequenzen größer 6 GHz bis einschließlich 31,8 GHz und mit einer mittleren Ausgangsleistung größer als 20 Watt (43 dBm),
    c) ausgelegt für den Betrieb bei Frequenzen größer 31,8 GHz bis einschließlich 37,5 GHz und mit einer mittleren Ausgangsleistung größer als 0,5 Watt (27 dBm),
    d) ausgelegt für den Betrieb bei Frequenzen größer 37,5 GHz bis einschließlich 43,5 GHz und mit einer mittleren Ausgangsleistung größer als 1 Watt (30 dBm) oder
    e) ausgelegt für den Betrieb bei Frequenzen größer als 43,5 GHz,

Anmerkung:
Der Erfassungsstatus von Mikrowellentransistoren, deren Betriebsfrequenzbereich Frequenzen in mehr als einem der in Unternummer 3A001b3a bis 3A001b3e definierten Frequenzbereiche überstreicht, richtet sich nach dem niedrigsten Grenzwert für die mittlere Ausgangsleistung.
  4. Halbleitermikrowellenverstärker, Mikrowellenbaugruppen, die Mikrowellenhalbleiterverstärker enthalten, und Mikrowellenmodule, die Mikrowellenhalbleiterverstärker enthalten, mit einer der folgenden Eigenschaften:
    a) ausgelegt für den Betrieb bei Frequenzen größer 3,2 GHz bis einschließlich 6 GHz und mit einer mittleren Ausgangsleistung größer als 60 Watt (47,8 dBm) bei einer "normierten Bandbreite" (fractional bandwidth) größer als 15 %,
    b) ausgelegt für den Betrieb bei Frequenzen größer 6 GHz bis einschließlich 31,8 GHz und mit einer mittleren Ausgangsleistung größer als 15 Watt (42 dBm) bei einer "normierten Bandbreite" (fractional bandwidth) größer als 10 %,
    c) ausgelegt für den Betrieb bei Frequenzen größer 31,8 GHz bis einschließlich 37,5 GHz,
    d) ausgelegt für den Betrieb bei Frequenzen größer 37,5 GHz bis einschließlich 43.5 GHz und mit einer mittleren Ausgangsleistung größer als 1 Watt 30 dBm) bei einer "normierten Bandbreite" (fractional bandwidth) größer als 10 %,
    e) ausgelegt für den Betrieb bei Frequenzen größer als 43,5 GHz oder
    f) ausgelegt für den Betrieb bei Frequenzen größer 3,2 GHz und mit allen folgenden Eigenschaften:
      1. mittlere Ausgangsleistung P (in Watt) größer als 150 geteilt durch das Quadrat der maximalen Betriebsfrequenz (in GHz)
[P < 150 W *GHz2/fGHz2],
      2. "normierte Bandbreite" größer/gleich 5 %und
      3. Länge d (in cm) zweier zueinander rechtwinkliger Seiten kleiner/ gleich 15 geteilt durch die kleinste Betriebsfrequenz in GHz
[d<15cm*GHz/fGHz],
    Technische Anmerkung:
Bei Verstärkern, deren spezifizierter Betriebsfrequenzbereich 3,2 GHz unterschreitet, soll in der Berechnungsformel nach Unternummer 3A001b4f3 als unterer Grenzwert 3,2 GHz verwendet werden [d. h. d ≤ 15cm *GHz/3,2 GHz].

Anmerkung 1:
Unternummer 3A001 b4 erfasst nicht Ausrüstung für Rund anksatelliten, konstruiert oder ausgelegt für den Betrieb im Frequenzbereich von 40,5 GHz bis 42,5 GHz.

Anmerkung 2:
Der Erfassungsstatus von Ausrüstung, deren Betriebsfrequenzbereich Frequenzen in mehr als einem der in Unternummer 3A001b4a bis 3A001b4e definierten Frequenzbereiche überstreicht, richtet sich nach dem niedrigsten Grenzwert für die mittlere Ausgangsleistung.

Ergänzende Anmerkung:
Monolithisch integrierte Mikrowellen-Leistungsverstärkerschaltungen (MMIC power amplif ers) sind nach den Leistungsmerkmalen der Unternummer 3A001b2 zu bewerten.
  5. elektronisch oder magnetisch abstinmmbare Bandpassfilter oder Bandsperrfilter mit mehr als fünf abstimmbaren Resonatoren, die in weniger als 10 µs über einen Frequenzbereich im Verhältnis 1,5 : 1 (fmax/fmin) abgestimmt werden können, und mit einer der folgenden Eigenschaften:
    a) mit einer Durchlassbandbreite größer als 0,5 % der Mittenfrequenzoder
    b) mit einer Sperrbandbreite kleiner als 0,5 % der Mittenfrequenz,
  6. nicht belegt,
  7. Umsetzer und Oberwellenmischer, entwickelt um den Frequenzbereich von Ausrüstung gemäß Unternummer 3A002c, 3A002d, 3A002e oder 3A002f über die dort genannten Grenzwerte hinaus zu erweitern,
  8. Mikrowellenleistungsverstärker mit von Unternummer 3A001b1 erfassten Röhren und allen folgenden Eigenschaften:
    a) Betriebsfrequenz größer als 3 GHz,
    b) mittleres Verhältnis von Ausgangsleistungsdichte zu Masse größer als 80 W/kgund
    c) Volumen kleiner als 400 cm3,
    Anmerkung:
Unternummer 3A001b8 erfasst nicht Ausrüstung, konstruiert oder ausgelegt für den Einsatz in einem Frequenzband, das für Funkdienste, jedoch nicht für Ortungsfunkdienste, "von der ITU zugewiesen" ist.
  9. Mikrowellenleistungsmodule (microwave power modules, MPM) bestehend aus mindestens einer Wanderfeldröhre, einer "monolithisch integrierten Mikrowellenschaltung" (MMIC) und einer integrierten elektronischen Regelung der Stromversorgung und mit allen folgenden Eigenschaften:
    a) ,Hochlaufzeit" bis auf Nennleistung kleiner als 10 Sekunden,
    b) Volumen kleiner als die maximale spezifizierte Leistung in Watt multipliziert mit 10 cm3/Wund
    c) "Momentanbandbreite" größer als 1 Oktave (fmax > 2min) und mit einer der folgenden Eigenschatten:
      1. HF-Ausgangsleistung größer 100 W im Frequenzbereich kleiner/ gleich 18 GHzoder
      2. Frequenzbereich größer als 18 GHz;
    Technische Anmerkungen:

1. Die Berechnung des Volumens in Unternummer 3A001b9b wird durch folgendes Beispiel erläutert: Für eine maximale spezifizierte Leistung von 20 Watt ergibt sich 20 W x 10 cm3/W = 200 cm3.

2. Die ,Hochlaufzeit` in Unternummer 3A001b9a bezieht sich auf die Zeit vom Zustand des vollständigen Ausgeschalteiseins bis zum Zustand der vollständigen Betriebsfähigkeit, d. h. die Aufwärmzeit des Moduls ist eingeschlossen
10. Oszillatoren oder Oszillator-Baugruppen, konstruiert für den Betrieb mit allen folgenden Eigenschaften:
a) Phasenrauschen im Einseitenband (SSB) in dBc/Hz besser als -(126 + 20log10 F - 20log10 f) für 10 kHz < F ≤ 10 kHzund
b) Phasenrauschen im Einseitenband (SSB) in dBc/Hz besser als -(114 + 20log10 F - 20log10 f) für 10 kHz ≤ F < 500 kHz;
Technische Anmerkung:
F steht in Unternummer 3A001b10 für den Abstand von der Betriebsfrequenz (in Hertz) und f für die Betriebsfrequenz (in Megahertz).
c) Akustikwellenvorrichtungen wie folgt und besonders konstruierte Bestandteile hierfür:
  1. Vorrichtungen mit akustischen Oberflächenwellen (surface acoustic waves) und mit akustischen, oberflächennahen Volumenwellen (surface skimming [shallow bulk] acoustic waves), mit einer der folgenden Eigenschaften:
    a) Trägerfrequenz größer als 6 GHz,
    b) Trägerfrequenz größer als 1 GHz und kleiner/gleich 6 GHz und mit einer der folgenden Eigenschaften:
      1. Frequenz-Nebenkeulendämpfung größer als 65 dB,
      2. Produkt aus maximaler Verzögerungszeit (in Mikrosekunden) und Bandbreite (in Megahertz) größer als 100,
      3. Bandbreite größer als 250 MHzoder
      4. dispergierende Verzögerung größer als 10 µsoder
    c) Trägerfrequenz kleiner/gleich 1 GHz und mit einer der folgenden Eigenschaften:
      1. Produkt aus maximaler Verzögerungszeit (in Mikrosekunden) und Bandbreite (in Megahertz) größer als 100,
      2. dispergierende Verzögerung größer als 10 µsoder
      3. ,Frequenz-Nebenkeulendämpfung` größer als 65 dB und Bandbreite größer als 100 MHz,
Technische Anmerkung:
,Frequenz-Nebenkeulendämpfung` ist der im Datenblatt angegebene Dämpfungshöchstwert.
  2. akustische Volumenwellenvorrichtungen, mit denen die unmittelbare Aufbereitung von Signalen bei einer Frequenz größer als 6 GHz möglich ist,
  3. akustischoptische "Signaldatenverarbeitungs"-Vorrichtungen, die die Wechselwirkung zwischen Schallwellen (Volumen- oder Oberflächenwellen) und Lichtwellen ausnutzen und die eine unmittelbare Aufbereitung von Signalen oder Bildern ermöglichen einschließlich Spektralanalyse, Korrelation oder Konvolution (Faltung);
Anmerkung:
Unternummer 3A001c erfasst nicht Akustikwellenvorrichtungen mit lediglich einem Bandpass-, Tiefpass-, Hochpass- oder Kerbfilter oder einer Resonanzfunktion.
d) elektronische Bauelemente oder Schaltungen, die Bauteile aus "supraleitenden" Werkstoffen enthalten, besonders konstruiert für den Betrieb bei Temperaturen unter der "kritischen Temperatur" von wenigstens einem ihrer "supraleitenden" Bestandteile und mit einer der folgenden Eigenschaften:
  1. Stromschalter für digitale Schaltungen mit "supraleitenden" Gattern mit einem Produkt aus Laufzeit pro Gatter (in Sekunden) und Verlustleistung je Gatter (in Watt) kleiner als 10-14 Joder
  2. Frequenzselektion bei allen Frequenzen mit Resonanzkreisen, die Gütefaktoren von mehr als 10.000 aufweisen;
e) hochenergietechnische Geräte wie folgt:
  1. ,Zellen` wie folgt:
    a) ,Primärzellen` mit einer "Energiedichte" größer 550 Wh/kg bei 20°C,
    b) ,Sekundärzellen` mit einer "Energiedichte" größer 250 Wh/kg;

Technische Anmerkungen:
      1. Im Sinne von Unternummer 3A001e1 wird die ,Energiedichte" (Wh/kg) berechnet aus der Nominalspannung multipliziert mit der nominellen Kapazität (in Amperestunden (Ah)) geteilt durch die Masse (in Kilogramm). Falls die nominelle Kapazität nicht angegeben ist, wird die Energiedichte berechnet aus der quadrierten Nominalspannung multipliziert mit der Entladedauer (in Stunden), dividiert durch die Entladelast (in Ohm) und die Masse (in Kilogramm).
      2. Im Sinne von Unternummer 3A001el wird , Zelle" definiert als ein elektrochemisches Bauelement, das über positive und negative Elektroden sowie über den Elektrolyten verfügt und eine Quelle für elektrische Energie ist. Sie ist die Grundeinheit einer Batterie.
      3. Im Sinne von Unternummer 3A001e1a wird ,Primärzelle` definiert als eine ,Zelle`, die nicht durch irgendeine andere Quelle aufgeladen werden kamt.
      4. Im Sinne von Unternummer 3A001e1b wird ,Sekundärzelle ` definiert als eine ,Zelle", die durch eine externe elektrische Quelle aufgeladen werden kann.
      Anmerkung:
3A001el erfasst nicht Batterien. Dies schließt auch Batterien, die aus einzelnen Zellen bestehen (single cell hatteries), ein.
[N]    
  2. Hochenergie-Speicherkondensatoren wie folgt:

Anmerkung: siehe auch Unternummer 3A201A.
    a) Kondensatoren mit einer Folgefrequenz kleiner als 10 Hz (single shot capacitors) und mit allen folgenden Eigenschaften:
      1. Nennspannung größer/gleich 5 kV,
      2. Energiedichte größer/gleich 250 J/kgund
      3. Gesamtenergie größer/gleich 25 kJ,
    b) Kondensatoren mit einer Folgefrequenz größer/gleich 10 Hz (repetition rated capacitors) und mit allen folgenden Eigenschaften
      1. Nennspannung größer/gleich 5 kV,
      2. Energiedichte größer/gleich 50 J/kg,
      3. Gesamtenergie größer/gleich 100 Jund
      4. Lebensdauer größer/gleich 10.000 Ladungs-/Entladungszyklen:
[N]    
  3. "supraleitende" Elektromagnete oder Zylinderspulen, besonders konstruiert, um in weniger als einer Sekunde vollständig geladen oder entladen zu werden, und mit allen folgenden Eigenschaften:

Anmerkung: siehe auch Unternummer 3A201B.

Anmerkung:
Unternummer 3A001e3 erlässt nicht "supraleitende" Elektromagnete oder Zylinderspulen, besonders konstruiert für medizinisches Gerät für Magnetresonanzbilderzeugung (Magnetic Resonance Imaging).
    a) Energieabgabe während der ersten Sekunde der Entladung größer als 10 kJ,
    b) innerer Durchmesser der Strom führenden Windungen größer als 250 mmund
    c) spezifiziert für eine magnetische Induktion größer als 8 Tesla oder eine "Gesamtstromdichte" (overall current density) in der Windung größer als 300 A/mm2;
  4. "weltraumgeeignete" Solarzellen, CIC-Baugruppen (cellinterconnectcoverglass assemblies), Solarpaneele und Solararrays, mit einem minimalen mittleren Wirkungsgrad größer 20 % gemessen bei einer Betriebstemperatur von 301 K (28°C) und einer simulierten ,AMO`-Beleuchtung mit einer Strahlungsleistung von 1,367 Watt pro Quadratmeter (W/m2).

Technische Anmerkung:
,AM0" oder ,Air Mass Zero `bezieht sich auf die spektrale Verteilung der Strahlungsleistung des Sonnenlichts in der äußeren Erdatmosphäre, wenn der Abstand zwischen Erde und Sonne eine Astronomische Einheit (1 AU) beträgt.
f) Absolut-Drehwinkelgeber mit einer Genauigkeit kleiner oder gleich (besser) als ± 1,0 Bogensekunden.
[N]
g) Thyristoren und ,Thyristormodule` für den Impulsbetrieb, die elektrisch, optisch oder durch Elektronenstrahl (electron radiation) geschaltet werden, und mit einer der folgenden Eigenschaften:
  1. Maximale Einschalt-Stromsteilheit (di/dt) größer als 30.000 Alias und Sperrspannung größer 1100 Voder
  2. maximale Einschalt-Stromsteilheit (di/dt) größer als 2.000 Alps und mit allen folgenden Eigenschaften:
    a) Spitzensperrspannung größer/gleich 3.000 Vund
    b) Stoßstromgrenzwert (peak (surge) current) größer/gleich 3.000 A.
Anmerkung 1:
Unternummer 3A001g schließt ein:
  • SCRs (Silicon Controlled Rectifaers)
  • ETTs (Electrical Triggering Thyristors)
  • LTTs (Light Triggering Thyristors)
  • IGCTs (Integrated Gate Commutated Thyristors)
  • GTOs (Gate Turnoff Thyristors)
  • MCTs (.IOS Controlled Thyristors)
  • Solidtrons

Anmerkung 2:
Unternummer 3A001g erfasst nicht Thyristoren und , Thvristormodule", die eingebaut sind in Ausrüstung, die für Anwendungen in zivilen Schienenfahrzeugen oder "zivilen Luftfahrzeugen" entworfen ist.

Technische Anmerkung:
Im Sinne von Unternummer 3A001g enthält ein , Thyristormodul" einen oder mehrere Thyristoren.
h) Halbleiter-Leistungsschalter, Leistungsdioden oder ,Module" mit allen folgenden Eigenschaften:
1. ausgelegt für eine maximale Betriebstemperatur des pn-Übergangs größer als 488K (215 °C),
2. periodische Spitzenspannung im ausgeschalteten Zustand (blocking voltage) größer 300 Vund
3. Dauerstrom größer 1 A.
Anmerkung 1:
Periodische Spitzenspannung im ausgeschalteten Zustand in Unternummer 3A001 h schließt ein: Drain-Source-Spannung, Kollektor-Emitter-Spannung, periodische Spitzensperrspannung und periodische Spitzenblockierspannung im aus geschalteten Zustand.

Anmerkung 2:
Unternummer 3A001h schließt ein:

  • JFETs (Junction Field Effect Transistors)
  • VJFETs (Vertical Junction Field Effect Transistors)
  • MOSFETs (Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistors)
  • DMOSFETs (Double Diffused Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistors)
  • IGBTs (Insulated Gate Bipolar Transistors)
  • HEMTs (High Electron Mobility Transistors)
  • BJTs (Bipolar Junction Transistors)
  • SCRs (Thyristors and Silicon Controlled Rectifiers)
  • GTOs (Gate Turn-Off Thyristoren)
  • ETOs (Emitter Turn-Off Thyristoren)
  • PIN-Dioden
  • Schottky-Dioden

Anmerkung 3:
Unternummer 3A001 h erfasst nicht Schalten Dioden oder "Module" die enthalten sind in Ausrüstung, welche entwickelt wurde für Anwendungen in zivilen Automobilen, zivilen Eisenbahnen oder "zivilen Flugzeugen".

Technische Anmerkung:
Im Sinne von Unternummer 3A001h enthält ein "Modul" einen oder mehrere Halbleiter-Leistungsschalter oder Leistungsdioden.

3A002

[W]

Elektronische Ausrüstung für allgemeine Zwecke und Zubehörteile hierfür wie folgt:

a) Aufzeichnungsgeräte wie folgt und besonders entwickelte Test-Magnetbänder hierfür:
  1. analoge Messmagnetbandgeräte einschließlich solcher, die die Aufnahme digitaler Signale gestatten, z.B. mit einem high density digital recording (HDDR) module, mit einer der folgenden Eigenschaften:
    a) Bandbreite größer als 4 MHz je elektronischem Kanal oder je Spur,
    b) Bandbreite größer als 2 MHz je elektronischem Kanal oder je Spur und mit mehr als 42 Spurenoder
    c) Zeitfehler gegenüber der Zeitbasis (time displacement [base] error), gemessen in Übereinstimmung mit den zutreffenden IRIG- oder EIA-Normen, kleiner als ± 0,1 µs,
    Anmerkung:
Analoge Magnetbandgeräte, besonders konstruiert für zivile Videoanwendungen, werden nicht als Messmagnetbandgeräte im Sinne von Unternummer 3A002a1 betrachtet.
  2. digitale Videomagnetbandgeräte mit einer höchsten Bit-Übertragungsrate (der digitalen Schnittstelle) größer als 360 Mbit/s,

Anmerkung:
Unternummer 3A002a2 erfasst nicht digitale Videomagnetbandgeräte, besonders konstruiert für Fernsehaufzeichnungen mit einem Signalformat, das ein komprimiertes Signalformat enthalten kann, genormt oder empfohlen von ITU, IEC, SMPTE, EBU, ETSI oder IEEE für zivile Fernsehanwendungen.
  3. digitale Mess-/Datenaufzeichnungsmagnetbandgeräte mit Schrägschriftverfahren oder Festkopfverfahren und mit einer der folgenden Eigenschaften:
    a) maximale Übertragungsrate über die digitale Schnittstelle größer als 175 Mbit/soder
    b) "weltraumgeeignet",
    Anmerkung:
Unternummer 3A002a3 erfasst nicht Analogmagnetbandgeräte, die mit einer Umsetzelektronik für digitale Aufzeichnungen hoher Dichte (HDDR) ausgestattet und so konfiguriert sind, dass sie nur digitale Daten aufzeichnen können.
  4. Einrichtungen mit einer maximalen Übertragungsrate über die digitale Schnittstelle größer als 175 Mbit/s und konstruiert, um digitale Videobandgeräte als digitale Messmagnetbandgeräte einsetzen zu können,
  5. Signal-Digitalisierer (waveform digitisers) und Transientenrekorder mit allen folgenden Eigenschaften:
    a) Digitalisierungsrate größer/gleich 200 x 106Abtastwerte (samples) pro Sekunde und einer Auflösung von 10 bit oder mehrund
    b) ,kontinuierlicher Datendurchlauf von 2 Gbit/s oder mehr,
    Technische Anmerkungen:
  1. Für solche Geräte mit einer parallelen Bus-Architektur ist der, kontinuierliche Datendurchlauf" die höchste Wortgeschwindigkeit (word rate) multipliziert mit der Anzahl der Bit pro Wort.
  2. Der ,kontinuierliche Datendurchlauf" ist der schnellste Datenfluss (dato rate), den das Gerät ohne Informationsverlust und bei gleich bleibender Abtastrate und A/D-Wandlung an den Massenspeicher ausgeben kann.
  6. digitale Instrumentenrekorder, die Magnetplatten als Speichermedium verwenden, und mit allen folgenden Eigenschaften:
    a) Digitalisierungsrate größer/gleich 100 x 106 Ahtastwerte (samples) pro Sekunde und einer Auflösung von 8 bit oder mehrund
    b) ,kontinuierlicher Datendurchlauf` von 1 Gbit/s oder mehr;
b) elektronische "Frequenz-Synthesizer"-Baugruppen mit einer "Frequenzumschaltzeit" für das Umschalten von einer gewählten Frequenz zu einer anderen kleiner als 1 ms;

Anmerkung:

Der Erfassungsstatus von "Signalanalysatoren Signalgeneratoren, Netzwerkanalysatoren und Mikrowellen-Meßempfängern, die als Einzelgeräte verwendet werden (standalone instrurnents), richtet sich nach den Unternummern 3A002c, 3A002d, 3A002e und 3A002f.
c) Funkfrequenz-"Signalanalysatoren" wie folgt:
  1. "Signalanalysatoren", geeignet zur Analyse von Frequenzen größer als 31,8 GHz und kleiner/gleich 37,5 GHz mit einer 3 dB-Auflösebandbreite (resolution handwidth, RBW) größer als 10 MHz,
  2. "Signalanalysatoren", geeignet zur Analyse von Frequenzen größer als 43,5 GHz,
  3. "dynamische Signalanalysatoren" mit einer "Echtzeitbandbreite" größer als 500 kHz;
    Anmerkung:
Unternummer 3A002c3 erfasst nicht "dynamische Signalanalysatoren", die nur konstante, prozentuale Bandbreitenfilter verwenden (auch bekannt als Oktaven- oder Teiloktavenfilter).
d) mit Frequenzsynthese arbeitende Signalgeneratoren, die Ausgangsfrequenzen erzeugen, deren Genauigkeit sowie Kurz- und Langzeitstabilität vom geräteeigenen Hauptreferenzoszillator gesteuert, abgeleitet oder geregelt werden, und die eine der folgenden Eigenschaften aufweisen:
  1. größte, durch Frequenzsynthese erzeugte Ausgangsfrequenz größer als 31,8 GHz, aber nicht größer als 43,5 GHz sowie ausgelegt, um eine ,Impulsbreite` kleiner als 100 ns zu generieren,
  2. größte, durch Frequenzsynthese erzeugte Ausgangsfrequenz größer als 43,5 GHz,
  3. "Frequenzumschaltzeit" für das Umschalten von einer gewählten Frequenz zu einer anderen gemäß einer der folgenden Spezifikationen:
    a. kleiner 312 ps,
    b. kleiner 100 µs für jeden Frequenzwechsel größer 1,6 GHz innerhalb des synthetisierten Frequenzbereiches größer 3,2 GHz bis kleiner/gleich 10,6 GHz,
    c. kleiner 250 µs für jeden Frequenzwechsel größer 550 MHz innerhalb des synthetisierten Frequenzbereiches größer 10,6 GHz bis kleiner/gleich 31,8 GHz,
    d. kleiner 500 µs für jeden Frequenzwechsel größer 550 MHz innerhalb des synthetisierten Frequenzbereiches größer 31,8 GHz bis kleiner/gleich 43,5 GHzoder
    e. kleiner 1 ms innerhalb des synthetisierten Frequenzbereiches größer 43,5 GHzoder
  4. größte, durch Frequenzsynthese erzeugte Ausgangsfrequenz größer als 3,2 GHz mit allen folgenden Eigenschaften:

Technische Anmerkung:
F steht in Unternummer 3A002d4 für den Abstand von der Betriebsfrequenz (in Hertz) undffiir die Betriebsfrequenz (in Megahertz).
    Anmerkung 1:
Im Sinne von Unternummer 3A002d schließen mit Frequenzsynthese arbeitende Signalgeneratoren auch Arbiträrgeneratoren (arbiträry waveform generators) und Funktionsgeneratoren ein.

Anmerkung 2:
Unternummer 3A002d erfasst nicht Geräte, in denen die Ausgangsfrequenz entweder durch Addition oder Subtraktion von zwei oder mehreren quarzgesteuerten Oszillatorfrequenzen oder durch Addition oder Subtraktion und darauffolgende Multiplikation des Ergebnisses erzeugt wird.

Technische Anmerkungen:

  1. Arbiträrgeneratoren und Funktionsgeneratoren werden üblicherweise spezifiziert durch die Abtastrate (GSample/s), die durch den Nyquistfaktor 2 in den Frequenzbereich übertragen wurde. Das bedeutet beispielsweise, dass eine arbiträre Wellenform, die mit 1 GSample/s abgetastet wurde, eine direkte Ausgangsfrequenz (direct output capability) von 500 MHz hat. Oder, falls Übertastung (oversampling) benutzt wird, dass die maximale direkte Ausgangsfrequenz proportional geringer wird.
  2. Im Sinne der Unternummer 34002d1 ist die ,Impulsbreite" als das Zeitintervall definiert, in dem der Impuls an der Vorderflanke 90 % und an der Rückflanke 10 % seines Spitzenwertes erreicht.
e) Netzwerkanalysatoren mit einer höchsten Betriebsfrequenz größer als 43,5 GHz;
f) Mikrowellenmessempfänger mit allen folgenden Eigenschaften:
  1. höchste Betriebsfrequenz größer als 43,5 GHz und
  2. geeignet zur gleichzeitigen Messung von Amplitude und Phase;
g) Atomfrequenznormale mit einer der folgenden Eigenschaften:
  1. "weltraumgeeignet";
  2. Atomfrequenznormale außer Rubidiumnormale mit einer Langzeitstabilität kleiner (besser) als 1 x 10-11 pro Monatoder
  3. nicht "weltraumgeeignet" und mit allen folgenden Eigenschaften:
    a) Rubidiumnorrnale,
    b) Langzeitstabilität kleiner (besser) als 1 x 10-11 pro Monat
    c) Gesamtleistungsaufnahme geringer als 1 W.

3A003

[W]

Sprühkühlsysteme (spray cooling thermal management systems), die geschlossene Kreisläufe für das Fördern und Wiederaufbereiten von Flüssigkeiten in hermetisch abgedichteten Gehäusen verwenden, in denen eine dielektrische Flüssigkeit mittels besonders konstruierter Sprühdüsen auf Bauteile gesprüht wird, dafür entwickelt, elektronische Bauelemente in ihrem Betriebstemperaturbereich zu halten, sowie besonders konstruierte Bestandteile hierfür.

3A101

[M]

Elektronische Ausrüstung, Geräte und Komponenten, die nicht von Nummer 3A001 erfasst werden, wie folgt:

  1. Analog-Digital-Wandler, geeignet für "Flugkörper", besonders robust konstruiert (ruggedized), um militärischen Spezifikationen zu genügen;
  2. Beschleuniger, geeignet zur Erzeugung elektromagnetischer Strahlung, erzeugt durch Bremsstrahlung mit Elektronenenergien größer/gleich 2 MeV, und Systeme, die solche Beschleuniger enthalten.

Anmerkung:
Unternummer 3A101b erfasst nicht Ausrüstung, besonders konstruiert für medizinische Zwecke.

3A102

[M]

,Thermalbatterien` entwickelt oder modifiziert für ,Flugkörper`. Technische Anmerkungen:

  1. Im Sinne von 3A102 ist eine ,Thermalbatterie" eine Batterie zur einmaligen Verwendung, die ein festes, nichtleitendes, anorganisches Salz als Elektrolyt enthält. Solche Batterien enthalten ein pyrolytisches Material, das nach der Zündung den Elektrolyten aufschmilzt und die Batterie aktiviert.
  2. Im Sinne von Unternummer 3A102 bedeutet "Flugkörper" vollständige Raketensysteme und unbemannte Luftfahrzeugsysteme, die für Entfernungen größer 300 km geeignet sind.

3A201

Elektronische Ausrüstung, die nicht von Nummer 3A001 erfasst wird, wie folgt:

[N]

a) Kondensatoren mit einer der folgenden Kombinationen von Eigenschaften:
  1.  
    a) Betriebsspannung größer als 1,4 kV,
    b) gespeicherte Energie größer als 10 J,
    c) Kapazität größer als 0,51 µFund
    d) Reiheninduktivität kleiner als 50 nHoder
  2.    
    a) Betriebsspannung größer als 750 V
    b) Kapazität größer als 0,25 µFund
    c) Reiheninduktivität kleiner als 10 nH;
b) Supraleitende Solenoid-Elektromagnete mit allen folgenden Eigenschaften:
  1. geeignet zum Aufbau magnetischer Felder größer als 2 Tesla,
  2. Verhältnis Länge / innerer Durchmesser größer als 2,
  3. Innendurchmesser größer als 300 mmund
  4. Gleichmäßigkeit des Magnetfeldes im Bereich der innenliegenden 50 % des inneren Volumens besser als 1 %;
  Anmerkung:
Unternummer 3A201b erfasst nicht Magnete, die besonders konstruiert sind für medizinische NMR-Bildsysteme (nuclear magnetic resonance imaging systems) und als Teile davon exportiert werden. Dabei ist es nicht notwendig, dass alle Teile in einer Lieferung zusammengefasst sind. Jedoch muss aus den Ausfuhr-Dokumenten jeder Einzellieferung eindeutig hervorgehen, dass es sich um Teile der Gesamtlieferung handelt.
c) Röntgenblitzgeneratoren oder gepulste Elektronenbeschleuniger mit einer der folgenden Kombinationen von Eigenschaften:
  1.  
    a) Spitzenelektronenenergie des Beschleunigers größer/gleich 500 keV und kleiner als 25 MeVund
    b) ,Gütefaktor` K größer/gleich 0,25oder
  2.  
    a) Spitzenelektronenenergie des Beschleunigers größer/gleich 25 MeVund
    b) ,Spitzenleistung` größer als 50 MW.
  Anmerkung:

Unternummer 3A201c erfasst nicht Beschleuniger als Bestandteile von Geräten, die für die Anwendungsgebiete außerhalb der Elektronen- oder Röntgenbestrahlung (z.B. Elektronenmikroskopie) oder für medizinische Zwecke entwickelt wurden.

Technische Anmerkungen:
    1. Im Sinne von Unternummer 3A201c ist der ,Gütefaktor` K definiert als:

K = 1,7 x 103 x V2,65 x Q

V = Spitzenelektronenenergie in MeV

Bei einer Dauer des Strahlpulses kleiner/gleich 1 µs ist Q die gesamte beschleunigte Ladung in Coulomb. Falls die Dauer größer ist als 1 µs, ist Q die maximale beschleunigte Ladung in 1 µs.

Q = Integral des Strahlstromes i in Ampere über der Dauer t in Sekunden bis zum kleineren Wert von 1 µs oder der Dauer des Strahlpulses (Q =fidt).
    2. ,Spitzenleistung` = Produkt aus Spitzenpotenzial in Volt und Spitzenstrahlstrom in Ampere.
    3. Im Sinne von Unternummer 3A201c ist bei Beschleunigern, die auf Hohlraumresonatoren basieren (microivave accelerating cavities), die Dauer des Strahlpulses der kleinere Wert von 1 µs oder der Dauer des Strahlbündels, das durch einen Modulatorimpuls erzeugt wird.
    4. Bei Beschleunigern, die auf Hohlraumresonatoren basieren, ist der Spitzenstrahlstrom der Durchschnittsstrom während der Dauer eines Strahlbündels.

3A225

[N]

Frequenzumwandler oder Generatoren, die nicht von Unternummer OBOOlb13 erfasst werden, mit allen folgenden Eigenschaften:

  1. Mehrphasenausgang mit einer Leistung größer/gleich 40 W,
  2. Frequenzbereich von 600 Hz bis 2.000 Hz,
  3. Klirrfaktor kleiner (besser) als 10 %und
  4. Frequenzstabilisierung kleiner (besser) als 0,1 %.

Technische Anmerkung:
Frequenzumwandler im Sinne von Nummer 3A225 werden auch als Konverter oder Inverter bezeichnet.

3A226

[N]

Hochenergie-Gleichstromversorgungsgeräte, die nicht von Unternummer 0B001j6 erfasst werden, mit allen folgenden Eigenschaften:

  1. Erzeugung von 100 V oder mehr im Dauerbetrieb über einen Zeitraum von 8 h mit einem Ausgangsstrom größer/gleich 500 a und
  2. Strom- oder Spannungsregelung kleiner (besser) als 0,1 % über einen Zeitraum von 8 h.

3A227

[N]

Hochspannungs-Gleichstromversorgungsgeräte, die nicht von Unternummer 013001j5 erfasst werden, mit allen folgenden Eigenschaften:

  1. Erzeugung von 20 kV oder mehr im Dauerbetrieb über einen Zeitraum von 8 h mit einem Ausgangsstrom größer/gleich 1 aund
  2. Strom- oder Spannungsregelung kleiner (besser) als 0,1 % über einen Zeitraum von 8 h.

3A228*

[N]

Schaltelemente wie folgt:

a) Kaltkathodenröhren mit oder ohne Gasfüllung, die wie Schaltfunkenstrecken funktionieren, mit allen folgenden Eigenschaften:
  1. mit drei oder mehr Elektroden,
  2. spezifizierte Anodenspitzenspannung größer/gleich 2,5 kV,
  3. spezifizierter Anodenspitzenstrom größer/gleich 100 Aund
  4. Zündverzögerungszeit kleiner/gleich 10 µs;
  Anmerkung:

Nummer 3A228 schließt gasgefüllte Krytrons und Vakuum-Sprytrons ein.
b) getriggerte Schaltfunkenstrecken mit allen folgenden Eigenschaften:
  1. Zündverzögerungszeit kleiner/gleich 15 µsund
  2. spezifiziert für Spitzenströme größer/gleich 500 A;
c) Module oder Baugruppen zum schnellen Schalten, die nicht von Unternummer 3A001g erfasst werden, mit allen folgenden Eigenschaften:
  1. spezifizierte Anodenspitzenspannung größer als 2 kV,
2. spezifizierter Anodenspitzenstrom größer/gleich 500 Aund
  3. Einschaltzeit kleiner/gleich 1 µs.

3A229*

[N]

Hochstrom-Impulsgeneratoren wie folgt:

Anmerkung: Siehe auch Liste für Waffen, Munition und Rüstungsmaterial (Teil I A).

Ergänzende Anmerkung:
Zur Erfassung von Zündvorrichtungen für Explosivstoffdetonatoren: siehe Unternummer 1A007a.

a) nicht belegt,

b) modulare elektrische Impulsgeneratoren (Impulsgeber), mit allen folgenden Eigenschaften:

  1. konstruiert für beweglichen oder besonders robusten (ruggedized) Einsatz,
  2. staubdichte Ausführung,
  3. Energieabgabe in weniger als 15 µs,
  4. Ausgangsstrom größer als 100 A,
  5. ,Anstiegszeit` kleiner als 10 ss bei Lasten kleiner als 40 Ohm,
  6. keine Abmessung größer als 25,4 cm,
  7. Gewicht kleiner als 25 kgund
  8. spezifiziert für einen erweiterten Temperaturbereich zwischen 223 K (-50°C) und 373 K (100°C) oder luftfahrttauglich.

Anmerkung:
Unternummer 3A229h schließt Xenon-Blitzlampentreiber ein.

Technische Anmerkung:
Die ,Anstiegszeit" im Sinne von Unternummer 3A229b5 ist definiert als das Zeitintervall von 10 % bis 90 % der Stromamplitude beim Treiben einer ohmschen Last.

3A230

[N]

Hochgeschwindigkeits-Impulsgeneratoren mit allen folgenden Eigenschaften:

  1. Ausgangsspannung größer als 6 V an einer ohmschen Last kleiner als 55 Ohmund
  2. ,Impulsanstiegszeit` kleiner als 500 ps.

Technische Anmerkung:
,Impulsanstiegszeit` im Sinne von Nummer 3A230 ist das Zeitintervall, in dem die Spannungsamplitude zwischen 10 % und 90 % des Maximalwertes beträgt.

3A231*

[N]

Neutronengeneratorsysteme einschließlich Neutronengeneratorröhren mit allen folgenden Eigenschaften:

  1. konstruiert für den Betrieb ohne äußeres Vakuumsystemund
  2. mit elektrostatischer Beschleunigung zur Auslösung einer Tritium-Deuterium-Kernreaktion.

3A232*

[N]

Mehrfachzündersysteme, soweit nicht erfasst von Nummer 1A007, wie folgt:

Anmerkung: Siehe auch Liste für Waffen, Munition und Rüstungsmaterial (Teil 1 A).

Ergänzende Anmerkung:
Zur Erfassung von Detonatoren: siehe Unternummer 1A007b.

  1. nicht belegt,
  2. Vorrichtungen mit einzelnen oder mehreren Detonatoren zum annähernd gleichzeitigen Zünden explosiver Oberflächen größer als 5.000 mm2, mit nur einem Zündsignal und mit einer maximalen zeitlichen Abweichung vom ursprünglichen Zündsignal über der gesamten zu zündenden Oberfläche kleiner als 2,5 µs.

Anmerkung:
Nummer 3A232 erfasst keine Detonatoren, die nur Initialsprengstoffe, wie z.B. Bleiazid, verwenden.

3A233

[N]

Massenspektrometer, die nicht von Unternummer 0B002g erfasst werden, für die Messung von Ionen einer Atommasse größer/gleich 230 amu (atomic mass units) mit einer Auflösung besser als 2 amu bei 230 amu oder größer, und Ionenquellen hierfür wie folgt:

a) induktiv gekoppelte Plasma-Massenspektrometer (ICP/MS),
b) Glühentladungs-Massenspektrometer (GDMS),
c) Thermoionisations-Massenspektrometer (TIMS),
d) Elektronenstoß-Massenspektrometer mit einer Quellenkammer, hergestellt aus UF6-resistenten Werkstoffen, damit ausgekleidet oder plattiert,
e) Molekularstrahl-Massenspektrometer mit einer der folgenden Eigenschaften:
  1. mit einer Quellenkammer, hergestellt aus rostfreiem Stahl oder Molybdän, damit ausgekleidet oder plattiert, und mit einer Kühlfalle, die auf 193 K (-80"C) oder weniger kühlen kann,oder
  2. mit einer Quellenkammer, hergestellt aus UF6-resistenten Werkstoffen, damit ausgekleidet oder plattiert;
f) Massenspektrometer, ausgestattet mit einer Mikrofluorierungs-Ionenquelle, konstruiert für Aktinide oder Aktinidenfluoride.

3B Prüf-, Test- und Herstellungseinrichtungen

3B001

[W]

Ausrüstung für die Fertigung von Halbleiterbauelementen oder -materialien wie folgt sowie besonders konstruierte Bestandteile und besonders konstruiertes Zubehör hierfür:

a) Epitaxieausrüstung wie folgt:
  1. Ausrüstung, geeignet zur Herstellung einer Schicht aus einem anderen Material als Silizium mit einer gleichmäßigen Schichtdicke mit weniger als ± 2,5 % Abweichung auf einer Strecke von größer/gleich 75 mm,

Anmerkung:
Unternummer 3B001a1 erfasst auch Ausrüstung für Atomlagen-Epitaxie (Atomic Layer Epitaxy (ALE)).
  2. MOCVD-(Metal-Organic-Chemical-Vapour-Deposition-)Reaktoren, besonders konstruiert für das Kristallwachstum von Verbindungshalbleitern aus der chemischen Reaktion zwischen Substanzen (Materialien, Werkstoffen), die von Nummer 3C003 oder 3C004 erfasst werden,
  3. Molekularstrahlepitaxic-Ausrüstung, die Gas- oder Feststoff-Quellen verwendet;
b) Ausrüstung, konstruiert für lonenimplantation und mit einer der folgenden Eigenschaften:
  1. Elektronenenergie (Beschleunigungsspannung) größer als 1 MeV,
  2. besonders konstruiert und optimiert, um bei einer Elektronenenergie (Beschleunigungsspannung) kleiner als 2 keV zu arbeiten,
  3. mit Direktschreibbetriehoder
  4. Elektronenenergie größer/gleich 65 keV und Strahlstrom größer/gleich 45 ma für das Implantieren von Sauerstoff mit hoher Energie in ein erhitztes Halbleiter"substrat";
c) Ausrüstung zum anisotropen Trockenätzen im Plasma wie folgt:
  1. Ausrüstung mit Kassettenbetrieb und Ladeschleusen und mit einer der folgenden Eigenschaften:
    a) entwickelt oder optimiert, um einen "CD-Wert (critical dimensions) von kleiner oder gleich 180 nm mit einer 3-Sigma-Abweichung von ± 5 % zu erreichen,oder
    b) entwickelt, um eine Partikeldichte von weniger als 0,04 Partikel/cm2 mit einem messbaren Partikeldurchmesser größer als 0,1 um zu verursachen,
  2. Ausrüstung, besonders konstruiert für die von Unternummer 3B001e erfasste Ausrüstung und mit einer der folgenden Eigenschaften:
    a) entwickelt oder optimiert, um einen CD-Wert (critical dimensions) von kleiner oder gleich 180 nm mit einer 3-Sigma-Abweichung von ± 5 % zu erreichen,oder
    b) entwickelt, um eine Partikeldichte von weniger als 0,04 Partikel/cm2 mit einem messbaren Partikeldurchmesser größer als 0,1 μm zu verursachen;
d) Ausrüstung für plasmaunterstützte chemische Abscheidung (PECVD) wie folgt:
  1. Ausrüstung mit Kassettenbetrieb und Ladeschleusen sowie entwickelt gemäß Herstellerangaben oder optimiert für die Verwendung bei der Herstellung von Halbleiterbauelementen mit einem CD-Wert (critical dimensions) von kleiner/gleich 180 nm,
  2. Ausrüstung, besonders konstruiert für die von Unternummer 3B001e erfasste Ausrüstung sowie entwickelt gemäß Herstellerangaben oder optimiert für die Verwendung bei der Herstellung von Halbleiterbauelementen mit einem CD-Wert (critical dimensions) von kleiner/gleich 180 nm;
e) zentrale Waferhandlingsysteme für das automatische Beladen von Mehrkammersystemen mit allen folgenden Eigenschaften:
  1. Schnittstellen für Waferein- und -ausgabe, an die mehr als zwei Halbleiterprozessgeräte angeschlossen werden können,und
  2. entwickelt, um ein integrales System zur sequenziellen, multiplen Waferverarbeitung innerhalb einer geschlossenen Vakuumumgebung aufbauen zu können;
  Anmerkung:
Unternummer 3B001e erfasst nicht automatische Robotersysteme für das Waferhandling, die nicht für den Betrieb im Vakuum ausgelegt sind.
f) Lithografieanlagen wie folgt:
  1. Stepandrepeat(direct step an wafer)- oder stepandscan(scanner)-Justier- und Belichtungsanlagen für die Waferfertigung, die lichtoptische oder röntgentechnische Verfahren verwenden und eine der folgenden Eigenschaften haben:
    a) Wellenlänge der Lichtquelle kleiner als 245 nmoder
    b) geeignet, ,kleinste auflösbare Strukturbreiten" von kleiner/gleich 180 nm zu erzeugen,
    Technische Anmerkung:
Die ,kleinste auflösbare Strukturbreite" KAS wird berechnet nach der Formel:

KAS = (Wellenlänge der Belichtungsquelle in nm) x (K) / numerische Apertur

wobei K = 0,45

KAS = ,kleinste auflösbare Strukturbreite"
  2. Anlagen für die Imprintlithographie, geeignet für die Herstellung von Strukturen kleiner/gleich 180 nm,.
    Anmerkung:
Unternummer 3B001f2 schließt ein:
  • Anlagen für den Mikrokontaktdruck (micro contact printig tools),
  • Anlagen für den Druck mit heißen Stempeln (hot embossing tools),
  • Anlagen für die Nano-Imprint-Lithographie,
  • Anlagen für S-FIL (step and flash imprint lithography).
  3. Anlagen, besonders konstruiert für die Maskenherstellung oder die Herstellung von Halbleiterbauelementen, die Direktschreibverfahren verwenden, mit allen folgenden Eigenschaften:
    a) Verwendung von abgelenkten, fokussierten Elektronenstrahlen, Ionenstrahlen oder "Laser"strahlenund
    b) mit einer der folgenden Eigenschaften
      1. Auflösungsvermögen kleiner als 0,2 µm,
      2. Fähigkeit, Strukturen mit Abmessungen kleiner als 1 µm zu erzeugen,oder
      3. Justiergenauigkeit (overlay accuracy) besser als ± 0,20 µm (3 Sigma);
g) Masken oder Reticles, entwickelt für von Nummer 3A001 erfasste integrierte Schaltungen;
h) Multilayer-Masken mit einer phasenverschiebenden Schicht;
  Anmerkung:
Unternummer 3B001h erfasst nicht Multilayer-Masken mit einer phasenverschiebenden Schicht, entwickelt für die Fertigung von Speicherbauelementen, die nicht von Nummer 3A001 erfasst sind.
i) Matrizen (templates) für die Imprintlithographie, entwickelt für von Nummer 3A001 erfasste integrierte Schaltungen.

3B002

[W]

Prüfgeräte, besonders konstruiert für das Testen von fertigen oder unfertigen Halbleiterbauelementen,wie folgt, sowie besonders konstruierte Bestandteile und besonders konstruiertes Zubehör hierfür:

  1. zum Prüfen der S-Parameter von Transistoren bei Frequenzen größer als 31,8 GHz;
  2. nicht belegt;
  3. zum Prüfen von integrierten Mikrowellenschaltungen, die von Unternummer 3A001b2 erfasst werden.

3C Werkstoffe und Materialien

3C001

[W]

Heteroepitaxiale Werkstoffe aus einem "Substrat", das mehrere Epitaxieschichten aus einem der folgenden Materialien enthält:

  1. Silizium (Si),
  2. Germanium (Ge),
  3. Siliziumkarbid (SiC)oder
  4. "III/V-Verbindungen" von Gallium oder Indium.

3C002

[W]

Fotoresists wie folgt und "Substrate", die mit folgenden Fotoresists beschichtet sind:

  1. Positiv-Fotoresists, entwickelt für die Halbleiter-Lithografie, besonders eingestellt (optimiert) für den Einsatz bei Wellenlängen kleiner als 245 nm;
  2. alle Fotoresists, entwickelt zur Verwendung mit Elektronen- oder Ionenstrahlen mit einer Empfindlichkeit besser/gleich 0,01 μC/mm2;
  3. alle Fotoresists, entwickelt zur Verwendung mit Röntgenstrahlen mit einer Empfindlichkeit besser/gleich 2,5 mJ/mm2;
  4. alle Fotoresists, optimiert für Oberflächen-Belichtungstechnologien einschließlich ,silylierter` Fotoresists (silylated resists);
    Technische Anmerkung:
    ,Silvlation"-Techniken sind Verfahren, bei denen Oxydation innerhalb der Resistschicht zur Verbesserung der Nass- und Trockenentwicklung angewendet wird.
  5. alle Fotoresists, entwickelt oder optimiert für die Verwendung in von Unternummer 3B001f2 erfassten Anlagen für die Imprintlithografie, die entweder thermische oder lichtaushärtende Prozesse verwenden.

3C003

[W]

Organischanorganische Verbindungen wie folgt:

  1. Metallorganische Verbindungen aus Aluminium, Gallium oder Indium mit einer Reinheit (bezogen auf das Metall) größer als 99,999 %;
  2. Organische Arsen-, Antimon- oder Phosphorverbindungen mit einer Reinheit (bezogen auf das anorganische Element) größer als 99,999 %.

Anmerkung:
Nummer 3C003 erfasst nur Verbindungen, deren metallisches, halbmetallisches oder nichtmetallisches Element direkt an das Kohlenstoffatom im organischen Teil des Moleküls gebunden ist.

3C004

[W]

Phosphor-, Arsen- oder Antimonhydride mit einer Reinheit größer als 99,999 %, auch verdünnt in Inertgasen oder Wasserstoff.

Anmerkung:
Nummer 3C004 erfasst nicht Hydride, die 20 Molprozent oder mehr Inertgase oder Wasserstoff enthalten.

3C005

[W]

Siliziumkarbid- (SiC), Galliumnitrid- (GaN), Aluminiumnitrid- (AlIN) oder Aluminiumgalliumnitrid-(AlGaN)-"Substrate" oder -Stäbe (ingots, boules) oder andere Vorformen dieser Materialien mit einem spezifischen Widerstand größer als 10.000 Ohm cm bei einer Temperatur von 20 °C.

3C006

[W]

"Substrate", erfasst von Nummer 3C005, mit mindestens einer Epitaxieschicht aus Siliziumkarbid, Galliumnitrid, Aluminiumnitrid oder Aluminiumgalliumnitrid.

3D Datenverarbeitungsprogramme (Software)

3D001

[W]

"Software", besonders entwickelt für die "Verwendung" von Ausrüstung, die von den Unternummern 3A001b bis 3A002g oder Nummer 3B erfasst wird.

3D002

[W]

"Software", besonders entwickelt für die "Verwendung" von Ausrüstung, die von den Unternummern 3B001a bis f oder Nummer 3B002 erfasst wird.

3D003

[W]

,Physikbasierende` (physicsbased) Simulations"software", besonders entwickelt für die "Entwicklung" von lithografischen Prozessen, Ätz- oder Abscheidungsprozessen für das Übertragen von Maskenmustern in spezifische topografische Muster von Leiterbahnen, dielektrischen oder Halbleitermaterialien.

Technische Anmerkung:
,Physikbasierend" (physicsbased) bedeutet in Nummer 3D003, eine Abfolge von physikalischen Kausalvorgängen auf der Grundlage physikalischer Kennwerte (z.B. Temperatur, Druck, Diffusionskonstanten sowie Materialeigenschaften von Halbleitern) rechnerisch zu ermitteln.

Anmerkung:
Die Bibliotheken, die Entwurfsattribute- oder die zugehörigen Daten zum Entwurf von Halbleiterbauelementen oder integrierten Schaltungen gelten als "Technologie".

3D004

[W]

"Software", besonders entwickelt für die "Entwicklung" der von Unternummer 3A003 erfassten Ausrüstung.

3D101

[M]

"Software", besonders entwickelt oder geändert für die "Verwendung" der von Unternummer 3A101b erfassten Ausrüstung.

3E Technologie

3E001

[W, M, N]

"Technologie" entsprechend der Allgemeinen Technologie-Anmerkung für die "Entwicklung" oder "Herstellung" von Ausrüstung oder Werkstoffen, die von Nummer 3A, 3B oder 3C erfasst werden.

Anmerkung 1:
Nummer 3E001 erfasst nicht "Technologie" für die "Herstellung" von Ausrüstung oder Bestandteilen, die von Nummer 3A003 erfasst werden.

Anmerkung 2:
Nummer 3E001 erfasst nicht "Technologie" für die "Entwicklung" oder "Herstellung" von integrierten Schaltungen, die von den Unternummern 3A001a3 bis 3A001a12 erfasst werden und folgende Eigenschaften aufweisen:

  1. Verwendung einer "Technologie" mit minimalen Strukturbreiten größer/gleich 0.5 µmund
  2. keine , Multilayer-Strukturen `.

Technische Anmerkung:
,Multilauer-Strukturen" schließen nicht Bauelemente mit höchstens drei Metallisierungsschichten und drei Polysiliziumschichten ein.

3E002

[W]

"Technologie" entsprechend der Allgemeinen Technologie-Anmerkung, die nicht von Nummer 3E001 erfasst wird, für die "Entwickung" oder "Herstellung" eines Mikroprozessor-, Mikrocomputer- oder Mikrocontroller-Kerns (eure), der eine Arithmetisch-Logische Einheit (ALU) mit einer Zugriffsbreite größer/gleich 32 Bit enthält und mit einer der folgenden Eigenschaften oder Charakteristiken:

  1. eine ,Vektoreinheit`, die mehr als zwei Berechnungen auf Gleitkomma Vektoren (eindimensionale Felder von Zahlen mit einer Darstellung von 32 Bit oder mehr) gleichzeitig ausführen kann,
    Technische Anmerkung:
    Eine , Vektoreinheit" ist ein Prozessorelement mit eingebauten Befehlen, die Mehrfachrechnungen auf Gleitkomma-Vektoren (eindimensionale Felder aus Zahlen von 32 Bit oder länger) gleichzeitig ausführen kann und die mindestens eine Vektor-ALU (Arithmetisch-Logische-Einheit) enthält.
  2. entwickelt, um mehr als zwei Gleitkomma-Ergebnisse mit einer Wortlänge von 64 Bit oder größer pro Taktzyklus zu erzielen,
  3. entwickelt, um mehr als vier Festkomma-Multiplikations-Additions-(multiplyaccumulate) Ergebnisse mit einer Wortlänge von 16 Bit pro Taktzyklus zu erzielen (d. h. digitale Verarbeitung von analogen Eingangsdaten, die in digitale Darstellung gebracht wurden, auch bekannt unter dem Begriff: Digitale "Signalverarbeitung")

Anmerkung:
Nummer 3E002c erfasst nicht ., Technologie" für Multimedia-Erweiterungen.

Anmerkung 1:
Nummer 3E002 erlässt nicht "Technologie" für die "Entwicklung" oder "Herstellung" von Mikroprozessorkernen mit allen .folgenden Eigenschaften:

  1. Verwendung von "Technologie" größer/gleich 0,13 µmund
  2. enthält Multilayer-Strukturen mit fünf oder weniger Metallisierungsschichten.

Anmerkung 2:
Nummer 3E002 schließ/ "Technologie" für digitale Signalprozessoren und digitale Array-Prozessoren ein.

3E003

[W]

"Technologie" wie folgt für die "Entwicklung" oder "Herstellung" folgender Güter:

  1. mikroelektronische Vakuumbauelemente;
  2. Halbleiterbauelemente mit heterogener Struktur, z.B. HEMT (high electron mobility transistors), HBT (heterobipolar transistors), quantum well devices oder super lattice devices;
    Anmerkung:
    Nummer 3E003b erfasst nicht "Technologie" für HEMT (high electron mobility transistors) mit Betriebsfrequenzen kleiner als 31,8 GHz sowie HBT (heterobipolar transistors) mit Betriebsfrequenzen kleiner als 31,8 GHz.
  3. "supraleitende" elektronische Bauelemente;
  4. Substrate mit Diamantfilmen für elektronische Bauelemente;
  5. Substrate aus siliconon-insulator (SOI) für integrierte Schaltungen, wobei der Isolator aus Siliziumdioxid besteht;
  6. Substrate aus Siliziumkarbid für elektronische Bauelemente;
  7. elektronische Vakuumröhren mit Betriebsfrequenzen größer/gleich 31,8 GHz

3E101

[M]

"Technologie" entsprechend der Allgemeinen Technologie-Anmerkung für die "Verwendung" von Ausrüstung oder "Software", erfasst von Unternummer 3A001a1, 3A001a2, Nummer 3A101, 3A102 oder 3D101.

3E102

[M]

"Technologie" entsprechend der Allgemeinen Technologie-Anmerkung für die "Entwicklung" von "Software", erfasst von Nummer 3D101.

3E201*

[N]

"Technologie" entsprechend der Allgemeinen Technologie-Anmerkung für die "Verwendung" von Ausrüstung, erfasst von Unternummer 3A001e2, 3A001e3, 3A001g, Nummer 3A201, 3A225 bis 3A233.

___________
*) Hersteller die ihre Positionsgenauigkeit nach ISO 230/2 (1997) ermitteln, sollten sich mit der zuständigen Behörde in dem Mitgliedstatt ins Benehmen setzen, in dem sie niedergelassen sind.

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